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公开(公告)号：CN108040498B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201680027886.6
申请日：2016-05-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本文提供源壳体组件、离子撷取系统及改善离子撷取系统的方法。源壳体组件可包括源壳体，所述源壳体环绕包括弧室的离子源，所述源壳体具有安装于其近端处的撷取孔板。所述源壳体组件还包括真空衬垫，所述真空衬垫安置于所述源壳体的内部内以在一组真空抽吸孔周围形成屏障。在构成后，所述源壳体组件中的除撷取孔板中的开口以外的开口被撷取孔板及真空衬垫封闭，进而确保在弧室外形成的附属弧或无关离子保持于源壳体内。只有在弧室内形成的那些离子经由撷取孔板的开口而离开源壳体。
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公开(公告)号：CN107075662A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580055294.0
申请日：2015-10-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明公开一种用于处理工件的系统和方法。用等离子室形成带状离子束，所述带状离子束经提取孔口提取。在提取孔口旁边平移工件以使工件的不同部分暴露于带状离子束。当工件暴露于带状离子束时，改变与等离子室相关的至少一个参数。可变参数包含提取电压占空比、工件扫描速度和离子束的形状。在一些实施例中，工件整体暴露于带状离子束之后，当参数改变时，旋转工件并再次将其暴露于带状离子束。此序列可重复多次。
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公开(公告)号：CN105340052B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201480036223.1
申请日：2014-05-27
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/1477 , H01J37/3171
Abstract: 本发明提供一种静电扫描器、离子注入系统以及用于处理离子束的方法，该静电扫描器用以在离子注入机中扫描离子束。静电扫描器可以包含第一扫描板，第一扫描板具有面向离子束的第一内表面，第一内表面在垂直于离子束传播方向的第一平面中具有凹面形状；以及与第一扫描板相对的第二扫描板，第一扫描板与第二扫描板以间隙间隔开以容纳离子束，第二扫描板具有面向离子束的第二内表面并且在第一平面中具有凸面形状，第一扫描板以及第二扫描板经配置以在间隙中生成静电场，从而沿着垂直于离子束传播方向的水平方向来回扫描离子束。该静电扫描器可以减小由传统设备产生的离子束的垂直角展度。
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公开(公告)号：CN105765693A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201480064208.8
申请日：2014-10-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 肯尼士·H·波什 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 法兰克·辛克莱 , 罗伯特·C·林德柏格 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/3023 , H01J2237/0455 , H01J2237/30483
Abstract: 一种用于在离子植入器中进行双模式操作的系统可包含活动束挡块，其用以在第一方向上调整离子束的束宽度，所述第一方向垂直于所述离子束的第一局部行进方向。所述系统可还包含：扫描器，其用以当在第一状态中时在垂直于所述离子束的第二局部行进方向的第二方向上扫描所述离子束并且在第二状态中未受扰动地传输所述离子束；以及模式选择器，其用以向所述活动束挡块以及向所述扫描器发送一组信号以便一致调整所述离子束的宽度和所述扫描器的状态。
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公开(公告)号：CN103975450A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201280059584.9
申请日：2012-10-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 约翰·W·葛拉夫 , 班杰明·B·里欧登 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L21/266
CPC classification number: H01L31/0682 , H01J2237/31711 , H01L21/266 , H01L31/022441 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明揭示一种指叉式背接触太阳能电池及其制造指叉式背接触太阳能电池的改良方法。第一光罩是用n型掺杂物的图案化离子植入以完成背面场。第二光罩是用以在同一平面上产生p型发射体。第二光罩用以与n型植入对齐，并于多个取向以产生所需的p型发射体。在一些实施例中，进行p型参杂物全面性离子布植。在一些实施例中，产生掺杂梯度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101410930B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200780010722.3
