公开(公告)号：CN104603908A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380033131.3

申请日：2013-05-03

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 科斯特尔·拜洛 ,  奎格·钱尼 ,  奈尔·巴森 ,  班杰明·科伦贝亚努 ,  丹尼斯·P·罗迪尔

IPC: H01J27/08 ,  H01J37/08

CPC classification number: H01J27/20 ,  H01J7/24 ,  H01J37/02 ,  H01J37/08

Abstract: 在一实施例中，一种具有镓离子的离子束的产生方法，其包括在等离子体腔室中提供至少部分的镓化合物靶材，此镓化合物靶材包括镓以及至少一种额外元素。具有镓离子的离子束的产生方法还包括在等离子体腔室中，使用至少一种气态物种来启动等离子体及提供气态的蚀刻物种源，以与镓化合物靶材反应，从而形成挥发性镓物种。

公开(公告)号：CN104603908B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380033131.3

申请日：2013-05-03

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 科斯特尔·拜洛 ,  奎格·钱尼 ,  奈尔·巴森 ,  班杰明·科伦贝亚努 ,  丹尼斯·P·罗迪尔

IPC: H01J27/08 ,  H01J37/08

CPC classification number: H01J27/20 ,  H01J7/24 ,  H01J37/02 ,  H01J37/08

Abstract: 本发明提供一种具有镓离子的离子束的产生方法及其装置。在一实施例中，一种具有镓离子的离子束的产生方法，其包括在等离子体腔室中提供至少部分的镓化合物靶材，此镓化合物靶材包括镓以及至少一种额外元素。具有镓离子的离子束的产生方法还包括在等离子体腔室中，使用至少一种气态物种来启动等离子体及提供气态的蚀刻物种源，以与镓化合物靶材反应，从而形成挥发性镓物种。