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公开(公告)号：CN107636196B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201680027712.X
申请日：2016-05-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 亚历山大·利坎斯奇 , 威廉·戴维斯·李 , 史费特那·B·瑞都凡诺
Abstract: 一种处理装置，可包括：提取组件，至少包括第一提取孔隙与第二提取孔隙，提取组件经设置以自等离子体至少提取第一离子束与第二离子束；靶材组件，设置为邻近提取组件且至少包括第一靶材部分(包括第一材料)与第二靶材部分(包括第二材料)，第一靶材部分与第二靶材部分经配置以分别截取第一离子束与第二离子束；以及基板平台，配置为邻近靶材组件且经设置以在第一点与第二点之间沿着扫描轴扫描基板，其中第一靶材部分与第二靶材部分分别自第一点分离第一距离与第二距离，且第一距离小于第二距离。本发明的处理装置可在一次基板扫描中于基板上沉积多个膜层，且可邻近等离子体室来提供基板。
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公开(公告)号：CN107408487A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680015153.0
申请日：2016-03-16
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 亚历山大·利坎斯奇 , 史费特那·B·瑞都凡诺 , 威廉·戴维斯·李
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32697
Abstract: 本发明公开了一种用于形成植入到衬底中用的倾角离子束的设备。所述设备包含形成等离子体的等离子体室。提取孔口包含多个可旋转板。通过由多个可旋转板限定的孔口提取离子细束。这些板的旋转程度决定了提取离子束的提取角。这些板可以形成为多种不同的形状，这样可以增大可实现的最大提取角。另外，电极可以安置在板附近以影响提取角。
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公开(公告)号：CN111108580B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201880055977.X
申请日：2018-08-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 一种用于离子植入的装置、系统及方法，所述用于离子植入的装置可包括：电极系统，所述电极系统包括多个电极以将离子束从进入开孔导向到出射开孔；以及电压电源，用以对所述电极系统施加多个电压。所述电极系统可包括出射电极总成，其中所述出射电极总成包括第一出射电极及第二出射电极，所述第二出射电极通过电极间隙与所述第一出射电极分隔开。所述第一出射电极及所述第二出射电极能够相对于彼此移动，以在间隙范围内改变所述电极间隙的大小。
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公开(公告)号：CN111108580A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201880055977.X
申请日：2018-08-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 一种装置可包括：电极系统，所述电极系统包括多个电极以将离子束从进入开孔导向到出射开孔；以及电压电源，用以对所述电极系统施加多个电压。所述电极系统可包括出射电极总成，其中所述出射电极总成包括第一出射电极及第二出射电极，所述第二出射电极通过电极间隙与所述第一出射电极分隔开。所述第一出射电极及所述第二出射电极能够相对于彼此移动，以在间隙范围内改变所述电极间隙的大小。
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公开(公告)号：CN109417012A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780024188.5
申请日：2017-04-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 科斯特尔·拜洛 , 皮尔·卢比克 , 泰勒·洛克威尔 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 维克拉姆·辛 , 凯文·M·丹尼尔斯 , 理查德·J·赫尔特 , 彼得·F·库鲁尼西 , 亚历山大·利坎斯奇
IPC: H01J37/32 , H01J37/317
Abstract: 一种处理设备可以包含：等离子体腔室，以容纳等离子体并且具有包括电绝缘体的主体部分；提取板，沿着等离子体腔室的提取侧安置，所述提取板是导电的并且具有提取孔隙；衬底平台，安置在等离子体腔室的外部并且邻近提取孔隙，所述衬底平台处在接地电势；以及射频发生器，电耦合到所述提取板，当等离子体存在于等离子体腔室中时所述射频发生器相对于接地电势在提取板处建立正直流自身偏置电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111742389B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201980013814.X
申请日：2019-01-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 常胜武 , 法兰克·辛克莱 , 亚历山大·利坎斯奇 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 罗伯特·C·林德柏格 , 艾立克·D·赫尔曼森
