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公开(公告)号：CN113490764B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202080017228.5
申请日：2020-02-27
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: C23C16/18 , C23C16/32 , C23C16/455 , C07F11/00
Abstract: 本发明提供用于制备各种VI族前驱物化合物的简便方法，所述VI族前驱物化合物可用于将这类VI族金属气相沉积于固体衬底、尤其微电子半导体装置衬底上。所述方法提供获得这类挥发性材料的有效手段，然后所述挥发性材料可作为要沉积于所述衬底上的含钼、铬或钨的材料的来源。另外，本发明提供用于将所述化合物气相沉积于微电子装置衬底上的方法。
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公开(公告)号：CN112840063A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201980066362.1
申请日：2019-09-24
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: C23C16/18 , C23C16/56 , C23C16/455 , H01L21/285
Abstract: 本文描述用于沉积金属薄膜或层到衬底上的气相沉积方法，其中所述金属是钼或钨；所述方法涉及含有所述金属及一或多种含碳配体的有机金属前驱物化合物，并包含沉积由所述前驱物的所述金属形成的金属层到衬底上，随后将氧化剂引入到所述形成的金属层。
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公开(公告)号：CN119079932A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411181682.0
申请日：2020-07-08
Applicant: 恩特格里斯公司
Abstract: 本发明提供一种氧卤化物前驱物。本发明提供一种制备钼和钨氧卤化物化合物的方法，所述氧卤化物化合物适用于将含有钼和钨的薄膜沉积于微电子装置的各个表面上。在本发明方法中，在固态介质中或在包含有包含碱金属盐和/或碱土金属盐的共晶掺合物的熔融相反应中加热三氧化钼或三氧化钨。由此形成的钼或钨氧卤化物可以蒸气形式分离且结晶以提供高纯性前驱物化合物，例如MoO2Cl2。
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公开(公告)号：CN114174216B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202080054603.3
申请日：2020-07-08
Applicant: 恩特格里斯公司
Abstract: 本发明提供一种制备钼和钨氧卤化物化合物的方法，所述氧卤化物化合物适用于将含有钼和钨的薄膜沉积于微电子装置的各个表面上。在本发明方法中，在固态介质中或在包含有包含碱金属盐和/或碱土金属盐的共晶掺合物的熔融相反应中加热三氧化钼或三氧化钨。由此形成的钼或钨氧卤化物可以蒸气形式分离且结晶以提供高纯性前驱物化合物，例如MoO2Cl2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111630204B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201980009112.4
申请日：2019-01-15
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: C23C16/18 , C23C16/32 , C23C16/08 , C23C16/02 , H01L21/285 , H01L21/02 , H01L21/324 , H10B12/00 , H10B41/35 , H10B43/35
Abstract: 本发明描述通过使用双(烷基芳烃)钼作为用于这类沉积的前体将钼材料沉积到衬底上的气相沉积方法，所述双(烷基芳烃)钼在本文中又称为(烷基芳烃)2Mo，例如双(乙基苯)钼((EtBz)2Mo)；以及含有所沉积材料的结构。
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公开(公告)号：CN112889132A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201980069107.2
申请日：2019-10-16
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/28 , H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 一种在衬底上形成含钼材料的工艺，其中在气相沉积条件下使所述衬底与二氯二氧化钼(MoO2Cl2)蒸气接触以将所述含钼材料沉积于所述衬底上。有利地，稳健工艺并不需要利用成核剂预处理所述衬底。在某些实施例中，所述工艺例如通过例如脉冲化学气相沉积CVD或ALD等的CVD技术引起钼的本体沉积。
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公开(公告)号：CN114174216A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080054603.3
申请日：2020-07-08
Applicant: 恩特格里斯公司
Abstract: 本发明提供一种制备钼和钨氧卤化物化合物的方法，所述氧卤化物化合物适用于将含有钼和钨的薄膜沉积于微电子装置的各个表面上。在本发明方法中，在固态介质中或在包含有包含碱金属盐和/或碱土金属盐的共晶掺合物的熔融相反应中加热三氧化钼或三氧化钨。由此形成的钼或钨氧卤化物可以蒸气形式分离且结晶以提供高纯性前驱物化合物，例如MoO2Cl2。
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公开(公告)号：CN113490764A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202080017228.5
申请日：2020-02-27
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: C23C16/18 , C23C16/32 , C23C16/455 , C07F11/00
Abstract: 本发明提供用于制备各种VI族前驱物化合物的简便方法，所述VI族前驱物化合物可用于将这类VI族金属气相沉积于固体衬底、尤其微电子半导体装置衬底上。所述方法提供获得这类挥发性材料的有效手段，然后所述挥发性材料可作为要沉积于所述衬底上的含钼、铬或钨的材料的来源。另外，本发明提供用于将所述化合物气相沉积于微电子装置衬底上的方法。
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公开(公告)号：CN111630204A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201980009112.4
申请日：2019-01-15
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: C23C16/18 , C23C16/32 , C23C16/08 , C23C16/02 , H01L21/285 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L27/11551 , H01L27/11524
Abstract: 本发明描述通过使用双(烷基芳烃)钼作为用于这类沉积的前体将钼材料沉积到衬底上的气相沉积方法，所述双(烷基芳烃)钼在本文中又称为(烷基芳烃)2Mo，例如双(乙基苯)钼((EtBz)2Mo)；以及含有所沉积材料的结构。
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