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公开(公告)号：CN109417012A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780024188.5
申请日：2017-04-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 科斯特尔·拜洛 , 皮尔·卢比克 , 泰勒·洛克威尔 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 维克拉姆·辛 , 凯文·M·丹尼尔斯 , 理查德·J·赫尔特 , 彼得·F·库鲁尼西 , 亚历山大·利坎斯奇
IPC: H01J37/32 , H01J37/317
Abstract: 一种处理设备可以包含：等离子体腔室，以容纳等离子体并且具有包括电绝缘体的主体部分；提取板，沿着等离子体腔室的提取侧安置，所述提取板是导电的并且具有提取孔隙；衬底平台，安置在等离子体腔室的外部并且邻近提取孔隙，所述衬底平台处在接地电势；以及射频发生器，电耦合到所述提取板，当等离子体存在于等离子体腔室中时所述射频发生器相对于接地电势在提取板处建立正直流自身偏置电压。
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公开(公告)号：CN107924838A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680046221.X
申请日：2016-07-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 梁树荣 , 科斯特尔·拜洛 , 葛兰·F·R·吉尔克里斯特 , 维克拉姆·辛 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 理查德·赫尔特 , 艾立克斯恩德·刚特司 , 皮耶罗·斯佛拉佐 , 陈宗良
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/3213 , H01L21/02
CPC classification number: H05H1/24 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32834 , H01J2237/327 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 一种处理衬底的装置。装置可包含：具有安置在处理腔室中的反应气体出口的反应气体源，反应气体出口将第一反应气体引导到衬底；耦合到处理腔室且包含提取板的等离子体腔室，提取板具有沿着第一方向延伸的提取孔隙、安置在处理腔室内以及可在面向反应气体源的第一位置与面向提取孔隙的第二位置之间沿着垂直于第一方向的第二方向移动；以及安置于反应气体出口与提取孔隙之间的气流限制器，气流限制器界定至少等离子体腔室与衬底平台之间的差动泵浦通道。
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公开(公告)号：CN104885186B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380049073.3
申请日：2013-08-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/16 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32165 , H01J37/32422 , H01J2237/0817 , H01J2237/31706
Abstract: 一种宽离子束源(10)包括多个射频窗(26，18，30)，以预设关系布置；单一等离子体腔体线(20，22，24)，每一多个射频天线配置在各别的每一多个射频窗的第二侧，而且第二侧相对于第一侧；以及多个射频源(14，16，18)，每一多个射频源耦接于各别的每一多个射频天线，其中藉由耦接于第一射频天线的第一射频源产生的第一射频信号及藉由耦接于与第一射频天线相邻的一射频天线的第二射频源产生的第二射频信号之间的频率差异大于10千赫兹。本发明提供的射频离子源，能促进多重、空间重叠等离子体的运(12)，配置在多个射频窗的第一侧；多个射频天
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公开(公告)号：CN103650098B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201280032889.0
申请日：2012-07-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 维克多·M·本夫尼斯特 , 史费特那·瑞都凡诺 , 科斯特尔·拜洛
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32807 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/32651 , H01J37/32669 , H01J37/32688 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/3065
Abstract: 本揭示是一种提供磁局限以减少等离子体流失和法拉第屏蔽以抑止寄生电容成份的感应耦合射频等离子体源。感应耦合射频等离子体系统包括一射频电源、一等离子体室、一永久磁铁数组以及一天线数组。等离子体室包括多面墙以及具有一内表面和一外表面的介电窗，其中内表面形成等离子体室的一墙。平行的导电永久磁铁的数组电性相互连接，并内嵌于接近内表面的介电窗墙且在一端耦接至接地面。永久磁铁数组组件于等离子体室内交替地朝向等离子体和远离等离子体被磁化，以形成一多尖点磁场。天线数组包括射频电流可通过且相互平行的长导管。天线数组与永久磁铁数组系相互垂直排列。
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公开(公告)号：CN104603908A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380033131.3
