公开(公告)号：CN102027580A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200980117522.7

申请日：2009-05-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田博一 ,  田中义伸 ,  大泽佑介 ,  野沢俊久 ,  松冈孝明

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8247 ,  H01L23/522 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/76224 ,  C23C16/402 ,  C23C16/511 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31612

Abstract: 将硅化合物气体、氧化气体、以及稀有气体供应至等离子体处理设备(1)的腔(2)内。将微波供应至腔(2)内，并利用由微波产生的等离子体在目标衬底上形成氧化硅膜。稀有气体的分压比率是硅化合物气体、氧化气体和稀有气体的总气体压力的10％或更小，并且硅化合物气体和氧化气体的有效流率(氧化气体/硅化合物气体)不小与3但不大于11。

公开(公告)号：CN102239545A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201080003486.4

申请日：2010-09-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田博一 ,  大泽佑介 ,  堀込正弘

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/66181

Abstract: 本发明涉及的成膜方法首先使成为半导体元件的基础的被处理基板(W)保持在保持台(34)上。接着，使成膜气体吸附到被处理基板(W)上(图6(A))。然后，为了除去多余吸附的成膜气体，对处理容器(32)内进行排气(图6(B))。在排气后，进行基于微波的等离子体的处理(图6(C))。在等离子体处理结束后，为了除去未反应的反应气体等，对处理容器(32)内进行排气(图6(D))。重复步骤(A)～步骤(D)的一连串流程直至成为所希望的膜厚。

公开(公告)号：CN102326236A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN200980157258.X

申请日：2009-12-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田博一 ,  大泽佑介 ,  田中义伸

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/31612 ,  C23C16/402 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/51 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种硅氧化膜的成膜方法，其包含：在将保持被处理基板(W)的保持台(34)的表面温度保持在300℃以下的状态下，向处理容器(32)内供给硅化合物气体、氧化性气体及稀有气体，在处理容器(32)内生成微波等离子体而在被处理基板(W)形成硅氧化膜的工序；向处理容器(32)内供给氧化性气体及稀有气体，在处理容器(32)内生成微波等离子体，对形成于被处理基板(W)上的硅氧化膜进行等离子体处理的工序。

公开(公告)号：CN103000511B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201210345507.1

申请日：2012-09-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大泽佑介 ,  大竹浩人 ,  铃木锐二 ,  考希克·艾润·库玛 ,  安德鲁·W·梅斯

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32247

Abstract: 本发明涉及干法金属蚀刻方法。描述用于蚀刻衬底上的含铝层的方法。该方法包括由包含卤族元素的处理成分形成等离子体并将衬底暴露于等离子体以蚀刻含铝层。该方法可以附加地包括将衬底暴露于含氧环境以氧化含铝层的表面并控制含铝层的蚀刻速率。该方法还可以包括由包括HBr以及具有化学式CxHyRz(其中R是卤族元素，x和y大于或等于一，z大于或等于零)的添加气体的处理成分形成第一等离子体，由包括HBr的处理成分形成第二等离子体，并将衬底暴露于第一等离子体和第二等离子体以蚀刻含铝层。

公开(公告)号：CN103000511A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210345507.1

申请日：2012-09-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大泽佑介 ,  大竹浩人 ,  铃木锐二 ,  考希克·艾润·库玛 ,  安德鲁·W·梅斯

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32247

Abstract: 本发明涉及干法金属蚀刻方法。描述用于蚀刻衬底上的含铝层的方法。该方法包括由包含卤族元素的处理成分形成等离子体并将衬底暴露于等离子体以蚀刻含铝层。该方法可以附加地包括将衬底暴露于含氧环境以氧化含铝层的表面并控制含铝层的蚀刻速率。该方法还可以包括由包括HBr以及具有化学式CxHyRz(其中R是卤族元素，x和y大于或等于一，z大于或等于零)的添加气体的处理成分形成第一等离子体，由包括HBr的处理成分形成第二等离子体，并将衬底暴露于第一等离子体和第二等离子体以蚀刻含铝层。