公开(公告)号：CN103828026B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280044778.1

申请日：2012-06-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  D·V·霍拉克 ,  查尔斯·W·库布尔格三世 ,  P·邵姆

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/42372 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76888 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/495 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了形成使用在栅极之上的选择性形成的且至少部分氧化的金属罩的集成电路结构的方法，以及相关的结构。在一种实施例中，方法包括：提供包括晶体管的前体结构，晶体管具有金属栅极；在金属栅极的暴露部分之上形成止蚀层；至少部分氧化止蚀层；并且在至少部分氧化止蚀层之上形成介电层。

公开(公告)号：CN103828026A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201280044778.1

申请日：2012-06-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  D·V·霍拉克 ,  查尔斯·W·库布尔格三世 ,  P·邵姆

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/42372 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76888 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/495 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了形成使用在栅极之上的选择性形成的且至少部分氧化的金属罩的集成电路结构的方法，以及相关的结构。在一种实施例中，方法包括：提供包括晶体管的前体结构，晶体管具有金属栅极；在金属栅极的暴露部分之上形成止蚀层；至少部分氧化止蚀层；并且在至少部分氧化止蚀层之上形成介电层。