公开(公告)号：CN114269884A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202080059034.1

申请日：2020-08-21

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： D·怀特 ,  D·凯珀 ,  S·迪梅奥

IPC: C09K13/06 ,  C09K13/04 ,  C09K13/08 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供可用于氮化硅材料相对于多晶硅、氧化硅材料及/或硅化物材料从其上具有这些材料的微电子装置的选择性去除的组合物。本发明的组合物特别可用于3DNAND结构的蚀刻。

公开(公告)号：CN117957235A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202280061619.6

申请日：2022-09-09

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： D·凯珀

IPC: C07F7/22 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供某些氟化烷基锡化合物，可认为其可用于将含锡膜气相沉积到微电子装置衬底表面上。本发明还提供制备所述前体化合物的方法及使用这些化合物将含锡膜沉积到微电子装置衬底上的方法。

公开(公告)号：CN116848288A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280014577.0

申请日：2022-01-19

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： P·S·H·陈 ,  E·孔多 ,  D·凯珀 ,  T·H·鲍姆 ,  S·V·迪梅奥

IPC: C23C16/30

Abstract: 本发明提供PEALD方法以沉积耐蚀刻SiOCN膜。这些膜提供经改良生长速率、经改良阶梯覆盖率和对湿式蚀刻剂和含O2共反应物的沉积后等离子体处理的优良耐蚀刻性。在一个实施例中，此PEALD方法依赖于单一前体，即双(二烷基氨基)四烷基二硅氧烷，连同氢等离子体一起来沉积所述耐蚀刻SiOCN薄膜。由于膜可利用单一前体沉积，因此整个工艺展现经改良的通量。

公开(公告)号：CN115768777A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202180047472.0

申请日：2021-07-02

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： D·M·埃默特 ,  T·M·卡梅龙 ,  D·凯珀 ,  T·H·鲍姆

IPC: C07F7/22

Abstract: 本发明提供一种用于制备某些具有烷基和烷氨基取代基的有机锡化合物的高效且有效的方法。所述方法提供呈高纯度结晶形式的有机锡化合物，所述有机锡化合物在例如用于制造某些微电子装置的极紫外光(EUV)光刻技术中特别适于用作沉积高纯度氧化锡薄膜的前体。

公开(公告)号：CN119968378A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202380070393.0

申请日：2023-08-30

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： D·凯珀

IPC: C07F11/00 ,  C07F17/00

Abstract: 本发明提供关于双(芳烃)金属络合物的制备和纯化的方法。一种方法可包括在第一溶剂中使金属卤化物与第一金属组分和卤化铝接触，从而形成包括中间络合物的反应混合物。一种方法可包括在包括第二溶剂的反应混合物中使所述中间络合物与第二金属组分接触，从而形成包括双(芳烃)金属络合物的反应混合物。一种方法可包括使包括所述双(芳烃)金属络合物的反应混合物与分离介质接触，从而获得产物。也提供双(芳烃)金属络合物。

公开(公告)号：CN113195506B

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN201980079955.1

申请日：2019-12-06

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： D·凯珀 ,  M·汉德尔瓦尔 ,  T·M·卡梅龙 ,  T·H·鲍姆 ,  J·克利里

IPC: C07F7/08

Abstract: 本发明提供一种利用呈粉末形式的碘化锂且通过叔胺催化，由三氯硅烷制备某些硅烷前体化合物，例如三碘硅烷的方法。所述方法以高产率和高纯度提供三碘硅烷。三碘硅烷是可用于将硅原子层沉积到各种微电子装置结构上的前体化合物。

公开(公告)号：CN113195506A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980079955.1

申请日：2019-12-06

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： D·凯珀 ,  M·汉德尔瓦尔 ,  T·M·卡梅龙 ,  T·H·鲍姆 ,  J·克利里

IPC: C07F7/08

Abstract: 本发明提供一种利用呈粉末形式的碘化锂且通过叔胺催化，由三氯硅烷制备某些硅烷前体化合物，例如三碘硅烷的方法。所述方法以高产率和高纯度提供三碘硅烷。三碘硅烷是可用于将硅原子层沉积到各种微电子装置结构上的前体化合物。

公开(公告)号：CN118284718A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202280077471.5

申请日：2022-11-22

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： D·M·埃默特 ,  D·凯珀 ,  T·M·卡梅龙

IPC: C23C16/455 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  C07F7/22

Abstract: 本发明提供某些有机锡化合物，相信所述有机锡化合物可用于含锡膜到微电子装置衬底的表面上的气相沉积以及EUV‑可图案化膜的沉积。本发明还提供某些新颖前驱组合物。还揭示使用某些新颖前驱物形成膜的方法。

公开(公告)号：CN115768919A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202180040494.4

申请日：2021-06-10

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： P·S·H·陈 ,  E·孔多 ,  B·C·亨德里克斯 ,  T·H·鲍姆 ,  D·凯珀

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/36 ,  H01L21/02 ,  C07F7/10 ,  C07F7/18

Abstract: 本发明提供一种沉积抗蚀刻SiOCN膜的等离子体增强型原子层沉积(PEALD)方法。这些膜提供改良的生长速率、改良的步阶覆盖率及对湿蚀刻剂及含有O2及NH3共反应物之后沉积等离子体处理的极佳抗蚀刻性。此种PEALD方法依赖于一或多种前体与等离子体暴露串联反应以沉积SiOCN的抗蚀刻薄膜。在沉积后及在后沉积等离子体处理后，所述膜均呈现对用稀HF水溶液湿蚀刻的极佳抗性。因此，预期这些膜呈现针对装置制造及构建期间所使用的后沉积制造步骤的极佳稳定性。

公开(公告)号：CN111630057A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201980007669.4

申请日：2019-01-11

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： D·凯珀 ,  T·H·鲍姆 ,  M·汉德尔瓦尔

IPC: C07F7/10

Abstract: 公开合成氨基碘代硅烷的方法。产生所公开氨基碘代硅烷的反应由下式表示：SiI4+z(NH2R1)-SiIy(NHR1)z，其中R1选自C1-C10烷基或环烷基、芳基或杂基；y＝1到3；且z＝4-y。