-
公开(公告)号：CN112352188A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201980042758.2
申请日：2019-06-27
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 摩根·艾文斯 , 鲁格·迈尔提摩曼提森 , 约瑟·欧尔森 , 彼得·F·库鲁尼西
IPC: G02B27/44
Abstract: 公开了光栅构件及形成方法。在一些实施例中，一种方法包括在衬底顶部提供蚀刻终止层；以及在所述蚀刻终止层顶部提供光栅层。所述方法还可包括在所述光栅层之上提供图案化掩模层；以及对所述光栅层及所述图案化掩模层进行蚀刻以在所述光栅层中形成光栅。所述光栅可包括多个成角构件，所述多个成角构件相对于所述衬底的平面的垂直线以非零倾斜角设置，并且其中所述蚀刻在所述多个成角构件之间的所述蚀刻终止层中形成过蚀刻区域。
-
公开(公告)号：CN112400132B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201980044880.3
申请日：2019-06-27
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 摩根·艾文斯 , 鲁格·迈尔提摩曼提森 , 约瑟·欧尔森 , 彼得·F·库鲁尼西
Abstract: 提供了光栅构件及形成方法。在一些实施例中，一种方法包括提供透光衬底以及在所述衬底上形成光栅层。所述方法包括在所述光栅层中形成光栅，其中所述光栅包括多个成角构件，所述多个成角构件相对于所述衬底的平面的垂直线以非零倾斜角设置。所述光栅的第一侧壁可具有第一角度，且所述光栅的第二侧壁具有不同于所述第一角度的第二角度。改变包括选择性及束角度扩展在内的工艺参数具有改变所述多个成角构件的形状或尺寸的效果。
-
公开(公告)号：CN115097559A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210862953.3
申请日：2019-01-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 摩根·艾文斯 , 鲁格·迈尔提摩曼提森 , 约瑟·欧尔森 , 彼得·F·库鲁尼西 , 罗伯特·马斯
IPC: G02B5/18
Abstract: 公开用于形成光学组件的系统及方法。更具体而言，公开产生成角光栅的系统及具可变光栅衍射光学元件形成方法。所述方法可包括在等离子体源与工件之间提供多个接近式掩模，所述工件包括多个与其固定的衬底。多个衬底中的每一者可包括第一目标区域以及第二目标区域。所述方法还可包括自所述等离子体源朝向所述工件递送成角离子束，其中然后在所述多个掩模中的一者处接收所述成角离子束。第一接近式掩模可包括第一组开口，所述第一组开口容许所述成角离子束由此穿过仅到达所述多个衬底中的每一者的所述第一目标区域。第二接近式掩模可包括第二组开口，所述第二组开口容许所述成角离子束由此穿过仅到达所述多个衬底中的每一者的所述第二目标区域。
-
公开(公告)号：CN109417012B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201780024188.5
申请日：2017-04-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 科斯特尔·拜洛 , 皮尔·卢比克 , 泰勒·洛克威尔 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 维克拉姆·辛 , 凯文·M·丹尼尔斯 , 理查德·J·赫尔特 , 彼得·F·库鲁尼西 , 亚历山大·利坎斯奇
IPC: H01J37/32 , H01J37/317
Abstract: 本发明的实施例提供一种处理设备及处理衬底的方法，所述处理设备可以包含：等离子体腔室，以容纳等离子体并且具有包括电绝缘体的主体部分；提取板，沿着等离子体腔室的提取侧安置，所述提取板是导电的并且具有提取孔隙；衬底平台，安置在等离子体腔室的外部并且邻近提取孔隙，所述衬底平台处在接地电势；以及射频发生器，电耦合到所述提取板，当等离子体存在于等离子体腔室中时所述射频发生器相对于接地电势在提取板处建立正直流自身偏置电压。
-
公开(公告)号：CN104662636B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380049448.6
申请日：2013-08-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/3002 , B08B7/0021 , H01J27/024 , H01J37/02 , H01J37/045 , H01J37/08 , H01J2237/022
Abstract: 本发明揭示一种离子源及一种清洗离子源的方法。此离子源包括离子源腔室、抑制电极以及接地电极。在处理模式中，离子源腔室可被施加以第一正电压，而抑制电极被施加以负电压，以便透过孔从离子源腔室内吸引正离子，且使之朝向工件。在清洗模式中，离子源腔室可接地，而抑制电极被具有高电流能力的电源供应器施加以偏压。施加在抑制电极上的电压在抑制电极与离子源腔室之间以及抑制电极与接地电极之间产生等离子体。本发明能够改善离子源的效能及延长其寿命。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105849869A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480071087.X