申请日：2007-03-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 拉塞尔·罗 , 皮尔·R·卢比克 , D·杰弗里·里斯查尔 , 史蒂夫·E·克劳斯 , 艾立克·D·赫尔曼森 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01J37/16 , H01J37/317 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/16 , H01J37/3171 , H01J2237/026 , H01J2237/038
Abstract: 离子注入机(100)包括经组态以提供离子束(152)的离子源(102)、界定空腔(110)的终端结构(104)，所述离子源至少部分地安置于空腔内，以及包括绝缘系统(162，171)。所述绝缘系统经组态以电绝缘终端结构且经组态以在接近终端结构的至少一个外表面的区域中提供大于约72千伏/英寸的有效介电强度(dielectric strength)。本发明亦提供用来电绝缘离子注入机的气体盒(106)的气体盒绝缘系统。
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公开(公告)号：CN101076875B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200580033847.9
申请日：2005-10-07
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 张升吾 , 安东尼勒·可雀帝 , 约瑟·P·迪宰桔雷斯契 , 葛列格里·R·吉本雷洛 , 罗扎里欧·马雷卡 , 葛桔·A·洛里斯 , 约瑟·C·欧尔森 , 马黎耶·J·威尔旭
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/24542 , H01J2237/30461 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明揭露一种用来调校离子植入装置系统的离子束调校方法、系统以及程序产品。本发明通过例如横过植入室内的成形器扫描该离子束获得该离子束轮廓；并基于该离子束轮廓调校该离子植入装置系统使估计的植入电流最大化以同时使总离子束电流与离子束点宽最优化，从而使植入电流最大化。另外，调校也可基于该点束中心回馈将该离子束放置在其最佳路径上，这在每一离子束的很多设定过程中减少了离子束设定时间并提供可重复的束角性能，因而改善了离子植入装置系统的生产效率与性能。
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公开(公告)号：CN107075662B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201580055294.0
申请日：2015-10-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明公开一种用于处理工件的系统和方法。用等离子室形成带状离子束，所述带状离子束经提取孔口提取。在提取孔口旁边平移工件以使工件的不同部分暴露于带状离子束。当工件暴露于带状离子束时，改变与等离子室相关的至少一个参数。可变参数包含提取电压占空比、工件扫描速度和离子束的形状。在一些实施例中，工件整体暴露于带状离子束之后，当参数改变时，旋转工件并再次将其暴露于带状离子束。此序列可重复多次。
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公开(公告)号：CN105264634B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201480032406.6
申请日：2014-05-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 斯坦尼斯拉夫·S·托多罗夫 , 乔治·M·葛梅尔 , 理查·艾伦·斯普林克 , 诺曼·E·赫西 , 法兰克·辛克莱 , 常胜武 , 约瑟·C·欧尔森 , 大卫·罗杰·汀布莱克 , 库尔·T·岱可-路克
IPC: H01J37/304 , H01J37/317
CPC classification number: C23C14/54 , C23C14/48 , G21K5/00 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/24535 , H01J2237/24542 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明公开一种离子植入机与控制离子植入机中的离子束的系统，包括检测器以沿着垂直于离子束的传播方向的第一方向，进行所述离子束的多个束电流量测。所述系统也包括分析组件与调整组件。所述分析组件用以基于所述多个束电流量测来判定束电流轮廓，所述束电流轮廓包括沿着所述第一方向的束电流的变化。当束电流轮廓指示束高度低于阀时，所述调整组件沿着所述第一方向调整所述离子束的高度。
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公开(公告)号：CN105340052A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201480036223.1
申请日：2014-05-27
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/1477 , H01J37/3171
Abstract: 一种用以在离子注入机中扫描离子束的静电扫描器。静电扫描器可以包含第一扫描板，第一扫描板具有面向离子束的第一内表面，第一内表面在垂直于离子束传播方向的第一平面中具有凹面形状；以及与第一扫描板相对的第二扫描板，第一扫描板与第二扫描板以间隙间隔开以容纳离子束，第二扫描板具有面向离子束的第二内表面并且在第一平面中具有凸面形状，第一扫描板以及第二扫描板经配置以在间隙中生成静电场，从而沿着垂直于离子束传播方向的水平方向来回扫描离子束。
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