申请日：2013-05-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 在一实施例中，一种具有镓离子的离子束的产生方法，其包括在等离子体腔室中提供至少部分的镓化合物靶材，此镓化合物靶材包括镓以及至少一种额外元素。具有镓离子的离子束的产生方法还包括在等离子体腔室中，使用至少一种气态物种来启动等离子体及提供气态的蚀刻物种源，以与镓化合物靶材反应，从而形成挥发性镓物种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102105966B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200980129479.6
申请日：2009-06-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/08 , H01J27/16 , H01J37/3171 , H01J2237/061 , H01J2237/0817 , H01J2237/082 , H01J2237/0827 , H01J2237/304
Abstract: 揭示一种离子植入设备、多模式离子源及多模式中的离子植入方法。在一特定例示性实施例中，可将所述技术实现为离子植入设备，其包括在多种模式下操作的离子源，使得第一模式为弧放电模式，且第二模式为RF模式。
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公开(公告)号：CN102449739A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080024190.0
申请日：2010-04-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 科斯特尔·拜洛 , 杰·T·舒尔 , 艾力克斯恩德·S·培尔
IPC: H01L21/265 , H05H1/24 , H05H1/34
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/061 , H01J2237/065 , H01J2237/0815 , H01L31/0288 , H01L31/1804 , H01L31/206 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种离子源，其能够使用一或多个等离子源产生高密度宽带离子束。除了所述等离子源，所述离子源亦包含扩散腔。所述扩散腔具有沿与所述等离子源的介电圆柱体相同的轴定向的提取孔径。在一实施例中，位于所述扩散腔的相对末端上的双等离子源用于形成更均一的提取离子束。在又一实施例中，多尖峰磁场用于进一步改良提取离子束的均一性。
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公开(公告)号：CN112689882B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201980059434.X
申请日：2019-08-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 科斯特尔·拜洛 , 乔·波鲁 , 詹姆士·P·布诺德诺
IPC: H01J37/147 , H01J37/08 , H01J37/317
Abstract: 提供一种用于萃取多个离子束的离子萃取光学器件以及离子萃取处理装置。所述离子萃取光学器件可包括萃取板，所述萃取板界定切口区域，所述切口区域沿第一方向伸长。所述离子萃取光学器件可包括可滑动插入件，所述可滑动插入件被设置成与所述切口区域重叠，且能够相对于所述萃取板沿所述第一方向可滑动地移动，其中所述可滑动插入件及所述切口区域界定第一开孔及第二开孔。
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公开(公告)号：CN109417012B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201780024188.5
申请日：2017-04-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 科斯特尔·拜洛 , 皮尔·卢比克 , 泰勒·洛克威尔 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 维克拉姆·辛 , 凯文·M·丹尼尔斯 , 理查德·J·赫尔特 , 彼得·F·库鲁尼西 , 亚历山大·利坎斯奇
IPC: H01J37/32 , H01J37/317
Abstract: 本发明的实施例提供一种处理设备及处理衬底的方法，所述处理设备可以包含：等离子体腔室，以容纳等离子体并且具有包括电绝缘体的主体部分；提取板，沿着等离子体腔室的提取侧安置，所述提取板是导电的并且具有提取孔隙；衬底平台，安置在等离子体腔室的外部并且邻近提取孔隙，所述衬底平台处在接地电势；以及射频发生器，电耦合到所述提取板，当等离子体存在于等离子体腔室中时所述射频发生器相对于接地电势在提取板处建立正直流自身偏置电压。
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公开(公告)号：CN105340049A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201480037223.3
申请日：2014-05-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/08 , H01J27/02 , H01L21/425
CPC classification number: C23F4/00 , H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/3053 , H01J2237/022 , H01J2237/3341
Abstract: 一种离子源，包括离子源腔室、配置在离子源腔室中且经设置以发射电子以产生电弧电浆的阴极、以及经设置以将电子驱除回到电弧电浆中的斥拒极。离子源腔室及阴极可包括耐火金属。离子源腔室还包括经设置以提供卤素物种至离子源腔室的气体源。在第一组操作条件下，反应性插件与卤素物种互相起作用以在离子源腔室中得到耐火金属的第一蚀刻速率，当离子源腔室中不配置有反应性插件时，在第一组操作条件下，离子源腔室中的耐火金属的第二蚀刻速率大于第一蚀刻速率。
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