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公开(公告)号：CN103871895A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310628242.0
申请日：2013-11-29
Applicant: 国际商业机器公司 , 格罗方德半导体股份有限公司 , 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L29/41791
Abstract: 一种用于制造场效应晶体管器件的方法，包括：在基底上图案化鳍部，在布置在基底上的一部分鳍部和一部分绝缘层上方图案化栅叠层，在栅叠层、一部分鳍部及一部分绝缘层上方形成保护屏障，保护屏障包封栅叠层，第二绝缘层在部分鳍部和保护屏障上方沉积，执行第一蚀刻过程以便选择性地去除部分第二绝缘层而无需显著去除保护屏障以便限定空腔，所述空腔暴露鳍部的部分源区和漏区，并且导电材料在空腔内沉积。
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公开(公告)号：CN105190853B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201480023493.9
申请日：2014-10-23
Applicant: 格罗方德半导体股份有限公司
Inventor： S·K·卡纳卡萨巴帕西 , S·A·西格 , T·E·斯坦达尔特 , Y·尹
IPC: H01L21/336 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/76224 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L29/6681 , Y02P80/30
Abstract: 诸如通过在反应离子蚀刻期间交替气体来循环地交替蚀刻剂，交替地并循环地对形成finFET的鳍的半导体材料和介于所述鳍之间的局部隔离材料的交错的结构执行蚀刻。当半导体材料和局部隔离材料的一个在半导体材料和局部隔离材料的另一个之上突起一段预设的距离时，优选将蚀刻剂替换。由于突起的表面比凹进的表面蚀刻得更快，整体蚀刻处理加快，并且以更少的时间完成，使得对其它材料(蚀刻剂对其选择性不理想)的侵蚀减少并且允许改进对沟槽的蚀刻以形成改进的隔离结构。
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公开(公告)号：CN105190853A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480023493.9
申请日：2014-10-23
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： S·K·卡纳卡萨巴帕西 , S·A·西格 , T·E·斯坦达尔特 , Y·尹
IPC: H01L21/336 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/76224 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L29/6681 , Y02P80/30
Abstract: 诸如通过在反应离子蚀刻期间交替气体来循环地交替蚀刻剂，交替地并循环地对形成finFET的鳍的半导体材料和介于所述鳍之间的局部隔离材料的交错的结构执行蚀刻。当半导体材料和局部隔离材料的一个在半导体材料和局部隔离材料的另一个之上突起一段预设的距离时，优选将蚀刻剂替换。由于突起的表面比凹进的表面蚀刻得更快，整体蚀刻处理加快，并且以更少的时间完成，使得对其它材料(蚀刻剂对其选择性不理想)的侵蚀减少并且允许改进对沟槽的蚀刻以形成改进的隔离结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106024884B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201610162011.9
申请日：2016-03-21
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 范淑贞 , S·K·卡纳卡萨巴帕西 , 玉仁祚 , 山下典洪
IPC: H01L29/78 , H01L27/118 , H01L21/336 , H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及替换金属栅极CMOS器件上的稳定的多阈值电压器件。提供了一种用于多电压阈值晶体管结构的技术。在鳍上形成窄沟道和长沟道。在鳍上形成外延层，并且在外延层上形成层间电介质层。鳍上的间隔物限定窄沟道和长沟道。在窄沟道和长沟道中沉积高k电介质材料。在窄沟道和长沟道中的高k电介质材料上沉积金属层。使窄沟道中的高k电介质材料的高度凹陷。从窄沟道和长沟道去除金属层。在窄沟道和长沟道中沉积功函数金属。沉积栅极传导金属以填充窄沟道和长沟道。在结构的顶表面上沉积帽层。
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公开(公告)号：CN101034663A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710086197.5
申请日：2007-03-06
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： S·K·卡纳卡萨巴帕西 , D·W·阿布拉汗
CPC classification number: H01L23/544 , H01L27/222 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , Y10S438/975 , H01L2924/00
Abstract: 一种实现半导体器件结构对准的方法包括在所述结构中的下层上形成第一套和第二套对准标记，所述第二套对准标记与所述第一套对准标记邻近。在包括所述第一套和第二套对准标记的所述下层的上面形成一个不透明层。在所述不透明层上对应着所述第一套对准标记的位置处的开一个窗口部分，以便使所述第一套对准标记在光学上是可见的，而所述第二套对准标记一开始就保持为被所述不透明层所覆盖。用所述光学上可见的第一套对准标记对所述不透明层进行图形化，其中，在所述不透明层的图形化期间，如果所述第一套对准标记受到损伤，所述第二套对准标记可以用于随后的对准操作。
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公开(公告)号：CN106024884A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610162011.9
申请日：2016-03-21
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 范淑贞 , S·K·卡纳卡萨巴帕西 , 玉仁祚 , 山下典洪
IPC: H01L29/78 , H01L27/118 , H01L21/336 , H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及替换金属栅极CMOS器件上的稳定的多阈值电压器件。提供了一种用于多电压阈值晶体管结构的技术。在鳍上形成窄沟道和长沟道。在鳍上形成外延层，并且在外延层上形成层间电介质层。鳍上的间隔物限定窄沟道和长沟道。在窄沟道和长沟道中沉积高k电介质材料。在窄沟道和长沟道中的高k电介质材料上沉积金属层。使窄沟道中的高k电介质材料的高度凹陷。从窄沟道和长沟道去除金属层。在窄沟道和长沟道中沉积功函数金属。沉积栅极传导金属以填充窄沟道和长沟道。在结构的顶表面上沉积帽层。
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公开(公告)号：CN102456617A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110329923.8
申请日：2011-10-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76885 , H01L21/7682 , H01L21/76895 , H01L21/76897 , H01L23/528 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的实施例提供了一种形成自对准局部互连的方法和由此形成的结构。所述方法包括：在一个或更多个半导体器件上沉积导电材料覆盖层；生成覆盖导电材料覆盖层的一部分的局部互连的图案；去除导电材料覆盖层的未被局部互连的图案覆盖的剩余部分；通过导电材料覆盖层的该部分形成局部互连以连接一个或更多个半导体器件。
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公开(公告)号：CN101034663B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200710086197.5
申请日：2007-03-06
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： S·K·卡纳卡萨巴帕西 , D·W·阿布拉汗
CPC classification number: H01L23/544 , H01L27/222 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , Y10S438/975 , H01L2924/00
Abstract: 一种实现半导体器件结构对准的方法包括在所述结构中的下层上形成第一套和第二套对准标记，所述第二套对准标记与所述第一套对准标记邻近。在包括所述第一套和第二套对准标记的所述下层的上面形成一个不透明层。在所述不透明层上对应着所述第一套对准标记的位置处的开一个窗口部分，以便使所述第一套对准标记在光学上是可见的，而所述第二套对准标记一开始就保持为被所述不透明层所覆盖。用所述光学上可见的第一套对准标记对所述不透明层进行图形化，其中，在所述不透明层的图形化期间，如果所述第一套对准标记受到损伤，所述第二套对准标记可以用于随后的对准操作。
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