公开(公告)号：CN118502036A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202311850459.6

申请日：2023-12-29

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 李晓倩 ,  O·G·卡尔哈德 ,  N·A·德什潘德

IPC: G02B6/42

Abstract: 公开了一种用于光子集成电路(PIC)的v形槽光纤附接的架构。该架构的特征在于厚度小于100微米的PIC。载体层被附接到PIC的非有源表面并且v形槽被蚀刻到PIC晶圆的有源表面中。载体层在蚀刻v形槽期间充当蚀刻停止件，从而成为v形槽的底，并且使得v形槽能够延伸到等于PIC厚度的深度。载体层可以是玻璃层。载体层也可以是电子集成电路(EIC)。

公开(公告)号：CN114725050A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202111346654.6

申请日：2021-11-15

Applicant: 英特尔公司

Inventor： O·G·卡尔哈德 ,  N·A·德什潘德

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/492 ,  H01L23/528 ,  H01L25/04

Abstract: 本文公开了包括桥接器的微电子结构以及相关组件和方法。在一些实施例中，微电子结构可以包括衬底和桥接器。

公开(公告)号：CN113394206A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202011476687.8

申请日：2020-12-15

Applicant: 英特尔公司

Inventor： T·利尔耶贝格 ,  A·C·阿尔杜伊诺 ,  R·V·马哈詹 ,  L·廖 ,  K·布朗 ,  J·若斯 ,  B·帕塔萨拉蒂 ,  N·A·德什潘德

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 实施例可以涉及一种微电子封装，其包括具有位于其中的有源桥接器的封装衬底。有源管芯可以与封装衬底耦合，并与有源桥接器通信地耦合。光子集成电路(PIC)可以与封装衬底耦合，并与有源桥接器通信地耦合。可以描述或要求保护其他实施例。

公开(公告)号：CN106165092B

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201480074129.5

申请日：2014-02-26

Applicant: 英特尔公司

Inventor： N·A·德什潘德 ,  O·G·卡尔哈德

IPC: H01L23/48

Abstract: 一种微电子结构，包括：具有第一表面以及腔的基板，该腔从基板第一表面延伸到基板中；附接到基板第一表面的第一微电子器件和第二微电子器件；以及桥，该桥被设置在基板腔内并且附接到第一微电子器件和第二微电子器件。桥包括从桥的第一表面延伸到相对的第二表面的多个导电过孔，其中，导电过孔被电耦合以将电信号从基板传送到第一微电子器件和第二微电子器件。桥还建立了第一微电子器件与第二微电子器件之间的至少一个电信号连接。

公开(公告)号：CN117581649A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202280045417.2

申请日：2022-08-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S·V·皮耶塔姆巴拉姆 ,  B·C·马林 ,  D·马利克 ,  T·A·易卜拉欣 ,  J·埃克顿 ,  O·G·卡尔哈德 ,  B·P·佩恩梅查 ,  李晓倩 ,  N·A·德什潘德 ,  M·莫迪 ,  B·聂

IPC: H10B80/00

Abstract: 公开了一种光电子组件，包括具有由玻璃组成的芯的衬底，以及耦合到衬底的第一侧面的光子集成电路(PIC)和电子IC(EIC)。芯包括波导，所述波导具有靠近第一侧面的第一端点和暴露在衬底的与第一侧面正交的第二侧面上的第二端点。波导的第一端点位于芯的与衬底的第一侧面平行的第三侧面上。衬底还包括与第一端点对准的光学过孔，并且光学过孔在第一侧面与第三侧面之间延伸。在各种实施例中，波导具有可以通过激光在第一端点和第二端点之间刻划的任何形状。

公开(公告)号：CN114725051A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202111366785.0

申请日：2021-11-18

Applicant: 英特尔公司

Inventor： O·G·卡尔哈德 ,  E·卡特根 ,  A·特里帕蒂 ,  N·A·德什潘德

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/492 ,  H01L23/528 ,  H01L25/04

