公开(公告)号：CN1913125A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610101503.3

申请日：2006-07-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·P·考利 ,  L·A·克莱文格 ,  杨智超 ,  K·占达 ,  J·P·吉尔 ,  李保振

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76865 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76886

Abstract: 一种制造器件的方法包括在衬底和布线层中形成的蚀刻沟槽中沉积电迁移(EM)阻抗材料。形成与下面的扩散阻挡层和布线层电接触的EM阻抗材料。该方法还包括形成与EM阻抗材料和布线层电接触的过孔结构。该方法产生防止断路的结构。

公开(公告)号：CN100583427C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200680034290.5

申请日：2006-09-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  K·占达 ,  L·克莱文格 ,  王允愈 ,  D·杨

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种互连结构以及制造所述互连结构的方法。所述互连结构包括具有构图的开口的介质层、在所述构图的开口中设置的金属特征、以及覆盖所述金属特征的介质帽。所述介质帽具有内部拉伸应力，所述应力有助于避免产生沿离开所述金属线路的方向的电迁徙，特别是当所述金属线路具有拉伸应力时。

公开(公告)号：CN101268549A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200680034290.5

申请日：2006-09-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  K·占达 ,  L·克莱文格 ,  王允愈 ,  D·杨

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种互连结构以及制造所述互连结构的方法。所述互连结构包括具有构图的开口的介质层、在所述构图的开口中设置的金属特征、以及覆盖所述金属特征的介质帽。所述介质帽具有内部拉伸应力，所述应力有助于避免产生沿离开所述金属线路的方向的电迁徙，特别是当所述金属线路具有拉伸应力时。