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公开(公告)号：CN111630639B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201980008546.2
申请日：2019-01-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 实施方式的基板处理方法包括保持工序和供给工序。保持工序保持基板。供给工序将蚀刻液供给至保持工序中所保持的基板，所述蚀刻液含有：对在基板上露出的金属系的第1材料和硅系的第2材料进行蚀刻的蚀刻剂、以及第1材料和第2材料中、与第2材料反应而在第2材料的表面形成保护层的保护剂，蚀刻剂为含有氟原子和有机溶剂、且实质上不含水分的液体，保护层保护第2材料免受由蚀刻剂带来的蚀刻。
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公开(公告)号：CN115443523A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202180029630.X
申请日：2021-04-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , B05D3/12 , H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 本公开的一方式涉及的半导体装置的制造方法具有下述工序：在基板上涂布包含离子液体的液体材料以形成保护膜的工序；将形成有上述保护膜的上述基板进行大气输送的工序；以及从被大气输送的上述基板除去上述保护膜的工序。
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公开(公告)号：CN107437517B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201710375222.5
申请日：2017-05-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 提供一种基板清洗方法、基板清洗系统以及存储介质。不会对由与水发生反应而发生溶解或腐蚀的材料形成的基板的表面产生影响地将附着于基板的异物去除。实施方式所涉及的基板清洗方法包括以下工序：成膜处理液供给工序，向基板供给含有挥发成分且用于在基板上形成膜的成膜处理液；剥离处理液供给工序，对成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上发生固化或硬化所形成的处理膜供给使处理膜从基板剥离的剥离处理液；以及溶解处理液供给工序，在剥离处理液供给工序之后，对处理膜供给使处理膜溶解的溶解处理液。在此，成膜处理液含有极性有机物，剥离处理液是不含水分的非极性溶剂，溶解处理液是不含水分的极性溶剂。
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公开(公告)号：CN113451125A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110294301.X
申请日：2021-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/67 , H01L21/308
Abstract: 本发明的目的在于提供能够恰当地蚀刻在晶片形成的含硼硅膜的技术，本发明的一个方式的基片处理方法包括保持工序、供给的工序和蚀刻工序，保持工序保持形成有含硼硅膜的基片，供给工序向所保持的基片供给含有氢氟酸和硝酸的氧化水溶液，蚀刻工序利用氧化水溶液蚀刻基片的含硼硅膜。
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公开(公告)号：CN101253604A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200680022348.4
申请日：2006-03-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , B08B3/02 , G02F1/13 , G02F1/1333 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B3/024 , B08B3/04 , H01L21/6708 , Y10S134/902
Abstract: 本发明提出一种衬底(W)，它用处理液如去离子水进行处理。接着，从流体喷嘴(12)向衬底(W)的上表面供给比处理液更易挥发的第一流体以形成液体膜。接下来，当晶片(W)被旋转时，从流体喷嘴(12)向衬底(W)的上表面供给比处理液更易挥发的第二流体。在此供给操作期间，从衬底(W)的旋转中心(Po)朝外径向移动向衬底(W)供给第二流体的供给位置(Sf)。结果，在通过使用第一流体和第二流体干燥衬底(W)后可以防止在衬底(W)上产生颗粒。
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公开(公告)号：CN110491770B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201910402577.8
申请日：2019-05-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法、存储介质以及基板处理装置，能够抑制在基板的表面残留微粒。在基于本发明的基板处理方法中，在基板的表面形成保护液的液膜，使用超临界流体使基板干燥，并从基板的表面去除保护液。在使基板干燥之后，去除残留于基板的表面的微粒。
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公开(公告)号：CN111430266B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202010009300.1
申请日：2020-01-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及基板处理方法及基板处理装置。本发明的课题是提供能够改善针对多种材料暴露的基板的表面处理的选择性的技术。基于本公开的基板处理方法包括维持工序、供给工序、表面处理工序和去除工序。在维持工序中，将表面上暴露有金属即第一材料与第一材料以外的材料即第二材料的基板的至少表面所接触的气氛维持在脱氧气氛。在供给工序中，在利用维持工序维持在脱氧气氛的状态下，对基板的表面供给针对第一材料及第二材料中的第一材料选择性地形成膜的膜形成材料。在表面处理工序中，在通过供给工序在第一材料的表面形成了膜的状态下，进行第二材料的表面处理。在去除工序中，在表面处理工序后，从第一材料的表面去除膜。
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公开(公告)号：CN111630639A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201980008546.2
申请日：2019-01-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 实施方式的基板处理方法包括保持工序和供给工序。保持工序保持基板。供给工序将蚀刻液供给至保持工序中所保持的基板，所述蚀刻液含有：对在基板上露出的金属系的第1材料和硅系的第2材料进行蚀刻的蚀刻剂、以及第1材料和第2材料中、与第2材料反应而在第2材料的表面形成保护层的保护剂，蚀刻剂为含有氟原子和有机溶剂、且实质上不含水分的液体，保护层保护第2材料免受由蚀刻剂带来的蚀刻。
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公开(公告)号：CN100479107C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200580007876.8
申请日：2005-03-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , B05B7/04 , B08B3/02
CPC classification number: H01L21/67051 , B01F3/04049 , B05B7/0433 , B08B3/02 , Y10S134/902
Abstract: 本发明的目的在于，在内部混合气体和液体并将液滴与气体一起喷射而清洗基板的基板清洗用双流体喷嘴中，使液滴的粒径和速度均匀化。在基板清洗用双流体喷嘴中，具有：供给气体的气体供给通路、供给液体的液体供给通路、和将内部形成的液滴导出的导出通路，在上述导出通路的末端形成有用于向外部喷射液滴的喷射口，上述喷射口的截面积Sb形成得比上述导出通路的截面积Sa小，并且，上述气体供给通路的出口的截面积Sc形成得比上述导出通路的截面积Sa小。
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公开(公告)号：CN116848621A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202280012796.5
申请日：2022-01-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316
Abstract: 基板处理方法包括下述(A)～(C)。(A)：准备形成有介电常数比SiO2膜的介电常数高的高介电性膜的基板。(B)：对所述基板供给包含第二金属元素的金属溶液，所述第二金属元素是与所述高介电性膜中包含的第一金属元素相比电负性高或者价数低的金属元素。(C)：在所述高介电性膜的表面形成将所述第一金属元素置换为所述第二金属元素而得到的掺杂层。
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