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公开(公告)号：CN119725235A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411176276.5
申请日：2024-08-26
Applicant: 英特尔公司
Inventor： E·扎马尼 , U·普拉萨德 , L·迈尔斯 , S·卡维亚尼 , D·杜鲁伊契奇 , E·塔瓦科利 , M·默罕默迪加勒尼 , R·尚穆加姆 , R·G·吉龙 , S·V·R·皮耶塔姆巴拉姆 , 段刚
IPC: H01L23/15 , H01L23/13 , H01L23/14 , H01L23/498
Abstract: 本文公开的实施例包括具有贯穿玻璃过孔(TGV)的玻璃芯。在实施例中，一种设备包括衬底，衬底是实心玻璃层。在实施例中，穿过衬底的厚度提供开口，并且衬层的第一表面在所述开口的侧壁上，衬层的第二表面背离所述开口的侧壁。在实施例中，衬层包括基质、以及基质中的填料颗粒。在实施例中，向衬层的第二表面中提供多个腔。在实施例中，过孔在开口中，其中，过孔是导电的。
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公开(公告)号：CN119725234A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411176264.2
申请日：2024-08-26
Applicant: 英特尔公司
Inventor： R·布尔 , M·帕赫 , J·皮普尔斯 , 孔㛃莹 , N·S·黑恩 , A·特里帕蒂 , B·F·安古奥 , Y·科恩布鲁特 , D·罗萨莱斯-约曼斯 , J·斯泰西 , A·A·坎达戴 , Y·Y·李 , T·恩杜库姆 , S·科特尼 , 段刚 , J·琼斯 , S·V·R·皮耶塔姆巴拉姆 , D·塞纳维拉特纳 , M·安德森
Abstract: 本公开内容涉及用于玻璃芯衬底的应力减轻架构。本文公开的实施例包括具有玻璃芯的封装衬底。在实施例中，一种装置包括具有第一宽度的芯，并且芯包括玻璃层。在实施例中，穿过芯的厚度设置过孔，其中，过孔是导电的。在实施例中，在芯上方设置第一层，其中，第一层包括小于第一宽度的第二宽度。在实施例中，在芯下方设置第二层，其中，第二层包括小于第一宽度的第三宽度。
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公开(公告)号：CN118738014A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202311765567.3
申请日：2023-12-20
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/58 , H01L21/48
Abstract: 公开了一种电子设备和相关联的方法。在一个示例中，电子设备包括电子封装衬底，该电子封装衬底包括玻璃芯层和调节器电路。调节器电路的电路部件的第一部分嵌入玻璃芯层中，并且调节器电路的电路部件的第二部分形成在玻璃芯层的表面上。
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公开(公告)号：CN117501444A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202280042829.0
申请日：2022-07-21
Applicant: 英特尔公司
Inventor： J·D·埃克顿 , L·R·阿拉纳 , B·C·马林 , S·V·R·皮耶塔姆巴拉姆 , 段刚
IPC: H01L25/065 , H10B80/00 , H01L23/538
Abstract: 一种电子器件，包括：模制层，所述模制层包括具有触点焊盘的多个集成电路(IC)管芯；玻璃芯贴片，所述玻璃芯贴片嵌入包封材料中，所述包封材料围绕所述玻璃芯贴片的顶部、底部和侧面；以及第一再分布层，所述第一再分布层布置在第一模制层与所述玻璃芯贴片之间。第一再分布层包括将IC管芯的一个或多个触点焊盘电连接到玻璃芯贴片的导电互连。
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公开(公告)号：CN120072800A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202411533447.5
申请日：2024-10-30
Applicant: 英特尔公司
Inventor： 单博涵 , M·默罕默迪加勒尼 , J·斯泰西 , E·扎马尼 , A·坎达代 , J·韦霍恩斯基 , D·万德拉 , M·帕赫 , S·V·R·皮耶塔姆巴拉姆 , 段刚 , J·埃克顿 , B·C·马林 , O·厄兹坎 , V·贝朱加姆 , D·帕塔达尔 , A·哈西卜 , N·黑恩 , M·沃森 , S·塔马拉贾赫 , J·M·甘巴 , 李语沁 , A·特里帕蒂 , M·M·拉赫曼 , H·哈里里 , S·卡维亚尼 , L·迈尔斯 , D·杜鲁伊契奇 , E·塔瓦科利 , W·布雷克斯 , D·塞纳维拉特纳 , B·安古阿 , P·A·库拉加马 , 冯红霞 , K·J·阿林顿 , 聂白 , J·韦敏 , R·卡拉左尼 , 陈昊博 , 徐定颖 , 林子寅 , Y·白 , 郭晓莹 , 穆斌 , T·S·希顿 , R·N·马内帕利
IPC: H01L23/538 , H01L23/498
