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公开(公告)号：CN112136200B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201980033100.5
申请日：2019-05-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 法兰克·辛克莱
IPC: H01J37/317 , H05H9/04 , H01J37/08
Abstract: 一种致密高能离子植入系统、生成高能离子射束的设备及方法。所述设备可包括离子源，所述离子源被布置成产生处于第一离子能量的离子射束。所述设备可进一步包括直流加速器柱，所述直流加速器柱设置在所述离子源下游且被布置成将所述离子射束加速到第二离子能量，所述第二离子能量大于所述第一离子能量。所述设备可包括线性加速器，所述线性加速器设置在所述直流加速器柱下游，所述线性加速器被布置成将所述离子射束加速到比所述第二离子能量大的第三离子能量。
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公开(公告)号：CN111819678B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN201980015219.X
申请日：2019-01-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/68
Abstract: 提供一种衬底总成、衬底支架总成及处理设备。所述衬底总成可包括外部晕圈，所述外部晕圈包含第一材料并界定第一孔隙。所述衬底总成也可包括晕环，所述晕环包含第二材料且至少部分地设置在所述第一孔隙内。所述晕环可界定同心地定位在所述第一孔隙内的第二孔隙，其中所述晕环耦合到所述外部晕圈以在其中容置衬底。
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公开(公告)号：CN112470228B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201980047800.X
申请日：2019-07-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 基斯·E·卡威尔
Abstract: 本发明公开一种脉冲干扰监测系统及离子植入机。脉冲干扰监测系统容许从一个或多个通道俘获电压及电流数据。另外，还可俘获在脉冲干扰之前出现的电压及电流数据以供进一步分析。数据量可为数千或数百万个字节。另外，可对脉冲干扰的包括上阈值、下阈值及持续时间在内的说明进行编程。这容许在需要时忽略电压或电流的虚假扰动。此外，在需要时，可在存储在存储器中之前对电压及电流数据进行滤波。此数据稍后可由主控制器重试并被分析，以确定脉冲干扰的潜在原因及潜在的补救动作。
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公开(公告)号：CN111433882B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201880077979.9
申请日：2018-10-24
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 摩根·D·艾文斯 , 小尼斯特·E·艾伦 , 泰勒·伯顿·洛克威尔 , 理查德·J·赫尔特 , 约瑟夫·菲德立克·索莫斯 , 克里斯多夫·R·坎贝尔
IPC: H01J37/317 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开一种用于在将粒子的产生减至最低程度的同时将离子植入到工件中的系统。具体而言，公开一种使用具有介电涂层的构件的工件加工系统。所述系统包括离子源，所述离子源具有抽取板，所述抽取板具有抽取开孔。所述抽取板被施加电偏压且还可涂布有介电材料。所述工件设置在台板上且由被施加电偏压的屏蔽件环绕。所述屏蔽件也可涂布有介电材料。在操作中，对所述屏蔽件及所述台板施加脉冲式直流电压，且在此脉冲期间从离子源吸引离子。由于使用了脉冲式电压，因此薄介电涂层的阻抗减小，从而使得所述系统能够恰当运行。
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公开(公告)号：CN111492455B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN201880080151.9
申请日：2018-12-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J27/02 , H01J37/08 , H01J37/305
Abstract: 一种控制离子束的装置与方法。所述装置可包括电极总成，所述电极总成包括被排列成多个电极对的多个电极，所述多个电极对被排列成通过其传导离子束。给定电极对沿描述标称中央射线轨迹的圆弧的半径放置，其中第一电极对的半径以及相邻电极对的半径界定角距。所述多个电极对可界定多个角距，其中在第一配置中，所述多个角距并非全部相等。所述装置还可包括与EM连通的电源供应器，所述电源供应器被配置成向所述多个电极独立地供应电压。
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公开(公告)号：CN108463872B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201780006590.0
申请日：2017-01-04
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265 , H01J37/317 , H01L21/425 , H01L21/67 , H01J37/30 , H01J27/02
Abstract: 一种离子植入机、半导体晶片的植入设备及方法。所述离子植入机可包括：静电夹，用以固持衬底；淹没式等离子体枪，产生撞击于所述衬底上的电子通量；以及控制器，耦合至所述淹没式等离子体枪，并包括响应于测量信号而产生控制信号的部件，所述控制信号用以将所述淹没式等离子体枪的操作调整至目标操作水平。在所述目标操作水平上，所述电子通量可包括电子稳定化浓度，所述电子稳定化浓度将所述静电夹中的夹电流变化减小至目标值，所述目标值小于当所述淹没式等离子体枪不操作时的所述夹电流变化的第二值。
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公开(公告)号：CN112135977B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201980033168.3
申请日：2019-04-29
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 丹尼尔·麦吉利卡迪 , 詹姆士·P·布诺德诺
Abstract: 本发明公开一种使用弹簧力来附接两个组件的紧固系统。具体而言，公开一种紧固系统及引出板总成。紧固系统利用O形环来提供弹簧力，因而不需要任何金属组件。O形环可设置在具有多个辐条的O形环保持器中。当受压缩时，辐条会对O形环形成压迫。辐条的数目以及其大小及形状决定紧固系统的弹簧力。在另一实施例中，利用垂直定向的O形环。紧固系统可用于紧固离子源的各种组件。
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公开(公告)号：CN108431943B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201680075687.2
申请日：2016-11-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/68
Abstract: 一种自阻尼末端执行器，包括：基座；指状件，自所述基座延伸且用以支撑衬底；以及阻尼器，与所述指状件相关联，所述阻尼器具有固有频率，所述固有频率处于所述指状件的固有频率的预定公差以内。
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公开(公告)号：CN113496861A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110191265.4
申请日：2021-02-20
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 法兰克·辛克莱
IPC: H01J37/317 , H01J37/30
Abstract: 本发明提供一种离子注入系统，包含：离子源；以及聚束器，从离子源接收连续离子束并输出聚束式离子束。聚束器可包含漂移管组件，漂移管组件具有交替顺序的接地漂移管和交流电漂移管。漂移管组件可包含：第一接地漂移管，布置成接收连续离子束；至少两个交流电漂移管，在第一接地漂移管的下游；第二接地漂移管，在至少两个交流电漂移管的下游。离子注入系统可包含交流电电压组件，交流电电压组件耦接到至少两个交流电漂移管且包括分别耦接到至少两个交流电漂移管的至少两个交流电电压源。离子注入系统可包含安置在聚束器下游的线性加速器，线性加速器包括多个加速工作台。
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公开(公告)号：CN112687505A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011561805.5
申请日：2017-05-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明公开一种具有改善的寿命的间接加热式阴极离子源及伯纳斯离子源。在某些实施例中，所述离子源是间接加热式阴极离子源，所述间接加热式阴极离子源包括腔室，所述腔室具有多个导电壁，所述间接加热式阴极离子源具有阴极，所述阴极电连接到所述离子源的壁。在所述离子源的一个或多个壁上设置有电极。电极中的至少一个被相对于腔室的壁施加偏压。在某些实施例中，被吸引到阴极的正离子较少，从而减少阴极经历的溅射量。有利的是，使用这种技术会改善阴极的寿命。在另一实施例中，离子源包括伯纳斯离子源，所述伯纳斯离子源包括具有细丝的腔室，所述细丝的一个引线连接到离子源的壁。
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