公开(公告)号：CN104603908A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380033131.3

申请日：2013-05-03

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 科斯特尔·拜洛 ,  奎格·钱尼 ,  奈尔·巴森 ,  班杰明·科伦贝亚努 ,  丹尼斯·P·罗迪尔

IPC: H01J27/08 ,  H01J37/08

CPC classification number: H01J27/20 ,  H01J7/24 ,  H01J37/02 ,  H01J37/08

Abstract: 在一实施例中，一种具有镓离子的离子束的产生方法，其包括在等离子体腔室中提供至少部分的镓化合物靶材，此镓化合物靶材包括镓以及至少一种额外元素。具有镓离子的离子束的产生方法还包括在等离子体腔室中，使用至少一种气态物种来启动等离子体及提供气态的蚀刻物种源，以与镓化合物靶材反应，从而形成挥发性镓物种。

公开(公告)号：CN104081492A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201380006416.8

申请日：2013-01-08

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 科斯特尔·拜洛 ,  奎格·钱尼

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3211 ,  H01J37/32174

Abstract: 本发明提供一种电浆制造装置及方法，其容许在E及H操作模式之间的切换，以及也增加RF电源对电浆的耦合效率。此装置可藉由对于特定功率输出约1.25-1.65的因子来增加电浆密度。由于其高效率，因而可同时减免其冷却天线的需求。使用增加对特定体积的总表面积的新式的天线几何形状，藉以利用与RF电流相关的表面效应。在一些实施例中，具有单一循环的天线减少邻近效应。天线亦可嵌入于亚铁盐材料，藉以更进一步增进其效能。

公开(公告)号：CN104603908B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380033131.3

申请日：2013-05-03

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 科斯特尔·拜洛 ,  奎格·钱尼 ,  奈尔·巴森 ,  班杰明·科伦贝亚努 ,  丹尼斯·P·罗迪尔

IPC: H01J27/08 ,  H01J37/08

CPC classification number: H01J27/20 ,  H01J7/24 ,  H01J37/02 ,  H01J37/08

Abstract: 本发明提供一种具有镓离子的离子束的产生方法及其装置。在一实施例中，一种具有镓离子的离子束的产生方法，其包括在等离子体腔室中提供至少部分的镓化合物靶材，此镓化合物靶材包括镓以及至少一种额外元素。具有镓离子的离子束的产生方法还包括在等离子体腔室中，使用至少一种气态物种来启动等离子体及提供气态的蚀刻物种源，以与镓化合物靶材反应，从而形成挥发性镓物种。

公开(公告)号：CN104081492B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201380006416.8

申请日：2013-01-08

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 科斯特尔·拜洛 ,  奎格·钱尼

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3211 ,  H01J37/32174

Abstract: 本发明提供一种电浆产生装置，其容许在E及H操作模式之间的切换，以及也增加RF电源对电浆的耦合效率。此装置可藉由对于特定功率输出约1.25-1.65的因子来增加电浆密度。由于其高效率，因而可同时减免其冷却天线的需求。使用增加对特定体积的总表面积的新式的天线几何形状，藉以利用与RF电流相关的表面效应。在一些实施例中，具有单一循环的天线减少邻近效应。天线亦可嵌入于亚铁盐材料，藉以更进一步增进其效能。