公开(公告)号：CN102150239B

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN200980135989.4

申请日：2009-08-24

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 科斯特尔·拜洛 ,  艾力克斯恩德·S·培尔 ,  杰·T·舒尔

IPC: H01L21/265 ,  H05H1/34

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J27/18 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0817 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/67005

Abstract: 一种利用一个或多个螺旋等离子源以产生高密度宽带离子束的离子源。除了螺旋等离子源之外，离子源还包括一扩散室。扩散室具有一与螺旋等离子源的介电圆柱体的轴向同方向配置的提取孔径。在一实施例中，双螺旋等离子源位于扩散室的相对两端，用以产生一更均匀地被提取的离子束。在另一实施例中，一个多尖端的磁场用以进一步改善被提取的离子束的均匀性。

公开(公告)号：CN102150239A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200980135989.4

申请日：2009-08-24

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 科斯特尔·拜洛 ,  艾力克斯恩德·S·培尔 ,  杰·T·舒尔

IPC: H01L21/265 ,  H05H1/34

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J27/18 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0817 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/67005

Abstract: 一种利用一个或多个螺旋等离子源以产生高密度宽带离子束的离子源。除了螺旋等离子源之外，离子源还包括一扩散室。扩散室具有一与螺旋等离子源的介电圆柱体的轴向同方向配置的提取孔径。在一实施例中，双螺旋等离子源位于扩散室的相对两端，用以产生一更均匀地被提取的离子束。在另一实施例中，一个多尖端的磁场用以进一步改善被提取的离子束的均匀性。

公开(公告)号：CN101939823B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200980104352.9

申请日：2009-02-11

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 奎格·R·钱尼 ,  阿多夫·R·多利 ,  克里斯多夫·R·汉特曼 ,  艾力克斯恩德·S·培尔

IPC: H01L21/265

CPC classification number: C23C14/48 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2658

Abstract: 为了植入含碳种类，在离子室中离子化含碳气体。这些气体的离子化通常会产生许多离子化种类。然而，许多这些所产生的离子化种类对于想要的植入无益，因为他们仅包含非碳原子。在进行植入之前必须消除这些种类，而仅留下基于碳的种类。然而，想要的种类的电流可能很低，因此需藉由额外的能量或时间才能将想要的剂量的碳植入基底。此可藉由使用第二气体来改善。此第二气体用来稀释将于离子室中离子化的主要的含碳气体。藉由结合此稀释气体，更多的所产生的离子化种类对于碳植入有利。

公开(公告)号：CN102449739A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080024190.0

申请日：2010-04-01

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 科斯特尔·拜洛 ,  杰·T·舒尔 ,  艾力克斯恩德·S·培尔

IPC: H01L21/265 ,  H05H1/24 ,  H05H1/34

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/065 ,  H01J2237/0815 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/206 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种离子源，其能够使用一或多个等离子源产生高密度宽带离子束。除了所述等离子源，所述离子源亦包含扩散腔。所述扩散腔具有沿与所述等离子源的介电圆柱体相同的轴定向的提取孔径。在一实施例中，位于所述扩散腔的相对末端上的双等离子源用于形成更均一的提取离子束。在又一实施例中，多尖峰磁场用于进一步改良提取离子束的均一性。

公开(公告)号：CN101939823A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200980104352.9

申请日：2009-02-11

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 奎格·R·钱尼 ,  阿多夫·R·多利 ,  克里斯多夫·R·汉特曼 ,  艾力克斯恩德·S·培尔

IPC: H01L21/265

CPC classification number: C23C14/48 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2658

Abstract: 为了植入含碳种类，在离子室中离子化含碳气体。这些气体的离子化通常会产生许多离子化种类。然而，许多这些所产生的离子化种类对于想要的植入无益，因为他们仅包含非碳原子。在进行植入之前必须消除这些种类，而仅留下基于碳的种类。然而，想要的种类的电流可能很低，因此需藉由额外的能量或时间才能将想要的剂量的碳植入基底。此可藉由使用第二气体来改善。此第二气体用来稀释将于离子室中离子化的主要的含碳气体。藉由结合此稀释气体，更多的所产生的离子化种类对于碳植入有利。

公开(公告)号：CN102449739B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201080024190.0

申请日：2010-04-01

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 科斯特尔·拜洛 ,  杰·T·舒尔 ,  艾力克斯恩德·S·培尔

