公开(公告)号：CN101218684A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200580038832.1

申请日：2005-11-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： N·A·小博杰尔祖克 ,  C·小伽布拉尔 ,  E·A·卡蒂尔 ,  M·M·弗兰克 ,  E·P·古塞夫 ,  S·古哈 ,  P·C·杰米森 ,  R·詹米 ,  V·纳拉亚南 ,  V·K·帕鲁许里

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/00 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/2822 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 一种半导体结构，包括在栅介质和栅电极之间的Vt稳定层。该Vt稳定层能够将该结构的阈电压和平带电压稳定到目标值、并包含氮化的金属氧化物或无氮的金属氧化物，其条件是，当所述Vt稳定层包含无氮的金属氧化物时，所述半导体衬底和所述栅介质中的至少一个含氮。本发明还提供制造这种结构的方法。