公开(公告)号：CN109996803A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201780072431.0

申请日：2017-11-20

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 韩相范 ,  张守奉 ,  朴载英 ,  B·C·亨德里克斯 ,  T·鲍姆

IPC: C07F15/06 ,  C23C16/18

Abstract: 本发明涉及桥联不对称卤炔基六羰基二钴前驱物及其超高纯度形式、制造方法以及在气相沉积方法中使用这些桥联不对称卤炔基六羰基二钴前驱物的方法。本发明的一个方面涉及式Co2(CO)6(R3C≡CR4)的超高纯度桥联不对称卤炔基六羰基二钴前驱物，其中R3和R4为不同的有机部分并且R4比R3更具负电性或更具吸电子性。

公开(公告)号：CN109996803B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201780072431.0

申请日：2017-11-20

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 韩相范 ,  张守奉 ,  朴载英 ,  B·C·亨德里克斯 ,  T·鲍姆

IPC: C07F15/06 ,  C23C16/18

Abstract: 本发明涉及桥联不对称卤炔基六羰基二钴前驱物及其超高纯度形式、制造方法以及在气相沉积方法中使用这些桥联不对称卤炔基六羰基二钴前驱物的方法。本发明的一个方面涉及式Co2(CO)6(R3C≡CR4)的超高纯度桥联不对称卤炔基六羰基二钴前驱物，其中R3和R4为不同的有机部分并且R4比R3更具负电性或更具吸电子性。