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公开(公告)号：CN111630204A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201980009112.4
申请日：2019-01-15
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: C23C16/18 , C23C16/32 , C23C16/08 , C23C16/02 , H01L21/285 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L27/11551 , H01L27/11524
Abstract: 本发明描述通过使用双(烷基芳烃)钼作为用于这类沉积的前体将钼材料沉积到衬底上的气相沉积方法，所述双(烷基芳烃)钼在本文中又称为(烷基芳烃)2Mo，例如双(乙基苯)钼((EtBz)2Mo)；以及含有所沉积材料的结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109661481B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201780054079.8
申请日：2017-07-13
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: C23C16/04 , C23C16/14 , C23C16/455 , C23C16/02
Abstract: 本发明描述一种在衬底上形成含钼材料的方法，其中在气相沉积条件下将所述衬底与四氯氧化钼(MoOCl4)蒸气接触以在所述衬底上沉积所述含钼材料。在各种实施方案中，可采用所述衬底的二硼烷接触以建立用于(例如)通过例如脉冲化学气相沉积CVD的CVD技术的钼的后续块状沉积的有利成核条件。
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公开(公告)号：CN112041980B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN201980027078.3
申请日：2019-04-17
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01L21/768 , C23C16/40 , C23C16/02 , C23C16/455
Abstract: 本公开涉及一种利用硼成核层和钼成核层制造钼膜的方法。与不使用硼成核层或钼成核层的常规化学气相沉积工艺相比，所得钼膜具有低电阻率、基本上不含硼、并且可以在降低的温度下制造。通过此工艺形成的所述钼成核层可以保护衬底免受MoCl5或MoOCl4的刻蚀作用，有利于随后CVD Mo生长在所述钼成核层顶上的成核，并使Mo CVD能够在较低温度下进行。所述成核层也可用于控制随后CVD Mo生长的晶粒大小，并因此控制Mo膜的电阻率。
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公开(公告)号：CN111630204B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201980009112.4
申请日：2019-01-15
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: C23C16/18 , C23C16/32 , C23C16/08 , C23C16/02 , H01L21/285 , H01L21/02 , H01L21/324 , H10B12/00 , H10B41/35 , H10B43/35
Abstract: 本发明描述通过使用双(烷基芳烃)钼作为用于这类沉积的前体将钼材料沉积到衬底上的气相沉积方法，所述双(烷基芳烃)钼在本文中又称为(烷基芳烃)2Mo，例如双(乙基苯)钼((EtBz)2Mo)；以及含有所沉积材料的结构。
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公开(公告)号：CN112041980A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201980027078.3
申请日：2019-04-17
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01L21/768 , C23C16/40 , C23C16/02 , C23C16/455
Abstract: 本公开涉及一种利用硼成核层和钼成核层制造钼膜的方法。与不使用硼成核层或钼成核层的常规化学气相沉积工艺相比，所得钼膜具有低电阻率、基本上不含硼、并且可以在降低的温度下制造。通过此工艺形成的所述钼成核层可以保护衬底免受MoCl5或MoOCl4的刻蚀作用，有利于随后CVD Mo生长在所述钼成核层顶上的成核，并使Mo CVD沉积能够在较低温度下进行。所述成核层也可用于控制随后CVD Mo生长的晶粒大小，并因此控制Mo膜的电阻率。
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公开(公告)号：CN109661481A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201780054079.8
申请日：2017-07-13
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: C23C16/04 , C23C16/14 , C23C16/455 , C23C16/02
Abstract: 本发明描述一种在衬底上形成含钼材料的方法，其中在气相沉积条件下将所述衬底与四氯氧化钼(MoOCl4)蒸气接触以在所述衬底上沉积所述含钼材料。在各种实施方案中，可采用所述衬底的二硼烷接触以建立用于(例如)通过例如脉冲化学气相沉积CVD的CVD技术的钼的后续块状沉积的有利成核条件。
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