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公开(公告)号：CN102449739B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201080024190.0
申请日：2010-04-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 科斯特尔·拜洛 , 杰·T·舒尔 , 艾力克斯恩德·S·培尔
IPC: H01L21/265 , H05H1/24 , H05H1/34
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/061 , H01J2237/065 , H01J2237/0815 , H01L31/0288 , H01L31/1804 , H01L31/206 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种离子源，其能够使用一或多个等离子源产生高密度宽带离子束。除了所述等离子源，所述离子源亦包含扩散腔。所述扩散腔具有沿与所述等离子源的介电圆柱体相同的轴定向的提取孔径。在一实施例中，位于所述扩散腔的相对末端上的双等离子源用于形成更均一的提取离子束。在又一实施例中，多尖峰磁场用于进一步改良提取离子束的均一性。
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公开(公告)号：CN108604523B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201780008729.5
申请日：2017-01-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/248 , H01J37/317
Abstract: 一种离子束装置中污染控制的装置、系统和方法。所述装置可包含产生离子束的离子源，所述离子源耦合到第一电压。装置可进一步包含：停止元件，其安置于离子源与衬底位置之间；停止电压供应器，其耦合到停止元件；以及控制组件，其用于引导停止电压供应器以将停止电压施加到停止元件，当离子束包括正离子时，停止电压等于第一电压或比第一电压更加偏正，且当离子束包括负离子时，停止电压等于第一电压或比第一电压更加偏负，其中当将停止电压施加到停止元件时，离子束的至少一部分从初始轨迹向后经偏转为经偏转的离子。
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公开(公告)号：CN102449739A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080024190.0
申请日：2010-04-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 科斯特尔·拜洛 , 杰·T·舒尔 , 艾力克斯恩德·S·培尔
IPC: H01L21/265 , H05H1/24 , H05H1/34
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/061 , H01J2237/065 , H01J2237/0815 , H01L31/0288 , H01L31/1804 , H01L31/206 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种离子源，其能够使用一或多个等离子源产生高密度宽带离子束。除了所述等离子源，所述离子源亦包含扩散腔。所述扩散腔具有沿与所述等离子源的介电圆柱体相同的轴定向的提取孔径。在一实施例中，位于所述扩散腔的相对末端上的双等离子源用于形成更均一的提取离子束。在又一实施例中，多尖峰磁场用于进一步改良提取离子束的均一性。
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公开(公告)号：CN102257606A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200980151424.5
申请日：2009-12-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 约瑟·P·迪宰桔雷斯契 , 提摩太·J·米勒 , 杰·T·舒尔 , 克里斯多夫·J·里维特
IPC: H01L21/66 , H01L21/265
CPC classification number: G01T1/00
Abstract: 本发明提供了一种非法拉第离子剂量测量装置，此非法拉第离子剂量测量装置位于等离子处理室中以及包括位于室中的工件上面的感测器。感测器经配置为侦测从曝露于等离子植入制程的工件的表面发射出的次级电子的数量。此感测器输出与已侦测的次级电子的数量成比例的电流信号。电流电路将施加到室中的工件的偏压电流减去从感测器所生成的已侦测的次级电流。这些电流之间的差异提供了在离子植入制程期间，对在原位置所计算出的离子剂量电流进行测量。
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公开(公告)号：CN112185785B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202011058388.2
申请日：2016-06-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01L21/67
Abstract: 本文提供离子植入系统以及去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法。所述离子植入系统，包括：离子源，被配置为形成离子束；射束线构件；以及气体源，被配置为向所述射束线构件供应气体，其中所述气体源被配置成通过沉积物与所述气体的反应来刻蚀沉积在所述射束线构件的表面上的所述沉积物。所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法，所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法包括：在对所述射束线构件进行离子轰击期间通过离子束向与所述射束线构件相关联的一或多个区域供应所述气体，其中所述离子轰击加热所述射束线构件的表面，以辅助所述气体与所述射束线构件的所述表面上的所述沉积物之间的化学反应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107690689B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201680033326.1
申请日：2016-06-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/32 , B08B7/00
Abstract: 本文提供离子植入系统以及原位等离子清洗方法。在一个方法中，所述构件可包含具有一或多个传导性射束光学器件的射束线构件。系统更包含电力供应器，其用于在处理模式期间将第一电压和第一电流供应到构件且在清洗模式期间将第二电压和第二电流供应到构件。第二电压和电流可并联地施加到构件的传导性射束光学器件以选择性地(例如，个别地)在一或多个传导性射束光学器件中的一或多者周围产生等离子。系统可更包含用于调整供应到构件的蚀刻剂气体的注入速率的流量控制器，和用于调整构件的环境的压力的真空泵。
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公开(公告)号：CN108604523A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780008729.5
申请日：2017-01-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/248 , H01J37/317
Abstract: 一种装置可包含产生离子束的离子源，所述离子源耦合到第一电压。装置可进一步包含：停止元件，其安置于离子源与衬底位置之间；停止电压供应器，其耦合到停止元件；以及控制组件，其用于引导停止电压供应器以将停止电压施加到停止元件，当离子束包括正离子时，停止电压等于第一电压或比第一电压更加偏正，且当离子束包括负离子时，停止电压等于第一电压或比第一电压更加偏负，其中当将停止电压施加到停止元件时，离子束的至少一部分从初始轨迹向后经偏转为经偏转的离子。
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公开(公告)号：CN112185785A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011058388.2
申请日：2016-06-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01L21/67
Abstract: 本文提供离子植入系统以及去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法。所述离子植入系统，包括：离子源，被配置为形成离子束；射束线构件；以及气体源，被配置为向所述射束线构件供应气体，其中所述气体源被配置成通过沉积物与所述气体的反应来刻蚀沉积在所述射束线构件的表面上的所述沉积物。所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法，所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法包括：在对所述射束线构件进行离子轰击期间通过离子束向与所述射束线构件相关联的一或多个区域供应所述气体，其中所述离子轰击加热所述射束线构件的表面，以辅助所述气体与所述射束线构件的所述表面上的所述沉积物之间的化学反应。
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公开(公告)号：CN107690689A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201680033326.1
申请日：2016-06-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/32 , B08B7/00
Abstract: 本文中所提供为用于离子植入系统的一或多个构件的原位等离子清洗的方法。在一个方法中，所述构件可包含具有一或多个传导性射束光学器件的射束线构件。系统更包含电力供应器，其用于在处理模式期间将第一电压和第一电流供应到构件且在清洗模式期间将第二电压和第二电流供应到构件。第二电压和电流可并联地施加到构件的传导性射束光学器件以选择性地(例如，个别地)在一或多个传导性射束光学器件中的一或多者周围产生等离子。系统可更包含用于调整供应到构件的蚀刻剂气体的注入速率的流量控制器，和用于调整构件的环境的压力的真空泵。
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公开(公告)号：CN102150239B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200980135989.4
申请日：2009-08-24
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 科斯特尔·拜洛 , 艾力克斯恩德·S·培尔 , 杰·T·舒尔
IPC: H01L21/265 , H05H1/34
CPC classification number: H05H1/46 , H01J27/18 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/0817 , H01L21/26513 , H01L21/67005
Abstract: 一种利用一个或多个螺旋等离子源以产生高密度宽带离子束的离子源。除了螺旋等离子源之外，离子源还包括一扩散室。扩散室具有一与螺旋等离子源的介电圆柱体的轴向同方向配置的提取孔径。在一实施例中，双螺旋等离子源位于扩散室的相对两端，用以产生一更均匀地被提取的离子束。在另一实施例中，一个多尖端的磁场用以进一步改善被提取的离子束的均匀性。
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