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
Abstract: 本文提供减少离子植入机中粒子的方法，具体而言，提供一种用于向晶片递送离子束的静电过滤器及离子植入系统。静电过滤器可包括壳体及位于壳体内的多个导电束光学器件。导电束光学器件围绕朝晶片引导的离子束线排列，且可包括靠近壳体的入口孔的入口孔电极。导电束光学器件还可包括沿着离子束线位于入口孔电极的下游的高能电极以及位于高能电极的下游的接地电极。高能电极被定位成比入口电极及接地电极更远离离子束线，从而使得高能电极在物理上被阻挡以免受从晶片返回的背溅射材料的包络撞击。静电过滤器还可包括用于独立地向导电束
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公开(公告)号：CN112185785A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011058388.2
申请日：2016-06-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01L21/67
Abstract: 本文提供离子植入系统以及去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法。所述离子植入系统，包括：离子源，被配置为形成离子束；射束线构件；以及气体源，被配置为向所述射束线构件供应气体，其中所述气体源被配置成通过沉积物与所述气体的反应来刻蚀沉积在所述射束线构件的表面上的所述沉积物。所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法，所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法包括：在对所述射束线构件进行离子轰击期间通过离子束向与所述射束线构件相关联的一或多个区域供应所述气体，其中所述离子轰击加热所述射束线构件的表面，以辅助所述气体与所述射束线构件的所述表面上的所述沉积物之间的化学反应。
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公开(公告)号：CN111742388A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201980013322.0
申请日：2019-01-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 常胜武 , 法兰克·辛克莱 , 亚历山大·利坎斯奇 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 罗伯特·C·林德柏格
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
Abstract: 本文提供减少离子植入机中粒子的方法。静电过滤器可包括壳体及位于壳体内的多个导电束光学器件。导电束光学器件围绕朝晶片引导的离子束线排列，且可包括靠近壳体的入口孔的入口孔电极。导电束光学器件还可包括沿着离子束线位于入口孔电极的下游的高能电极以及位于高能电极的下游的接地电极。高能电极被定位成比入口电极及接地电极更远离离子束线，从而使得高能电极在物理上被阻挡以免受从晶片返回的背溅射材料的包络撞击。静电过滤器还可包括用于独立地向导电束光学器件中的每一者递送电压及电流的电气系统。
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公开(公告)号：CN107690689A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201680033326.1
申请日：2016-06-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/32 , B08B7/00
Abstract: 本文中所提供为用于离子植入系统的一或多个构件的原位等离子清洗的方法。在一个方法中，所述构件可包含具有一或多个传导性射束光学器件的射束线构件。系统更包含电力供应器，其用于在处理模式期间将第一电压和第一电流供应到构件且在清洗模式期间将第二电压和第二电流供应到构件。第二电压和电流可并联地施加到构件的传导性射束光学器件以选择性地(例如，个别地)在一或多个传导性射束光学器件中的一或多者周围产生等离子。系统可更包含用于调整供应到构件的蚀刻剂气体的注入速率的流量控制器，和用于调整构件的环境的压力的真空泵。
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公开(公告)号：CN112185785B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202011058388.2
申请日：2016-06-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01L21/67
Abstract: 本文提供离子植入系统以及去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法。所述离子植入系统，包括：离子源，被配置为形成离子束；射束线构件；以及气体源，被配置为向所述射束线构件供应气体，其中所述气体源被配置成通过沉积物与所述气体的反应来刻蚀沉积在所述射束线构件的表面上的所述沉积物。所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法，所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法包括：在对所述射束线构件进行离子轰击期间通过离子束向与所述射束线构件相关联的一或多个区域供应所述气体，其中所述离子轰击加热所述射束线构件的表面，以辅助所述气体与所述射束线构件的所述表面上的所述沉积物之间的化学反应。
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