公开(公告)号：CN101218684A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200580038832.1

申请日：2005-11-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： N·A·小博杰尔祖克 ,  C·小伽布拉尔 ,  E·A·卡蒂尔 ,  M·M·弗兰克 ,  E·P·古塞夫 ,  S·古哈 ,  P·C·杰米森 ,  R·詹米 ,  V·纳拉亚南 ,  V·K·帕鲁许里

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/00 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/2822 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 一种半导体结构，包括在栅介质和栅电极之间的Vt稳定层。该Vt稳定层能够将该结构的阈电压和平带电压稳定到目标值、并包含氮化的金属氧化物或无氮的金属氧化物，其条件是，当所述Vt稳定层包含无氮的金属氧化物时，所述半导体衬底和所述栅介质中的至少一个含氮。本发明还提供制造这种结构的方法。

公开(公告)号：CN101427386B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200580016189.2

申请日：2005-03-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： N·A·小博亚尔祖克 ,  C·小卡布拉尔 ,  E·A·卡蒂尔 ,  M·W·库珀 ,  M·M·弗兰克 ,  E·P·古塞夫 ,  S·古哈 ,  R·詹米 ,  V·纳拉亚南 ,  V·K·帕鲁许里

IPC: H01L31/113

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

Abstract: 一种形成CMOS结构的方法以及由此制造的具有改善的阈值电压和平带电压稳定性的器件。本发明方法包括以下步骤：提供具有nFET区和pFET区的半导体衬底；在所述半导体衬底顶上形成电介质叠层，所述电介质叠层包括在高k栅极电介质顶上的绝缘中间层；从所述nFET区去除所述绝缘中间层，而不从所述pFET区去除所述绝缘中间层；以及提供在所述pFET区中的至少一个栅极叠层和在所述nFET区中的至少一个栅极叠层。所述绝缘中间层可以是AlN或AlOxNy。所述高k电介质可以是HfO2、硅酸铪或氧氮化铪硅。所述绝缘中间层可以通过包括HCl/H2O2过氧化氢溶液的湿法蚀刻从所述nFET区去除。

公开(公告)号：CN101427386A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200580016189.2

申请日：2005-03-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： N·A·小博亚尔祖克 ,  C·小卡布拉尔 ,  E·A·卡蒂尔 ,  M·W·库珀 ,  M·M·弗兰克 ,  E·P·古塞夫 ,  S·古哈 ,  R·詹米 ,  V·纳拉亚南 ,  V·K·帕鲁许里

IPC: H01L31/113

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

Abstract: 一种形成CMOS结构的方法以及由此制造的具有改善的阈值电压和平带电压稳定性的器件。本发明方法包括以下步骤：提供具有nFET区和pFET区的半导体衬底；在所述半导体衬底顶上形成电介质叠层，所述电介质叠层包括在高k栅极电介质顶上的绝缘中间层；从所述nFET区去除所述绝缘中间层，而不从所述pFET区去除所述绝缘中间层；以及提供在所述pFET区中的至少一个栅极叠层和在所述nFET区中的至少一个栅极叠层。所述绝缘中间层可以是AlN或AlOxNy。所述高k电介质可以是HfO2、硅酸铪或氧氮化铪硅。所述绝缘中间层可以通过包括HCl/H2O2过氧化氢溶液的湿法蚀刻从所述nFET区去除。