IPC: H01L21/265 ,  H05H1/24 ,  H05H1/34

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/065 ,  H01J2237/0815 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/206 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种离子源，其能够使用一或多个等离子源产生高密度宽带离子束。除了所述等离子源，所述离子源亦包含扩散腔。所述扩散腔具有沿与所述等离子源的介电圆柱体相同的轴定向的提取孔径。在一实施例中，位于所述扩散腔的相对末端上的双等离子源用于形成更均一的提取离子束。在又一实施例中，多尖峰磁场用于进一步改良提取离子束的均一性。

公开(公告)号：CN102484028A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080027722.6

申请日：2010-06-22

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 威尔汉·P·普拉托 ,  奈尔·J·巴森 ,  彼得·F·库鲁尼西 ,  艾力克斯恩德·S·培尔 ,  奎格·R·钱尼

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/08 ,  H01J49/10 ,  H01J27/02 ,  H01J9/38

CPC classification number: H01J49/10 ,  H01J27/02 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2209/017 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/05 ,  H01J2237/30466

Abstract: 在离子植入机中，利用法拉第杯来接收在离子源清净期间产生的离子束。所侦测的束具有指示离子源清净过程何时完成的相关联的质谱。所述质谱产生由清净剂及包括所述离子源的材料组成的信号。此信号在所述离子源腔室正被清净时随时间而升高，且一旦沉积物被自所述源腔室蚀刻掉，此信号便将变平并保持恒定，藉此利用现有植入工具来在离子源清净期间判定终点侦测。

公开(公告)号：CN101589449B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200880002948.3

申请日：2008-01-08

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 艾力克斯恩德·S·培尔 ,  奎格·R·钱尼

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01J27/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/08 ,  H01J37/32412 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/082 ,  H01L21/265

Abstract: 揭示一种具有气体稀释的离子源(202a)的改善效能并延长生命期的技术。在一特定例示性实施例中，此技术可被实现为一种具有气体稀释的离子注入机中的离子源的改善效能并延长生命期的方法。此方法可包含：将预定量的掺杂气体释放至离子源腔室(206)中，及将预定量的稀释气体释放至离子源腔室中。所述掺杂气体为含卤素气体。稀释气体可包含用于稀释掺杂气体以改善离子源的效能并延长其生命期的含氙气体与含氢气体的混合物。

公开(公告)号：CN101341570A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200680047763.5

申请日：2006-12-13

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼得·F·库鲁尼西 ,  拉塞尔·罗 ,  艾力克斯恩德·S·培尔 ,  艾利克·R·科步 ,  伊桑·亚当·莱特

IPC: H01J37/02 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明是有关于一种用于提供感应耦合射频电浆浸没枪的技术。在一个特定例示性实施例中，可将所述技术实现为离子植入系统中的电浆浸没枪。所述电浆浸没枪可包含：具有一或多个孔径的电浆腔室；能够将至少一气态物质供应至所述电浆腔室的气体源；以及能够将射频电功率感应耦合至所述电浆腔室中以激发所述至少一气态物质从而产生电浆的电源。所述电浆腔室的整个内表面可不含金属材料，且所述电浆不可暴露至电浆腔室内的任何含金属组件。另外，所述一或多个孔径可足够宽以用于来自所述电浆的带电粒子的至少一部分流过。

公开(公告)号：CN111448638B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN201880079272.1

申请日：2018-10-24

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 艾力克斯恩德·S·培尔 ,  大卫·P·斯波德莱 ,  亚当·M·麦劳克林 ,  奎格·R·钱尼 ,  奈尔·J·巴森

IPC: H01J37/08 ,  H01J27/18

Abstract: 公开一种可动态地调整面板温度的离子源及其设备。本发明公开一种用于使离子源的面板的温度变化的系统及方法。所述面板是通过多个紧固件而被抵靠离子源的腔室壁进行固持。这些紧固件可包括拉伸弹簧或压缩弹簧。通过改变拉伸弹簧或压缩弹簧在承受载荷时的长度，可增大弹簧的弹簧力。弹簧力的此种增大会增大面板与腔室壁之间的压缩力，从而形成改善的导热性。在某些实施例中，通过电子长度调整器来调节弹簧的长度。此电子长度调整器与控制器进行通信，所述控制器输出指示弹簧的所需长度的电信号。本发明公开用于调整弹簧的长度的各种机构。