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公开(公告)号：CN102027580A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200980117522.7
申请日：2009-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/31 , H01L21/76 , H01L21/768 , H01L21/8247 , H01L23/522 , H01L27/115 , H01L29/78 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L21/76224 , C23C16/402 , C23C16/511 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/28273 , H01L21/31612
Abstract: 将硅化合物气体、氧化气体、以及稀有气体供应至等离子体处理设备(1)的腔(2)内。将微波供应至腔(2)内，并利用由微波产生的等离子体在目标衬底上形成氧化硅膜。稀有气体的分压比率是硅化合物气体、氧化气体和稀有气体的总气体压力的10％或更小，并且硅化合物气体和氧化气体的有效流率(氧化气体/硅化合物气体)不小与3但不大于11。
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公开(公告)号：CN101604624A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910147338.9
申请日：2009-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , C23C16/455 , C23C14/34
CPC classification number: C23C16/4558
Abstract: 本发明提供一种气环、半导体基板处理装置及半导体基板处理方法。气环能从各气体喷出口均匀地喷出气体。气环(11)为环状，包括：将气体从外部导入到气环(11)内的气体导入口(12a)、(12b)；喷出从气体导入口(12a)、(12b)导入的气体的多个气体喷出口(18a)～(18h)；从气体导入口(12a)、(12b)到各气体喷出口(18a)～(18h)沿环状延伸的多个分支路(21a)～(21f)。在此，从各气体喷出口(18a)～(18h)到作为各分支路(21a)～(21f)的分支点的中央部(23a)、(23d)的距离分别相等。
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公开(公告)号：CN102326236A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200980157258.X
申请日：2009-12-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/31612 , C23C16/402 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J2237/2001 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/0234 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L29/51 , H01L29/7833
Abstract: 一种硅氧化膜的成膜方法，其包含：在将保持被处理基板(W)的保持台(34)的表面温度保持在300℃以下的状态下，向处理容器(32)内供给硅化合物气体、氧化性气体及稀有气体，在处理容器(32)内生成微波等离子体而在被处理基板(W)形成硅氧化膜的工序；向处理容器(32)内供给氧化性气体及稀有气体，在处理容器(32)内生成微波等离子体，对形成于被处理基板(W)上的硅氧化膜进行等离子体处理的工序。
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公开(公告)号：CN101604624B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200910147338.9
申请日：2009-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , C23C16/455 , C23C14/34
CPC classification number: C23C16/4558
Abstract: 本发明提供一种气环、半导体基板处理装置及半导体基板处理方法。气环能从各气体喷出口均匀地喷出气体。气环(11)为环状，包括：将气体从外部导入到气环(11)内的气体导入口(12a)、(12b)；喷出从气体导入口(12a)、(12b)导入的气体的多个气体喷出口(18a)～(18h)；从气体导入口(12a)、(12b)到各气体喷出口(18a)～(18h)沿环状延伸的多个分支路(21a)～(21f)。在此，从各气体喷出口(18a)～(18h)到作为各分支路(21a)～(21f)的分支点的中央部(23a)、(23d)的距离分别相等。
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