公开(公告)号：CN106206221B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201610203655.8

申请日：2016-04-01

Applicant: 住友重机械离子技术有限公司

Inventor： 佐藤正辉

IPC: H01J27/02 ,  H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/32669 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/3233 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3255 ,  H01J2237/3365

Abstract: 本发明提供一种提高装置寿命及等离子生成效率的等离子生成装置。等离子生成装置具备：电弧室(12)，内部具有生成等离子的等离子生成区域；磁场发生器(16)，向等离子生成区域施加磁场(B)；以及阴极(30)，在沿着施加到等离子生成区域的磁场(B)的施加方向的轴向上延伸，且在其前端设置有放出热电子的阴极罩。阴极罩具有朝向电弧室(12)的内部在轴向上突出，且随着朝向电弧室(12)的内部，与轴向正交的径向宽度变小的形状。

公开(公告)号：CN108431930A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201780005093.9

申请日：2017-01-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 卢多维克·戈代 ,  薛君 ,  桑基·纳姆

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3213 ,  H05H1/46 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32559 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065

Abstract: 本文中所述的实施方式涉及用于执行原子层蚀刻(ALE)的设备和方法。脉冲式等离子体产生和针对等离子体残光的后续偏压应用可提供改良的ALE特性。本文中所述的设备提供了从一或多个等离子体源产生等离子体和偏压等离子体残光以促进从基板移除材料。

公开(公告)号：CN104035276B

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201410178214.8

申请日：2007-08-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 艾杰伊·库玛 ,  马德哈唯·R·钱德拉养德 ,  理查德·莱温顿 ,  达里恩·比文斯 ,  阿米泰布·萨布哈维尔 ,  希巴·J·潘纳伊尔 ,  艾伦·希罗什·奥叶

IPC: G03F1/80 ,  C23F4/00

CPC classification number: C23F4/00 ,  G03F1/80 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32422

Abstract: 本发明提供种用于蚀刻光掩模的方法和装置。该装置包括在衬底支架上方具有护板的工艺腔室。该护板包含具有孔的板,以及该板具有两个区域,这两个区域具有彼此不同的至少种属性,诸如材料或电势偏压。该方法提供用于蚀刻具有经过护板的离子和中性物质分布的光掩模衬底。

公开(公告)号：CN105051871B

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201480017103.7

申请日：2014-03-26

Applicant: 芝浦机械电子株式会社

Inventor： 出村健介

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32715 ,  G03F1/60 ,  G03F7/427 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32486 ,  H01J37/32825 ,  H01L21/68757

Abstract: 本发明是一种放置台及等离子体处理装置，在放置通过还原性自由基来进行处理的被处理基板的放置台中，所述放置台包括：在俯视时被所述被处理基板所覆盖的放置面；及邻接于所述放置面的非放置面，所述非放置面的至少一部分的表面被不与还原性自由基发生还原反应的材料所覆盖。

公开(公告)号：CN107801289A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710769779.7

申请日：2017-08-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舆水地盐 ,  松土龙夫

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种对被加工物的离子能量的控制性优异的等离子体处理装置。一实施方式的等离子体处理装置包括：腔室主体；等离子体捕获机构；载置台；等离子体源；和电势调节部。腔室主体提供其内部空间作为腔室。等离子体捕获机构设置成将腔室分为第一空间和第二空间。载置台设置在第二空间。等离子体源构成为使供给到第一空间的气体激发。电势调节部具有电极。该电极设置在腔室主体的外侧，与在第一空间生成的等离子体电容耦合。电势调节部构成为调节在第一空间生成的等离子体的电势。

公开(公告)号：CN105580113B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201480053404.5

申请日：2014-09-05

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 詹姆士·P·布诺德诺

IPC: H01L21/265 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32357 ,  H01J37/32376 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568

