公开(公告)号：CN104716170B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201410647568.2

申请日：2005-06-02

Applicant: 伊利诺伊大学评议会

Inventor： R·G·纳佐 ,  J·A·罗杰斯 ,  E·梅纳德 ,  李建宰 ,  姜达荣 ,  孙玉刚 ,  M·梅尔特 ,  朱正涛

IPC: H01L29/41 ,  H01L33/36 ,  H01L31/0224 ,  H01L27/02 ,  H01L21/77 ,  H01L21/02 ,  H05K1/02 ,  H05K1/03 ,  H05K3/22 ,  H05K3/20 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: H01L29/76 ,  B81C2201/0185 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/308 ,  H01L21/322 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1896 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/0332 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/80862 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15162 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10S977/707 ,  Y10S977/724 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供用于制造可印刷半导体元件并将可印刷半导体元件组装至基片表面上的方法。本发明的方法和设备组件能在含有聚合物材料的基片上产生多种柔性电子和光电子器件以及器件阵列。本发明还提供能在拉伸状态下具有良好性能的可拉伸半导体元件及可拉伸电子器件。

公开(公告)号：CN105229799B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201480028263.1

申请日：2014-05-13

Applicant: 赛腾高新技术公司

Inventor： 兹比格卢·库茨尼奇 ,  帕特里克·梅里埃斯

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/036 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/065 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/036 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及在硅材料内部纳米结构形成的基本纳米级单元以及实现它们的制造方法。通过将两个Si原子有限位移至晶体基本单元外部来产生每个基本纳米级单元。通过在其中集中特定物理效应，晶体物质的局部纳米级转变得到不寻常的功能，因为它是非常有用的额外电子能级组(针对太阳光谱转换成电进行优化)。调整的能量组允许在半导体，优选硅、尤其用于非常高效的全硅光电转换器的材料中低能量二次电子产生。用于在半导体材料中产生这种转变的制造方法是基于局部能量沉积，如离子注入或电子(γ,X)束照射以及适当的热处理并且在工业上容易获得。

公开(公告)号：CN106463570B

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201380081687.X

申请日：2013-12-19

Applicant: 深圳市泽智知识产权有限公司

Inventor： 权文光

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种太阳能电池，包括基底(11)、掺杂射极层(13)、复合抗反射层(14)、第一电极(15)、第二电极(16)、第三电极(17)及背面电场层(18)，该基底(11)具有第一表面(112)及与第一表面相对的第二表面(116)，该第一表面(112)为入光面，该掺杂射极层(13)包括多个凸起(114)且位于该第一表面(112)，该复合抗反射层(14)有多层膜层(142、144、146)复合而成且位于该掺杂射极层(13)上，该第一电极(15)位于该第一表面(112)侧，该第二电极(16)及第三电极(17)位于该第二表面(116)侧，该第二电极(16)为汇流电极，第三电极(17)为背面电极，该背面电场层(18)位于该第二表面(116)且与该第三电极(17)相电耦合，采用上述结构的太阳能电池具有可以提高电池效率的优点。还提供了一种上述太阳能电池的制备方法。

公开(公告)号：CN109616531A

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201811467116.0

申请日：2018-12-03

Applicant: 江苏中宇光伏科技有限公司

Inventor： 皇韶峰

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  B41M1/12 ,  B41M1/22 ,  B41M1/26

CPC classification number: H01L31/022441 ,  B41M1/12 ,  B41M1/22 ,  B41M1/26 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池片生产中硅片的印刷工艺，包括导电银浆料印刷背面电极，导电铝浆料印刷背电场，导电银浆料印刷正电极，高温烧结，有机溶剂擦拭，混酸溶液清洗及喷淋水洗，其中正面电极主栅和副栅分开两次印刷，有机溶剂为酒精、松油醇或异丙酮，混酸溶液由盐酸、硝酸和水混合而成。该太阳能电池片生产中硅片的印刷工艺，降低电池片制造成本的同时不影响使用性能，通过有机溶剂的擦拭及混酸溶液的清洗能够有效去除硅片表面粘附的金属银浆或铝浆浆料，提高产品良率，可以普遍推广使用。

公开(公告)号：CN109585597A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811188840.X

申请日：2018-10-12

Applicant: 浙江爱旭太阳能科技有限公司

Inventor： 吴慧敏 ,  张小明 ,  方结彬 ,  林纲正 ,  何达能 ,  陈刚

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/02167

Abstract: 本发明公开一种改善管式晶硅太阳能PERC电池正面绕镀的方法，S1：在硅片镀背面钝化膜的工序中，于硅片背面依次镀Al2O3膜、SiO2膜和SiNx膜，形成背面钝化膜，同时，在硅片正面边沿形成绕镀膜；S2：在由步骤S1所得产品的背面钝化膜表面上制作水膜；S3：使由步骤S2所得产品通过HF/HCl槽，去除绕镀膜；S4：使由步骤S3所得产品通过水槽，去除残余药液；S5：干燥由步骤S4所得产品。本发明改善了管式晶硅太阳能PERC电池正面绕镀现象，改善了电池的外观，提高了光电转换效率。在常规背面钝化膜Al2O3/SiNx之间增设SiO2膜，提高了水膜的亲水性，有利于去除绕镀膜和保护背钝化膜不被气相侵蚀。

