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公开(公告)号：CN109417005A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780038355.1
申请日：2017-05-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明公开一种具有若干新颖特征以防止蒸汽冷凝及喷嘴堵塞的汽化器。所述汽化器被设计成使得当蒸汽从坩埚流到电弧室时，温度沿着蒸汽所行进的路径而升高。所述汽化器使用将坩埚安装在外壳体内的嵌套架构。离开所述坩埚的蒸汽穿过开孔逸出，并沿着坩埚与外壳体之间的空间行进至喷嘴，蒸汽在所述喷嘴处流到电弧室。在某些实施例中，坩埚中的开孔设置在使坩埚中的液体无法到达开孔的位置处。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105340049B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201480037223.3
申请日：2014-05-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/08 , H01J27/02 , H01L21/425
CPC classification number: C23F4/00 , H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/3053 , H01J2237/022 , H01J2237/3341
Abstract: 本发明提供一种离子源及其操作方法。所述离子源包括离子源腔室、配置在离子源腔室中且经设置以发射电子以产生电弧等离子体的阴极、以及经设置以将电子驱除回到电弧等离子体中的斥拒极。离子源腔室及阴极可包括耐火金属。离子源腔室还包括经设置以提供卤素物种至离子源腔室的气体源。在第一组操作条件下，反应性插件与卤素物种互相起作用以在离子源腔室中得到耐火金属的第一蚀刻速率，当离子源腔室中不配置有反应性插件时，在第一组操作条件下，离子源腔室中的耐火金属的第二蚀刻速率大于第一蚀刻速率。该方案除了减少离子源表面的金属蚀刻外，使用硅做为反应性插件的实施例的优点包括没有额外的金属物种从硅插件被引入至电弧等离子体中。
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公开(公告)号：CN109417005B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201780038355.1
申请日：2017-05-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明公开一种具有若干新颖特征以防止蒸汽冷凝及喷嘴堵塞的汽化器。所述汽化器被设计成使得当蒸汽从坩埚流到电弧室时，温度沿着蒸汽所行进的路径而升高。所述汽化器使用将坩埚安装在外壳体内的嵌套架构。离开所述坩埚的蒸汽穿过开孔逸出，并沿着坩埚与外壳体之间的空间行进至喷嘴，蒸汽在所述喷嘴处流到电弧室。在某些实施例中，坩埚中的开孔设置在使坩埚中的液体无法到达开孔的位置处。
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公开(公告)号：CN105340049A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201480037223.3
申请日：2014-05-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/08 , H01J27/02 , H01L21/425
CPC classification number: C23F4/00 , H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/3053 , H01J2237/022 , H01J2237/3341
Abstract: 一种离子源，包括离子源腔室、配置在离子源腔室中且经设置以发射电子以产生电弧电浆的阴极、以及经设置以将电子驱除回到电弧电浆中的斥拒极。离子源腔室及阴极可包括耐火金属。离子源腔室还包括经设置以提供卤素物种至离子源腔室的气体源。在第一组操作条件下，反应性插件与卤素物种互相起作用以在离子源腔室中得到耐火金属的第一蚀刻速率，当离子源腔室中不配置有反应性插件时，在第一组操作条件下，离子源腔室中的耐火金属的第二蚀刻速率大于第一蚀刻速率。
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公开(公告)号：CN111448638B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201880079272.1
申请日：2018-10-24
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 艾力克斯恩德·S·培尔 , 大卫·P·斯波德莱 , 亚当·M·麦劳克林 , 奎格·R·钱尼 , 奈尔·J·巴森
Abstract: 公开一种可动态地调整面板温度的离子源及其设备。本发明公开一种用于使离子源的面板的温度变化的系统及方法。所述面板是通过多个紧固件而被抵靠离子源的腔室壁进行固持。这些紧固件可包括拉伸弹簧或压缩弹簧。通过改变拉伸弹簧或压缩弹簧在承受载荷时的长度，可增大弹簧的弹簧力。弹簧力的此种增大会增大面板与腔室壁之间的压缩力，从而形成改善的导热性。在某些实施例中，通过电子长度调整器来调节弹簧的长度。此电子长度调整器与控制器进行通信，所述控制器输出指示弹簧的所需长度的电信号。本发明公开用于调整弹簧的长度的各种机构。
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公开(公告)号：CN111448638A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201880079272.1
申请日：2018-10-24
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 艾力克斯恩德·S·培尔 , 大卫·P·斯波德莱 , 亚当·M·麦劳克林 , 奎格·R·钱尼 , 奈尔·J·巴森
Abstract: 本发明公开一种用于使离子源的面板的温度变化的系统及方法。所述面板是通过多个紧固件而被抵靠离子源的腔室壁进行固持。这些紧固件可包括拉伸弹簧或压缩弹簧。通过改变拉伸弹簧或压缩弹簧在承受载荷时的长度，可增大弹簧的弹簧力。弹簧力的此种增大会增大面板与腔室壁之间的压缩力，从而形成改善的导热性。在某些实施例中，通过电子长度调整器来调节弹簧的长度。此电子长度调整器与控制器进行通信，所述控制器输出指示弹簧的所需长度的电信号。本发明公开用于调整弹簧的长度的各种机构。
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