Abstract: 一种用于处理衬底的系统以及处理衬底的方法。用于处理衬底的系统包含：等离子体腔室，用于在其中产生等离子体。所述系统还包含：处理腔室，用于容纳所述衬底，其中所述处理腔室邻近于所述等离子体腔室。所述系统还包含：可旋转引出电极，设置在所述等离子体腔室与所述衬底之间，其中所述可旋转引出电极经配置以从所述等离子体提取离子束，且还经配置以通过绕引出电极轴旋转来使所述离子束在所述衬底上方扫描，而不需要所述衬底的移动。

公开(公告)号：CN106663578A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580022901.3

申请日：2015-06-03

Applicant: 发仁首路先株式会社

Inventor： 黄允硕 ,  许闰成

IPC: H01J27/02

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/02 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32449

Abstract: 离子源包括磁场部、电极。磁场部的面向被处理物的一侧开放，另一侧被密封。磁场部的开放一侧有内侧磁极和外侧磁极被相离设置，密封另一侧用磁芯连接而在开放一侧形成等离子体电子的加速闭环。内侧磁极具有贯通其内部而向加速闭环方向供应气体的气体注入部。电极是在磁场部内的加速闭环下部与磁场部相离设置。

公开(公告)号：CN104465291B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201410482629.4

申请日：2014-09-19

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 斯拉瓦纳普利安·斯利拉曼 ,  亚历山大·帕特森

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32422

Abstract: 本发明涉及控制衬底的直流偏置及离子能量和角分布的方法及设备，具体而言，在通往偏置电极的射频(RF)功率传输路径内提供可变电容器，除阻抗匹配电路外，还有所述可变电容器也被提供在通往所述偏置电极的所述射频功率传输路径内。在脉冲模式中操作射频电源以通过所述射频功率传输路径发射射频功率脉冲到所述偏置电极。所述可变电容器的电容被设置用于在每个射频功率脉冲期间控制在所述偏置电极上方存在的衬底上形成直流偏置电压的速率。在所述衬底上形成所述直流偏置电压的速率控制暴露于从所述衬底发出的电磁场的等离子体内的离子能量分布和离子角分布。

公开(公告)号：CN106340471A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201510568466.6

申请日：2015-09-08

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 大桥直史 ,  中山雅则 ,  须田敦彦 ,  丰田一行 ,  松井俊

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823857 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L21/67138 ,  H01L21/76801 ,  H01L2221/1005

Abstract: 本发明涉及抑制半导体器件特性偏差的半导体器件制造方法、衬底处理系统及衬底处理装置。该方法具有：研磨衬底的工序，衬底在具有多个布线用槽的第一绝缘膜上形成有金属膜；在衬底上形成第二绝缘膜的工序；第二绝缘膜研磨工序；接收第二绝缘膜的衬底面内的膜厚分布数据的工序；基于膜厚分布数据计算处理数据的工序，所述处理数据通过调节形成于研磨后的第二绝缘膜上的第三绝缘膜的膜厚分布来修正由研磨后的第二绝缘膜和第三绝缘膜形成的层合绝缘膜的膜厚分布；和基于处理数据、以使得生成于衬底中心侧的处理气体的活性种浓度和生成于衬底外周侧的处理气体的活性种浓度不同的方式使处理气体活化并形成第三绝缘膜、修正层合绝缘膜膜厚分布的工序。

公开(公告)号：CN106103797A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201580011804.4

申请日：2015-03-02

Applicant: 路特斯应用技术有限责任公司 ,  凸版印刷有限公司

Inventor： 艾瑞克·R·迪基 ,  布莱恩·拉森·丹费斯 ,  M·科恩

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/513

CPC classification number: C23C16/405 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32559 ,  H01J37/3277

Abstract: 在基底上形成薄膜的系统使用等离子体来激活与反应空间连接的等离子体发生器内的至少一种气态前驱体。等离子体发生器有效的利用至少一对等离子体电极由至少一部分前驱体气体来产生等离子体，等离子体电极具有展示如下性质特点的非原生的导电吸附层：利用等离子体发生区域内的至少一种气体能够使吸附层基本保留并具有化学活性。