公开(公告)号：CN109585345A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811641078.6

申请日：2018-12-29

Applicant: 无锡琨圣科技有限公司

Inventor： 陶俊 ,  宋准 ,  石烨炜

IPC: H01L21/67 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/67023 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1876

Abstract: 本发明公开了一种改善黑硅机台工艺稳定性的雾化喷淋结构，包括升降臂，升降臂上安装有机械手，机械手上夹抓有花篮，所述升降臂的一侧设置有清洗箱，清洗箱的两侧内壁上均固定对称设置有多个管夹，位于清洗箱同一侧内壁上的多个管夹上均卡接有同一个水管，两个水管上均连通有多个雾化喷淋头，所述清洗箱的一侧设置有水箱，水箱的一侧设置有水泵。本发明结构简单，操作方便，很好的解决了花篮和硅片带液和串液现象，能够有效的提升黑硅机台的工艺稳定性，同时延长了药液的使用寿命，将硅片和碱反应产生的硅酸盐附着物冲洗掉，从而防止由于银无法正常沉积产生的外观白点缺陷，将清洗后的污水进行过滤，防止污染环境。

公开(公告)号：CN109545888A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811319435.7

申请日：2018-11-07

Applicant: 南昌航空大学

Inventor： 李巧会 ,  钟凡 ,  卢金山

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0525

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/0488 ,  H01L31/0525

Abstract: 本发明公开了一种提高多晶硅太阳能电池光电转换效率的方法，包括以下步骤，在具有PN结的多晶硅基片上进行刻蚀，得到周期性结构的刻蚀坑，刻蚀坑穿过PN结，形成周期性结构的孔洞；在孔洞中填充相变储能材料；将填充相变储能材料的多晶硅基片与透明导电玻璃组装成太阳能电池。多晶硅基片(6)使用HF水溶液或等离子体刻蚀，孔洞深度10～100μm，孔径5～20μm，相变储能材料(3)为相变温度25～40℃石蜡、月桂酸–葵酸二元复合材料或分子量2000以上多元醇中的一种。本发明优点：制备工艺简便、经济合理、电池温度恒定、提高电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN109509813A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201811418726.1

申请日：2018-11-26

Applicant: 东方日升(常州)新能源有限公司

Inventor： 崔艳峰 ,  袁声召 ,  万义茂 ,  黄强 ,  林海峰

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/035281

Abstract: 本发明涉及太阳电池技术领域，尤其是一种无掩膜的P型全背电极接触晶硅太阳电池的制备方法；包括以下步骤：制绒；沉积隧穿氧化硅和本征多晶硅薄膜，磷离子图案化注入；然后刻蚀：采用TMAH溶液，浓度为1%-2%，溶液温度25-80℃，刻蚀掉非n+区的本征多晶硅层和正面的本征多晶硅层；紧接着在1-5%的HF溶液中浸泡1-2分钟去除该区域的隧穿氧化层SiO2；然后退火：激活离子注入当中的磷原子，从而在硅中形成均匀的掺杂，以形成pn结区；最后去除pn结区表面的磷硅玻璃、沉积钝化层、激光开膜、丝网印刷；本发明提出的方法，生产流程简单，电池效率高，无硼扩散等昂贵工艺，可以极大的降低全背电极接触太阳电池的成本，且适合大规模产业化应用。

公开(公告)号：CN109463010A

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201880001497.5

申请日：2018-05-22

Applicant: 君泰创新(北京)科技有限公司

Inventor： 陈贤刚 ,  杨苗 ,  郁操 ,  张津燕 ,  徐希翔

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/0747 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03125 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1812 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池，方法包括：提供基片(201)；在基片的两侧分别沉积本征层(202)；在基片两侧的本征层上分别沉积n型掺杂层(203)和p型掺杂层(204)，n型掺杂层和/或p型掺杂层至少为两层，且n型掺杂层和/或p型掺杂层的各层在远离基片的纵向方向上的掺杂浓度呈递增状；在n型掺杂层和p型掺杂层上分别依次形成透明导电层(205)和电极层(206)。从而提高电池转换效率以及生产效率。

公开(公告)号：CN109308995A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201811095301.1

申请日：2018-09-19

Applicant: 苏州惠捷迦装备科技有限公司

Inventor： 李涛

IPC: H01L21/223 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/223 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池片扩散工艺,其特征在于，包括步骤：将硅片进行清洗、制绒处理，再放入扩散炉；将扩散炉温度加热至设定的第一温度，稳定后通入氧气，进行第一次氧化反应；温度加热至设定的第二温度，稳定后通入氧气、三氯氧磷，进行第一次扩散反应；温度加热至设定的第三温度，稳定后进行第二次扩散反应；温度加热至设定的第四温度，稳定后进行第二次氧化反应；温度进行冷却至第五温度，稳定后通入氧气、三氯氧磷，保持设定的第五时间；停止通入三氯氧磷，继续通入氧气，将扩散炉降温退火，退火后取出硅片即可。本发明在扩散工艺中，杂质P的扩散深度较浅，使硅表面形成重掺杂N+区域，增大电池片短路电流，提高电池转换效率。