-
公开(公告)号：CN102282655A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200980152783.2
申请日：2009-11-19
IPC: H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L21/823857
Abstract: 本发明的实施例提供一种形成用于场效晶体管的栅极叠层的方法。该方法包括以下步骤：在第一氮化钛(TiN)层上直接形成含金属层，该第一TiN层覆盖指定用于第一类型的场效晶体管和第二类型的场效晶体管的半导体衬底的区域；在该含金属层的顶上形成第二TiN层的覆盖层；构图该第二TiN层和该含金属层以仅覆盖该第一TiN层的第一部分，该第一TiN层的该第一部分覆盖指定用于该第一类型的场效晶体管的区域；蚀刻掉通过该构图暴露的该第一TiN层的第二部分，同时通过以该经构图的含金属层的厚度的至少一部分来覆盖，而保护该第一TiN层的该第一部分不受该蚀刻；以及形成覆盖指定用于该第二类型的场效晶体管的该半导体衬底的区域的第三TiN层。
-
公开(公告)号：CN102282655B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200980152783.2
申请日：2009-11-19
IPC: H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L21/823857
Abstract: 本发明的实施例提供一种形成用于场效晶体管的栅极叠层的方法。该方法包括以下步骤：在第一氮化钛(TiN)层上直接形成含金属层，该第一TiN层覆盖指定用于第一类型的场效晶体管和第二类型的场效晶体管的半导体衬底的区域；在该含金属层的顶上形成第二TiN层的覆盖层；构图该第二TiN层和该含金属层以仅覆盖该第一TiN层的第一部分，该第一TiN层的该第一部分覆盖指定用于该第一类型的场效晶体管的区域；蚀刻掉通过该构图暴露的该第一TiN层的第二部分，同时通过以该经构图的含金属层的厚度的至少一部分来覆盖，而保护该第一TiN层的该第一部分不受该蚀刻；以及形成覆盖指定用于该第二类型的场效晶体管的该半导体衬底的区域的第三TiN层。
-
公开(公告)号：CN101814502B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201010004777.7
申请日：2010-01-20
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 权彦五 , S·A·克里施南 , 安藤孝 , M·P·胡齐克 , M·M·弗兰克 , W·K·汉森 , R·杰哈 , 梁越 , V·纳拉亚南 , R·拉马钱德兰 , K·K·H·黄
IPC: H01L27/092 , H01L29/49 , H01L21/8238 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L21/28088 , H01L21/823807 , H01L21/823857 , H01L29/1054 , H01L29/4966 , H01L29/517
Abstract: 本发明涉及一种具有双金属栅极的半导体器件以及制造方法。一种半导体器件包括：半导体衬底；形成在所述衬底上的PFET，所述PFET包括设置在所述衬底上的SiGe层、设置在所述SiGe层上的高k电介质层、设置在所述高k电介质层上的第一金属层、设置在所述第一金属层上的第一中间层、设置在所述第一中间层上的第二金属层、设置在所述第二金属层上的第二中间层、以及设置在所述第二中间层上的第三金属层；形成在所述衬底上的NFET，所述NFET包括设置在所述衬底上的所述高k电介质层、设置在所述高k电介质层上的所述第二中间层、以及设置在所述第二中间层上的所述第三金属层。可选地，省去所述第一金属层。一种制造该器件的方法包括提供SiO2和α-Si层或dBARC层。
-
公开(公告)号：CN101814502A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010004777.7
申请日：2010-01-20
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 权彦五 , S·A·克里施南 , 安藤孝 , M·P·胡齐克 , M·M·弗兰克 , W·K·汉森 , R·杰哈 , 梁越 , V·纳拉亚南 , R·拉马钱德兰 , K·K·H·黄
IPC: H01L27/092 , H01L29/49 , H01L21/8238 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L21/28088 , H01L21/823807 , H01L21/823857 , H01L29/1054 , H01L29/4966 , H01L29/517
Abstract: 本发明涉及一种具有双金属栅极的半导体器件以及制造方法。一种半导体器件包括：半导体衬底；形成在所述衬底上的PFET，所述PFET包括设置在所述衬底上的SiGe层、设置在所述SiGe层上的高k电介质层、设置在所述高k电介质层上的第一金属层、设置在所述第一金属层上的第一中间层、设置在所述第一中间层上的第二金属层、设置在所述第二金属层上的第二中间层、以及设置在所述第二中间层上的第三金属层；形成在所述衬底上的NFET，所述NFET包括设置在所述衬底上的所述高k电介质层、设置在所述高k电介质层上的所述第二中间层、以及设置在所述第二中间层上的所述第三金属层。可选地，省去所述第一金属层。一种制造该器件的方法包括提供SiO2和α-Si层或dBARC层。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.015 seconds)
