公开(公告)号：CN103871895A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310628242.0

申请日：2013-11-29

Applicant: 国际商业机器公司 ,  格罗方德半导体股份有限公司 ,  瑞萨电子株式会社

Inventor： L·F·艾杰 ,  M·M·弗兰克 ,  B·S·哈伦 ,  A·英拿达 ,  S·K·卡纳卡萨巴帕西 ,  A·科努尔 ,  V·纳拉亚南 ,  V·K·帕鲁楚利 ,  徐顺天

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L29/41791

Abstract: 一种用于制造场效应晶体管器件的方法，包括：在基底上图案化鳍部，在布置在基底上的一部分鳍部和一部分绝缘层上方图案化栅叠层，在栅叠层、一部分鳍部及一部分绝缘层上方形成保护屏障，保护屏障包封栅叠层，第二绝缘层在部分鳍部和保护屏障上方沉积，执行第一蚀刻过程以便选择性地去除部分第二绝缘层而无需显著去除保护屏障以便限定空腔，所述空腔暴露鳍部的部分源区和漏区，并且导电材料在空腔内沉积。

公开(公告)号：CN103915501B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201410009330.7

申请日：2014-01-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  B·S·哈伦 ,  S·波诺斯 ,  T·E·斯坦达耶尔特 ,  T·亚马施塔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/10826 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76243 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211

Abstract: 公开了一种改进的finFET和使用悬空硅工艺流程的制造方法。在为了进行悬空硅（SON）工艺在鳍下面形成空腔期间，氮化物间隔物保护鳍的侧面。可流动氧化物填充这些空腔，以在鳍下形成绝缘电介质层。

公开(公告)号：CN103915501A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201410009330.7

申请日：2014-01-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  B·S·哈伦 ,  S·波诺斯 ,  T·E·斯坦达耶尔特 ,  T·亚马施塔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/10826 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76243 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211

Abstract: 公开了一种改进的finFET和使用悬空硅工艺流程的制造方法。在为了进行悬空硅（SON）工艺在鳍下面形成空腔期间，氮化物间隔物保护鳍的侧面。可流动氧化物填充这些空腔，以在鳍下形成绝缘电介质层。