Abstract: 本文公开了包括桥接器的微电子结构以及相关组件和方法。在一些实施例中，微电子结构可以包括衬底和桥接器。

公开(公告)号：CN119581447A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411063693.9

申请日：2024-08-05

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S·苏特拉姆 ,  W·戈梅斯 ,  R·V·马哈詹 ,  D·马利克 ,  P·S·拉纳德 ,  N·A·德什潘德 ,  A·A·夏尔马

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H10B80/00 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18

Abstract: 微电子组件的实施例可以包括：第一集成电路(IC)管芯，其具有第一表面、与第一表面相反的第二表面以及与第一表面和第二表面正交的第三表面，第一IC管芯包括平行于第一表面和第二表面并且在第三表面处露出的导电迹线；具有第四表面并且包括电压调节器电路单元的第二IC管芯；以及具有第五表面的第三IC管芯，其中，第一IC管芯的第三表面通过第一互连电耦接至第三IC管芯的第五表面，第二IC管芯的第四表面通过第二互连电耦接至第三IC管芯的第五表面，并且第一IC管芯通过第三IC管芯中的导电通路电耦接至第二IC管芯。

公开(公告)号：CN119213555A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202380040409.3

申请日：2023-04-26

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S·苏特拉姆 ,  O·G·卡尔哈德 ,  R·V·马哈詹 ,  D·马利克 ,  N·A·德什潘德 ,  P·S·拉纳德 ,  W·戈梅斯 ,  A·A·夏尔马 ,  T·加尼 ,  A·S·默西 ,  J·弗莱曼 ,  S·莫雷因 ,  M·阿迪莱塔 ,  M·克罗克 ,  A·戈里乌斯

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/50 ,  H01L23/498 ,  H01L21/768

Abstract: 集成电路(IC)管芯的实施例包括：具有第一表面和第二表面的第一区域，第一表面与第二表面正交；以及沿着与第一表面正交并且平行于第二表面的平面界面附接到第一区域的第二区域，第二区域具有与第一表面共面的第三表面。第一区域包括：电介质材料；电介质材料中的导电迹线的层，导电迹线的每个层平行于第二表面，使得导电迹线与第一表面正交；穿过电介质材料的导电过孔；以及第一表面上的键合焊盘，键合焊盘包括导电迹线的暴露在第一表面上的部分，并且第二区域包括与电介质材料不同的材料。

公开(公告)号：CN118946967A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202380021310.9

申请日：2023-02-17

Applicant: 英特尔公司

Inventor： N·A·德什潘德 ,  O·G·卡哈德 ,  M·巴蒂亚 ,  D·马利克

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/14 ,  H01L25/065 ,  H10B80/00

Abstract: 一种微电子组件及形成所述微电子组件的方法。微电子组件包括:在其中具有第一通孔的第一衬底，第一衬底包括硅或玻璃；第一层，其在第一衬底的前表面上，并且包括耦合到第一通孔的一个或多个第一管芯；第二衬底，其位于第一层的前表面上，并且在其中具有第二通孔，并且包括硅或玻璃；第二层，其在第二衬底的前表面上，第一层在第一衬底和第二衬底之间，第二层包括耦合到第二通孔的一个或多个第二管芯；以及导电结构，其在第一衬底后表面上耦合到第一通孔。

公开(公告)号：CN117561598A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202280045393.0

申请日：2022-11-22

Applicant: 英特尔公司

Inventor： O·卡尔哈德 ,  N·A·德什潘德 ,  R·V·马哈詹

IPC: H01L25/065 ,  H10B80/00

Abstract: 本文公开的实施例包括管芯模块和制造管芯模块的方法。在一个实施例中，管芯模块包括第一管芯，第一管芯具有一组第一焊盘，一组第一焊盘具有与第一电介质层的表面基本上共面的表面。在一个实施例中，管芯模块还包括第二管芯，第二管芯具有一组第二焊盘，一组第二焊盘具有与第二电介质层的表面基本上共面的表面。在一个实施例中，第一焊盘键合到第二焊盘，并且第一电介质层键合到第二电介质层。