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公开(公告)号：CN118786240A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202380024537.9
申请日：2023-01-27
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: C23C16/06 , C23C16/04 , C23C16/52 , C23C16/455 , C23C16/515
Abstract: 本发明提供一种包含用无氧钌前体进行选择性钌晶种层沉积、接着大量沉积含金属前体、如含钨、钼、钴、钌和/或铜前体的方法。所述钌晶种层沉积对于微电子装置衬底的导电部分具有高度选择性，同时最大限度地减少沉积至所述微电子装置衬底的绝缘表面上。在某些实施例中，所述衬底的所述导电部分选自氮化钛、氮化钨、氮化钽、钨、钴、钼、铝和铜。
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公开(公告)号：CN114174216A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080054603.3
申请日：2020-07-08
Applicant: 恩特格里斯公司
Abstract: 本发明提供一种制备钼和钨氧卤化物化合物的方法，所述氧卤化物化合物适用于将含有钼和钨的薄膜沉积于微电子装置的各个表面上。在本发明方法中，在固态介质中或在包含有包含碱金属盐和/或碱土金属盐的共晶掺合物的熔融相反应中加热三氧化钼或三氧化钨。由此形成的钼或钨氧卤化物可以蒸气形式分离且结晶以提供高纯性前驱物化合物，例如MoO2Cl2。
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公开(公告)号：CN111630204A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201980009112.4
申请日：2019-01-15
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: C23C16/18 , C23C16/32 , C23C16/08 , C23C16/02 , H01L21/285 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L27/11551 , H01L27/11524
Abstract: 本发明描述通过使用双(烷基芳烃)钼作为用于这类沉积的前体将钼材料沉积到衬底上的气相沉积方法，所述双(烷基芳烃)钼在本文中又称为(烷基芳烃)2Mo，例如双(乙基苯)钼((EtBz)2Mo)；以及含有所沉积材料的结构。
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公开(公告)号：CN111511960A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201880080478.6
申请日：2018-12-13
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: C23C16/448 , C23C16/44 , C23C14/22 , C23C14/48
Abstract: 本发明是针对一种汽化器或安瓿组合件，所述组合件具有改进的汽化器器皿主体和位于其中的支撑托盘组合件配置，它们一起增加了可汽化材料利用率和均匀性。
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公开(公告)号：CN109996803A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201780072431.0
申请日：2017-11-20
Applicant: 恩特格里斯公司
Abstract: 本发明涉及桥联不对称卤炔基六羰基二钴前驱物及其超高纯度形式、制造方法以及在气相沉积方法中使用这些桥联不对称卤炔基六羰基二钴前驱物的方法。本发明的一个方面涉及式Co2(CO)6(R3C≡CR4)的超高纯度桥联不对称卤炔基六羰基二钴前驱物，其中R3和R4为不同的有机部分并且R4比R3更具负电性或更具吸电子性。
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公开(公告)号：CN109023303A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811031909.8
申请日：2016-02-13
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455
CPC classification number: C23C28/044 , C23C14/243 , C23C14/50 , C23C16/042 , C23C16/403 , C23C16/404 , C23C16/405 , C23C16/4404 , C23C16/4412 , C23C16/45525 , C23C16/45555 , C23C16/56 , C23C28/042
Abstract: 本申请描述了一种衬底部分上的复合原子层沉积ALD涂层及一种在衬底部分上形成经图案化ALD涂层的方法。在各种应用中，所述衬底部分包含金属表面，所述金属表面易于在其上形成此金属的氧化物、氮化物、氟化物或氯化物，其中所述金属表面经配置以在使用中与气体、固体或液体接触，所述气体、固体或液体与所述金属表面进行反应以形成对所述衬底制品、结构、材料或设备有害的反应产物。所述金属表面涂覆有保护涂层，所述保护涂层防止所述经涂覆表面与所述反应性气体进行反应及/或以其它方式改进所述衬底制品或设备的电性质、化学性质、热性质或结构性质。描述涂覆所述金属表面及用于选择所利用的涂层材料的各种方法。
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公开(公告)号：CN115768919A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202180040494.4
申请日：2021-06-10
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/36 , H01L21/02 , C07F7/10 , C07F7/18
Abstract: 本发明提供一种沉积抗蚀刻SiOCN膜的等离子体增强型原子层沉积(PEALD)方法。这些膜提供改良的生长速率、改良的步阶覆盖率及对湿蚀刻剂及含有O2及NH3共反应物之后沉积等离子体处理的极佳抗蚀刻性。此种PEALD方法依赖于一或多种前体与等离子体暴露串联反应以沉积SiOCN的抗蚀刻薄膜。在沉积后及在后沉积等离子体处理后，所述膜均呈现对用稀HF水溶液湿蚀刻的极佳抗性。因此，预期这些膜呈现针对装置制造及构建期间所使用的后沉积制造步骤的极佳稳定性。
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公开(公告)号：CN109996803B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201780072431.0
申请日：2017-11-20
Applicant: 恩特格里斯公司
Abstract: 本发明涉及桥联不对称卤炔基六羰基二钴前驱物及其超高纯度形式、制造方法以及在气相沉积方法中使用这些桥联不对称卤炔基六羰基二钴前驱物的方法。本发明的一个方面涉及式Co2(CO)6(R3C≡CR4)的超高纯度桥联不对称卤炔基六羰基二钴前驱物，其中R3和R4为不同的有机部分并且R4比R3更具负电性或更具吸电子性。
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公开(公告)号：CN108367269B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201680073124.X
申请日：2016-11-04
Applicant: 恩特格里斯公司
Inventor： L·H·杜波依斯 , J·D·卡拉瑟斯 , M·A·彼特鲁斯卡 , E·A·斯特姆 , S·M·威尔逊 , S·M·卢尔寇特 , B·C·亨德里克斯 , J·D·斯威尼 , M·J·沃德珍斯奇 , O·比尔 , 唐瀛 , J·R·德斯普雷斯 , M·T·马洛 , C·斯坎内尔 , D·埃尔策 , K·默西
Abstract: 本发明描述不同类型及形式的吸附剂，如有用地用于气体供应包装中，所述气体供应包装包含盛放此吸附剂以将吸附气体存储于其上的气体存储及施配容器，及固定于所述容器以在其施配条件下从所述气体供应包装排放所述吸附气体的气体施配组合件。同样描述对应气体供应包装，及处理所述吸附剂，及制造所述气体供应包装的各种方法。
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