公开(公告)号：CN101814502A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN201010004777.7

申请日：2010-01-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 权彦五 ,  S·A·克里施南 ,  安藤孝 ,  M·P·胡齐克 ,  M·M·弗兰克 ,  W·K·汉森 ,  R·杰哈 ,  梁越 ,  V·纳拉亚南 ,  R·拉马钱德兰 ,  K·K·H·黄

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/49 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明涉及一种具有双金属栅极的半导体器件以及制造方法。一种半导体器件包括：半导体衬底；形成在所述衬底上的PFET，所述PFET包括设置在所述衬底上的SiGe层、设置在所述SiGe层上的高k电介质层、设置在所述高k电介质层上的第一金属层、设置在所述第一金属层上的第一中间层、设置在所述第一中间层上的第二金属层、设置在所述第二金属层上的第二中间层、以及设置在所述第二中间层上的第三金属层；形成在所述衬底上的NFET，所述NFET包括设置在所述衬底上的所述高k电介质层、设置在所述高k电介质层上的所述第二中间层、以及设置在所述第二中间层上的所述第三金属层。可选地，省去所述第一金属层。一种制造该器件的方法包括提供SiO2和α-Si层或dBARC层。

公开(公告)号：CN101604664A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200910148824.2

申请日：2009-06-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 黄洸汉 ,  M·P·查德齐克 ,  R·T·莫 ,  R·杰哈 ,  T·L·格雷夫斯-阿比

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/283 ,  H01L27/04 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/324 ,  H01L29/517

Abstract: 公开了通过沉积原位硅(Si)盖来改进金属栅极器件性能的结构和方法。通过脱气工艺加热包括衬底和电介质层的晶片，然后将晶片冷却到近似室温。然后沉积金属层，然后在其上沉积原位Si盖。无真空破坏地(即在加热、冷却和金属沉积工艺的相同主结构中或者相同室中)沉积Si盖。这样，减少了在后续加工期间可用于层间氧化物再生长的氧含量以及金属栅极中俘获的氧含量。

公开(公告)号：CN101814502B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201010004777.7

申请日：2010-01-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 权彦五 ,  S·A·克里施南 ,  安藤孝 ,  M·P·胡齐克 ,  M·M·弗兰克 ,  W·K·汉森 ,  R·杰哈 ,  梁越 ,  V·纳拉亚南 ,  R·拉马钱德兰 ,  K·K·H·黄

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/49 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明涉及一种具有双金属栅极的半导体器件以及制造方法。一种半导体器件包括：半导体衬底；形成在所述衬底上的PFET，所述PFET包括设置在所述衬底上的SiGe层、设置在所述SiGe层上的高k电介质层、设置在所述高k电介质层上的第一金属层、设置在所述第一金属层上的第一中间层、设置在所述第一中间层上的第二金属层、设置在所述第二金属层上的第二中间层、以及设置在所述第二中间层上的第三金属层；形成在所述衬底上的NFET，所述NFET包括设置在所述衬底上的所述高k电介质层、设置在所述高k电介质层上的所述第二中间层、以及设置在所述第二中间层上的所述第三金属层。可选地，省去所述第一金属层。一种制造该器件的方法包括提供SiO2和α-Si层或dBARC层。

公开(公告)号：CN102341894A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201080010188.8

申请日：2010-04-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·P·胡齐克 ,  W·K·汉森 ,  R·杰哈 ,  梁玥 ,  R·拉马钱德兰 ,  R·S·怀斯

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/49 ,  H01L29/7833

Abstract: 在一个实施例中，本发明提供了一种形成半导体器件的方法，其包括：提供衬底，所述衬底包括第一导电类型区域和第二导电类型区域；形成栅极叠层，其包括在所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域顶上的栅极电介质以及覆盖所述高k栅极电介质的第一金属栅极导体；去除所述第一金属栅极导体的在所述第一导电类型区域中的部分，以暴露所述第一导电类型区域中的所述栅极电介质；向所述衬底施加基于氮的等离子体，其中所述基于氮的等离子体使在所述第一导电类型区域中的栅极电介质氮化，并使所述第二导电类型区域中的第一金属栅极导体氮化；以及形成第二金属栅极导体，其至少覆盖所述第一导电类型区域中的栅极电介质。