公开(公告)号：CN103339733A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201280006501.X

申请日：2012-01-23

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  先进动力设备技术研究协会 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 寺本章伸 ,  神林宏 ,  上田博一 ,  两角友一朗 ,  原田豪繁 ,  长谷部一秀 ,  大见忠弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02274 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/28264 ,  H01L23/564 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体器件的制造方法是具有构成半导体层的GaN（氮化镓）的半导体器件的制造方法，其包括栅极绝缘膜形成工序（F），在具有GaN的氮化物层上，使用微波等离子体，形成由SiO2膜和Al2O3膜构成的组之中的至少一种膜，使所形成的膜成为栅极绝缘膜的至少一部分。

公开(公告)号：CN103339733B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280006501.X

申请日：2012-01-23

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社 ,  富士电机株式会社

Inventor： 寺本章伸 ,  神林宏 ,  上田博一 ,  两角友一朗 ,  原田豪繁 ,  长谷部一秀 ,  大见忠弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02274 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/28264 ,  H01L23/564 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体器件的制造方法是具有构成半导体层的GaN（氮化镓）的半导体器件的制造方法，其包括栅极绝缘膜形成工序（F），在具有GaN的氮化物层上，使用微波等离子体，形成由SiO2膜和Al2O3膜构成的组之中的至少一种膜，使所形成的膜成为栅极绝缘膜的至少一部分。

公开(公告)号：CN101604624A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200910147338.9

申请日：2009-06-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田博一 ,  田中义伸 ,  大塚康弘 ,  中桥政信

IPC: H01L21/00 ,  C23C16/455 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C16/4558

Abstract: 本发明提供一种气环、半导体基板处理装置及半导体基板处理方法。气环能从各气体喷出口均匀地喷出气体。气环(11)为环状，包括：将气体从外部导入到气环(11)内的气体导入口(12a)、(12b)；喷出从气体导入口(12a)、(12b)导入的气体的多个气体喷出口(18a)～(18h)；从气体导入口(12a)、(12b)到各气体喷出口(18a)～(18h)沿环状延伸的多个分支路(21a)～(21f)。在此，从各气体喷出口(18a)～(18h)到作为各分支路(21a)～(21f)的分支点的中央部(23a)、(23d)的距离分别相等。

公开(公告)号：CN115443523A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202180029630.X

申请日：2021-04-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田博一 ,  岩下光秋 ,  梅下尚己 ,  饭塚洋二 ,  早川崇 ,  关口贤治 ,  秋山浩二

IPC: H01L21/304 ,  B05D3/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683

Abstract: 本公开的一方式涉及的半导体装置的制造方法具有下述工序：在基板上涂布包含离子液体的液体材料以形成保护膜的工序；将形成有上述保护膜的上述基板进行大气输送的工序；以及从被大气输送的上述基板除去上述保护膜的工序。

公开(公告)号：CN108220922B

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN201711274133.8

申请日：2017-12-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田博一 ,  冈正浩 ,  石川拓 ,  渡部佳优 ,  米泽周平

IPC: C23C16/517 ,  C23C16/455 ,  C23C16/28

Abstract: 本发明涉及应用于半导体装置的成膜方法、硼膜以及成膜装置。在被调整为处理容器(2)内为0.67Pa～33.3Pa即5mTorr～250mTorr的范围内的压力的处理氛围中供给包含含硼气体的反应气体、例如B2H6气体和He气体，并使反应气体等离子体化。利用该等离子体，在晶圆形成硼膜。通过利用等离子体的能量进行成膜，能够使成膜处理时的温度下降，由此能够抑制热的影响地形成硼膜。硼膜的蚀刻耐性强、具备高的蚀刻选择比，因此作为半导体装置材料是有用的。

公开(公告)号：CN102326236A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN200980157258.X

申请日：2009-12-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田博一 ,  大泽佑介 ,  田中义伸

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/31612 ,  C23C16/402 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/51 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种硅氧化膜的成膜方法，其包含：在将保持被处理基板(W)的保持台(34)的表面温度保持在300℃以下的状态下，向处理容器(32)内供给硅化合物气体、氧化性气体及稀有气体，在处理容器(32)内生成微波等离子体而在被处理基板(W)形成硅氧化膜的工序；向处理容器(32)内供给氧化性气体及稀有气体，在处理容器(32)内生成微波等离子体，对形成于被处理基板(W)上的硅氧化膜进行等离子体处理的工序。

公开(公告)号：CN101604624B

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN200910147338.9

申请日：2009-06-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田博一 ,  田中义伸 ,  大塚康弘 ,  中桥政信

IPC: H01L21/00 ,  C23C16/455 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C16/4558

Abstract: 本发明提供一种气环、半导体基板处理装置及半导体基板处理方法。气环能从各气体喷出口均匀地喷出气体。气环(11)为环状，包括：将气体从外部导入到气环(11)内的气体导入口(12a)、(12b)；喷出从气体导入口(12a)、(12b)导入的气体的多个气体喷出口(18a)～(18h)；从气体导入口(12a)、(12b)到各气体喷出口(18a)～(18h)沿环状延伸的多个分支路(21a)～(21f)。在此，从各气体喷出口(18a)～(18h)到作为各分支路(21a)～(21f)的分支点的中央部(23a)、(23d)的距离分别相等。

公开(公告)号：CN118451538A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202280086614.9

申请日：2022-12-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田博一 ,  浅野昌史 ,  贝塚考亘 ,  大槻友志 ,  梅原康敏

IPC: H01L21/66 ,  C23C16/505 ,  H01L21/31 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明的判定方法包括：对形成有包含凹部的图案，在凹部进行了填埋材料的填埋的基板进行分光测量，测量填埋了填埋材料的基板的吸光度光谱的工序；和基于所测量的基板的吸光度光谱的多个波数下的强度的积分值，判定凹部的填埋状态的工序。

公开(公告)号：CN108987262B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN201810602823.X

申请日：2018-06-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 渡部佳优 ,  冈正浩 ,  上田博一

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供能够容易地除去硼膜并且能够局部选择性地除去微小部分的硼膜的除去方法和能够形成硼膜的微小图案的图案形成方法。包括：在氧化气氛下对通过CVD形成于基片上的硼膜整体地或者局部地进行热处理，使经过热处理的部分氧化的步骤；和利用水或者含有电解质离子的水溶液对硼膜的被氧化的部分进行除去的步骤。

公开(公告)号：CN112652513A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202011046684.0

申请日：2020-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  上田博一 ,  镰田英纪 ,  芦田光利 ,  军司勋男

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供处理方法和等离子体处理装置，能够维持等离子体电子密度并且降低等离子体电子温度。在处理基片的处理容器内使用等离子体进行的处理方法，其包括：将气体供给到上述处理容器内的步骤；和对上述处理容器内间歇地供给从多个微波导入组件输出的微波的功率的步骤，上述间歇地供给微波的功率的步骤，周期性地使多个上述微波导入组件的所有微波的功率的供给成为关断给定时间的状态。