申请日：2014-11-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼得·F·库鲁尼西 , 具本雄 , 约翰·A·弗龙梯柔 , 威廉·T·理葳 , 克里斯多夫·J·里维特 , 提摩西·J·米勒 , 维克拉姆·M·博斯尔 , 约翰·W·奎夫 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼
IPC: H01L21/265
Abstract: 揭示一种处理工件的方法，其中首先用所要掺杂剂物质和另一物质来涂布离子室。在此调节过程之后，将原料气体引入到所述室中并使其离子化，所述原料气体包括氟和所要掺杂剂。接着从所述室提取离子并且使所述离子朝所述工件加速，其中所述离子未先经质量分析便植入。在调节过程期间使用的其他物质可为3族、4族或5族元素。所要掺杂剂物质可为硼。
-
公开(公告)号：CN105684130A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201480058775.2
申请日：2014-10-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 克里斯多夫·J·里维特 , 彼得·F·库鲁尼西
IPC: H01L21/265 , H01J37/317 , H01L21/302
CPC classification number: H01J27/022 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J37/32862 , H01J2237/022
Abstract: 揭示用于改进离子源的性能且延长其使用寿命的系统和方法。所述离子源包含离子源腔室、抑制电极和接地电极。在处理模式中，所述离子源腔室可被偏压到第一正电压，而所述抑制电极被偏压到负电压以经由孔径且朝向工件从所述腔室内吸引正离子。在清洗模式中，离子束散焦以使得其撞击所述抑制电极和所述接地电极。施加到所述离子源腔室和所述电极的电压被脉冲化以将这清洗模式期间的故障的可能性减到最小。
-
公开(公告)号：CN103975092A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201280060457.0
申请日：2012-11-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼得·F·库鲁尼西 , 克里斯多夫·J·里维特 , 丹尼尔·迪斯塔苏 , 提摩太·J·米勒
CPC classification number: H01J37/32146 , G21K1/14 , H01J37/026 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J2237/0044
Abstract: 一种处理系统(10)可包含：等离子体源(12)，其用于提供等离子体；以及工件固持器(28)，其经布置以接收来自所述等离子体的离子。所述处理系统可还包含脉冲偏压电路(42)，所述脉冲偏压电路电耦合到所述等离子体源且可操作以将供应到所述等离子体源的偏压电压在高电压状态与低电压状态之间切换，在所述高电压状态中，所述等离子体源相对于接地处于正偏压，且在所述低电压状态中，所述等离子体源相对于所述接地处于负偏压。
-
公开(公告)号：CN112335012B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN201980041813.6
申请日：2019-06-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 克里斯多夫·汉特曼 , 彼得·F·库鲁尼西 , 克里斯多福·A·罗兰德 , 约瑟·C·欧尔森 , 安东尼·雷诺
IPC: H01J37/317 , H01J37/08
Abstract: 本发明公开一种处理系统与离子植入及沉积材料及刻蚀及处理工件的方法，所述系统具有辅助等离子源，所述辅助等离子源靠近工件设置、与离子束一起使用。辅助等离子源用于产生离子及自由基，所述离子及自由基朝工件漂移且可形成膜。接着，离子束用于提供能量，使得所述离子及自由基可处理工件。此外，还公开所述系统的各种应用。举例来说，所述系统可用于包括沉积、植入、刻蚀、预处理及后处理在内的各种工艺。通过将辅助等离子源定位成接近工件，可执行先前不可能实现的工艺。此外，可在不从终端站取出工件的情况下执行两种不同的工艺，例如清洁与植入或植入与钝化。
-
公开(公告)号：CN112335012A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201980041813.6
申请日：2019-06-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 克里斯多夫·汉特曼 , 彼得·F·库鲁尼西 , 克里斯多福·A·罗兰德 , 约瑟·C·欧尔森 , 安东尼·雷诺
IPC: H01J37/317 , H01J37/08
Abstract: 本发明公开一种具有辅助等离子源的系统，所述辅助等离子源靠近工件设置、与离子束一起使用。辅助等离子源用于产生离子及自由基，所述离子及自由基朝工件漂移且可形成膜。接着，离子束用于提供能量，使得所述离子及自由基可处理工件。此外，还公开所述系统的各种应用。举例来说，所述系统可用于包括沉积、植入、刻蚀、预处理及后处理在内的各种工艺。通过将辅助等离子源定位成接近工件，可执行先前不可能实现的工艺。此外，可在不从终端站取出工件的情况下执行两种不同的工艺，例如清洁与植入或植入与钝化。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.023 seconds)