Abstract: 本文公开了具有玻璃芯中的贯穿玻璃过孔应力减轻的微电子组件。公开了用于减轻(例如，缓解或减少)玻璃芯材料与沉积在贯穿玻璃过孔(TGV)中的导电材料之间的应力的各种技术以及相关装置和方法。在一个方面中，微电子组件包括玻璃芯，玻璃芯具有第一面和与第一面相对的第二面，以及在第一面与第二面之间延伸穿过玻璃芯的TGV，其中，TGV包括导电材料和位于导电材料与玻璃芯之间的缓冲层，其中，缓冲层的CTE小于导电材料的CTE。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119742282A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411181145.6
申请日：2024-08-27
Applicant: 英特尔公司
Inventor： 单博涵 , J·琼斯 , 谢之昕 , 聂白 , S·陈 , J·斯泰西 , M·帕赫 , B·C·马林 , J·D·埃克顿 , N·S·黑恩 , A·特里帕蒂 , 李语沁 , E·卡特根 , J·M·甘巴 , J·韦霍恩斯基 , 莫建勇 , M·沃森 , S·戈卡莱 , M·卡亚 , K·斯里尼瓦桑 , 陈昊博 , 林子寅 , K·阿林顿 , J·韦敏 , R·卡拉左尼 , 冯红霞 , S·V·R·皮耶塔姆巴拉姆 , 段刚 , D·D·徐 , 田中宏树 , A·达尼 , P·斯里拉马吉里 , 李羿 , I·艾尔哈提卜 , A·加勒利克 , R·麦克雷 , H·阿贾米 , 王叶侃 , A·杰门尼兹 , 韩程圭 , 宋涵彧 , Y·Y·李 , M·默罕默迪加勒尼 , W·布雷克斯 , 赖舒琦 , 孔㛃莹 , T·希顿 , D·塞纳维拉特纳 , Y·白 , 穆斌 , M·古普塔 , 郭晓莹
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 本文公开的实施例包括具有玻璃芯封装衬底的装置。在实施例中，一种装置包括具有第一表面以及与第一表面相反的第二表面的衬底。侧壁在第一表面与第二表面之间，并且衬底包括玻璃层。在实施例中，在第一表面与第二表面之间设置穿过衬底的过孔，并且过孔是导电的。在实施例中，与衬底的侧壁接触的层围绕衬底的周边。
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公开(公告)号：CN115863267A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211051369.6
申请日：2022-08-23
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 所公开的各种实施例涉及光子组件。本公开包括用于封装光子组件的方法，该方法包括：将桥管芯附接到玻璃衬底，将电子集成电路管芯附接到玻璃衬底和桥管芯，将光子集成电路管芯附接到玻璃衬底和桥管芯，将耦合适配器接合到玻璃衬底，以及在耦合适配器中原位形成波导，该波导与光子集成电路管芯对准。
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公开(公告)号：CN119230513A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202311846951.6
申请日：2023-12-29
Applicant: 英特尔公司
Inventor： R·尚穆加姆 , D·杜鲁伊契奇 , S·纳德 , S·V·R·皮耶塔姆巴拉姆 , B·布拉克 , X·孙 , Q·李 , J·S·斯泰尔 , M·D·阿姆斯特朗 , M·A·瓦尔
IPC: H01L23/498 , H01L23/48 , H01L23/15 , H01L21/48 , H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 一种半导体衬底，其包括具有第一主表面和第二主表面的玻璃层、从第一主表面延伸到第二主表面的至少一个电传输通孔、以及与第一主表面、第二主表面和电传输通孔中的至少一个耦合的中间层。中间层包括金属、硅和氧。金属层与中间层键合。
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公开(公告)号：CN116322122A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211446264.0
申请日：2022-11-18
Applicant: 英特尔公司
Inventor： B·C·马林 , J·D·埃克顿 , S·V·R·皮耶塔姆巴拉姆 , K·达尔马韦卡尔塔
IPC: H10K50/844 , H10K50/858 , H10K50/88 , H10K50/80 , H10K30/88 , H10K30/89 , H10K30/80 , H10K30/60 , H10K77/10 , H10K71/00
Abstract: 本文公开的是在微电子封装上使用光学信令的有机半导体以及制造所述有机半导体的方法。所述微电子封装可以包括衬底、接受器、供应器和阻焊剂层。所述衬底可以包括迹线。所述接受器可以与所述迹线电连通。所述供应器可以连接到所述接受器。所述阻焊剂层可以连接到所述衬底并且包封至少所述接受器的一部分。
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公开(公告)号：CN115863329A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202210999017.7
申请日：2022-08-19
Applicant: 英特尔公司
Abstract: 本公开内容涉及用于电光集成的管芯优先扇出架构。公开了一种电子装置和关联的方法。在一个示例中，该电子装置包括光子集成电路和原位形成的波导。在选择的示例中，该电子装置包括在玻璃层中耦合到电子集成电路的光子集成电路，其中在玻璃层中形成波导。
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