公开(公告)号：CN117425745A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202280034968.9

申请日：2022-04-21

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 赵诚实 ,  金多慧 ,  金焕洙 ,  李铢眞 ,  B·C·亨德里克斯

IPC: C23C16/455

Abstract: 提供适用于在半导体装置制造中形成含硅膜的某些硅前体化合物，且更具体来说提供用于形成此类含硅膜、如包含二氧化硅的膜的组合物和方法。

公开(公告)号：CN115867689A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202180049729.6

申请日：2021-06-23

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 赵诚实 ,  金多慧 ,  李铢眞 ,  朴哉彦 ,  B·C·亨德里克斯 ,  P·S·H·陈 ,  S·D·阮

IPC: C23C16/40

Abstract: 本发明提供某些硅前体化合物，其可用于在半导体装置的制造中形成含硅膜；且更具体地关于用于形成此类含硅膜、如包含二氧化硅或氮化硅的膜的组合物及方法。

公开(公告)号：CN115485284A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202180031709.6

申请日：2021-03-26

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 李相禛 ,  金多慧 ,  赵诚实 ,  张西凤 ,  朴哉彦 ,  B·C·亨德里克斯 ,  T·H·鲍姆 ,  李铢眞

IPC: C07F7/10 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455

Abstract: 本文提供可用于沉积含硅膜的某些液体硅前驱物，所述含硅膜是例如包含硅、氮化硅、氧氮化硅、二氧化硅、碳化硅、碳掺杂的氮化硅或碳掺杂的氧氮化硅的膜。还提供利用气相沉积技术形成所述膜的方法。