公开(公告)号：CN117425745A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202280034968.9

申请日：2022-04-21

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 赵诚实 ,  金多慧 ,  金焕洙 ,  李铢眞 ,  B·C·亨德里克斯

IPC: C23C16/455

Abstract: 提供适用于在半导体装置制造中形成含硅膜的某些硅前体化合物，且更具体来说提供用于形成此类含硅膜、如包含二氧化硅的膜的组合物和方法。

公开(公告)号：CN117980531A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202280062185.1

申请日：2022-07-07

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 金伦楷 ,  赵诚实 ,  金焕洙 ,  朴基振

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/24 ,  C23C16/455 ,  C07F7/10 ,  C07F7/02

Abstract: 本发明的一些实施例涉及一种在衬底上沉积硅前体的方法。所述方法包含：获得包含至少一个硅氧烷键的硅前体材料和获得至少一种共反应物前体材料。使所述硅前体材料挥发以获得硅前体蒸气。使所述至少一种共反应物前体材料挥发以获得至少一种共反应物前体蒸气。使所述硅前体蒸气和所述至少一种共反应物前体蒸气在足以在所述衬底的表面上形成含硅膜的化学气相沉积条件下与所述衬底接触。一些实施例涉及用于化学气相沉积的硅前体材料。

公开(公告)号：CN117940440A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202280061835.0

申请日：2022-07-08

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 李相禛 ,  柳忞汐 ,  韩相范 ,  金星哲 ,  金伦楷 ,  朴基振 ,  延蕊林 ,  赵诚实 ,  金焕洙 ,  崔中起

IPC: C07F7/10 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/30 ,  C23C16/36 ,  C23C16/32

Abstract: 本发明提供可用作将含硅材料气相沉积于微电子装置表面上的前体的某些硅基胺化合物。此类前体可与任选的共反应物一起使用以沉积含硅膜，诸如氮化硅、氧化硅、氧氮化硅、氧碳氮化硅(SiOCN)、碳氮化硅(SiCN)及碳化硅。

公开(公告)号：CN115867689A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202180049729.6

申请日：2021-06-23

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 赵诚实 ,  金多慧 ,  李铢眞 ,  朴哉彦 ,  B·C·亨德里克斯 ,  P·S·H·陈 ,  S·D·阮

IPC: C23C16/40

Abstract: 本发明提供某些硅前体化合物，其可用于在半导体装置的制造中形成含硅膜；且更具体地关于用于形成此类含硅膜、如包含二氧化硅或氮化硅的膜的组合物及方法。

公开(公告)号：CN115485284A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202180031709.6

申请日：2021-03-26

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 李相禛 ,  金多慧 ,  赵诚实 ,  张西凤 ,  朴哉彦 ,  B·C·亨德里克斯 ,  T·H·鲍姆 ,  李铢眞

IPC: C07F7/10 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455

Abstract: 本文提供可用于沉积含硅膜的某些液体硅前驱物，所述含硅膜是例如包含硅、氮化硅、氧氮化硅、二氧化硅、碳化硅、碳掺杂的氮化硅或碳掺杂的氧氮化硅的膜。还提供利用气相沉积技术形成所述膜的方法。