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公开(公告)号：CN108475611B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201680074818.5
申请日：2016-11-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及一种用于增大反应离子与中性物质的比的方法。本发明的方法是在等离子体处理设备中增加反应离子与中性物质的比。示例性方法包含提供处理设备，处理设备具有包含第一气体入口的等离子体源腔室以及耦合到等离子体源腔室的沉积腔室，其中沉积腔室包含第二气体入口，用于将使用点气体输送到邻近设置在沉积腔室内的衬底的区域。示例性方法进一步包含产生用于输送到衬底的离子束，以及修改沉积腔室内接近衬底的区域中的压力，从而增加在离子束被输送到衬底时存在的用于冲击衬底的反应离子的量。
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公开(公告)号：CN108475611A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680074818.5
申请日：2016-11-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/455
CPC classification number: C23C14/54 , C23C14/221 , C23C14/48 , C23C16/045 , C23C16/345 , C23C16/45544 , C23C16/52 , H01J37/32422 , H01L21/0217 , H01L21/02274
Abstract: 本发明的方法是在等离子体处理设备中增加反应离子与中性物质的比。示例性方法包含提供处理设备，处理设备具有包含第一气体入口的等离子体源腔室以及耦合到等离子体源腔室的沉积腔室，其中沉积腔室包含第二气体入口，用于将使用点气体输送到邻近设置在沉积腔室内的衬底的区域。示例性方法进一步包含产生用于输送到衬底的离子束，以及修改沉积腔室内接近衬底的区域中的压力，从而增加在离子束被输送到衬底时存在的用于冲击衬底的反应离子的量。
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公开(公告)号：CN108369924A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680071850.8
申请日：2016-11-30
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/265 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02274 , C23C16/045 , C23C16/402 , C23C16/513 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/31116 , H01L21/76224 , H01L21/76831
Abstract: 本发明提供一种方法，包含：在等离子室中产生等离子体；相对于衬底的平面的垂线以非零入射角将包括冷凝物质和惰性气体物质中的至少一个的离子从等离子体引导至衬底内的孔穴。所述方法可以进一步包含：使用冷凝物质于孔穴内沉积填充材料，沉积填充材料与引导离子同时发生，其中填充材料以第一速率累积在孔穴的下表面上，并且其中填充材料以小于第一速率的第二速率累积在孔穴的侧壁的上部部分上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107924838B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201680046221.X
申请日：2016-07-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 梁树荣 , 科斯特尔·拜洛 , 葛兰·F·R·吉尔克里斯特 , 维克拉姆·辛 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 理查德·赫尔特 , 艾立克斯恩德·刚特司 , 皮耶罗·斯佛拉佐 , 陈宗良
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/3213 , H01L21/02
Abstract: 一种处理衬底的装置、处理衬底的系统以及蚀刻衬底的方法。装置可包含：具有安置在处理腔室中的反应气体出口的反应气体源，反应气体出口将第一反应气体引导到衬底；耦合到处理腔室且包含提取板的等离子体腔室，提取板具有沿着第一方向延伸的提取孔隙、安置在处理腔室内以及可在面向反应气体源的第一位置与面向提取孔隙的第二位置之间沿着垂直于第一方向的第二方向移动；以及安置于反应气体出口与提取孔隙之间的气流限制器，气流限制器界定至少等离子体腔室与衬底平台之间的差动泵浦通道。本发明的处理衬底的装置提供较高产出率工艺的能力。
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公开(公告)号：CN107429408B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201680015261.8
申请日：2016-03-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 揭示一种用于以可控制方式从衬底移除金属的系统和方法。系统包含腔室，所述腔室具有允许气体流动到腔室中的一个或多个气体入口、至少一个排气泵，所述至少一个排气泵将气体从腔室排出，以及加热器，所述加热器能够调节腔室温度。在一些实施例中，在第一温度下将一种或多种气体引入到腔室中。这些气体中的原子与衬底表面上的金属起化学反应以形成可移除的化合物。随后将气体从腔室排出，在衬底表面上留下可移除的化合物。接着将腔室的温度升高到高于可移除的化合物的升华温度的第二温度。此升高的温度使可移除的化合物变为气态并从腔室中排出。
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公开(公告)号：CN107924838A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680046221.X
申请日：2016-07-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 梁树荣 , 科斯特尔·拜洛 , 葛兰·F·R·吉尔克里斯特 , 维克拉姆·辛 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 理查德·赫尔特 , 艾立克斯恩德·刚特司 , 皮耶罗·斯佛拉佐 , 陈宗良
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/3213 , H01L21/02
CPC classification number: H05H1/24 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32834 , H01J2237/327 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 一种处理衬底的装置。装置可包含：具有安置在处理腔室中的反应气体出口的反应气体源，反应气体出口将第一反应气体引导到衬底；耦合到处理腔室且包含提取板的等离子体腔室，提取板具有沿着第一方向延伸的提取孔隙、安置在处理腔室内以及可在面向反应气体源的第一位置与面向提取孔隙的第二位置之间沿着垂直于第一方向的第二方向移动；以及安置于反应气体出口与提取孔隙之间的气流限制器，气流限制器界定至少等离子体腔室与衬底平台之间的差动泵浦通道。
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公开(公告)号：CN107429408A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680015261.8
申请日：2016-03-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 揭示一种用于以可控制方式从衬底移除金属的系统和方法。系统包含腔室，所述腔室具有允许气体流动到腔室中的一个或多个气体入口、至少一个排气泵，所述至少一个排气泵将气体从腔室排出，以及加热器，所述加热器能够调节腔室温度。在一些实施例中，在第一温度下将一种或多种气体引入到腔室中。这些气体中的原子与衬底表面上的金属起化学反应以形成可移除的化合物。随后将气体从腔室排出，在衬底表面上留下可移除的化合物。接着将腔室的温度升高到高于可移除的化合物的升华温度的第二温度。此升高的温度使可移除的化合物变为气态并从腔室中排出。
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公开(公告)号：CN108369924B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201680071850.8
申请日：2016-11-30
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/265 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种使用倾角离子束填充孔穴的设备和方法，所述方法包含：在等离子室中产生等离子体；相对于衬底的平面的垂线以非零入射角将包括冷凝物质和惰性气体物质中的至少一个的离子从等离子体引导至衬底内的孔穴。所述方法可以进一步包含：使用冷凝物质于孔穴内沉积填充材料，沉积填充材料与引导离子同时发生，其中填充材料以第一速率累积在孔穴的下表面上，并且其中填充材料以小于第一速率的第二速率累积在孔穴的侧壁的上部部分上。本发明提供优于用于填孔穴的已知技术的优点。另外，本发明提供避免空隙形成的更佳能力。
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