公开(公告)号：CN101604624A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200910147338.9

申请日：2009-06-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田博一 ,  田中义伸 ,  大塚康弘 ,  中桥政信

IPC: H01L21/00 ,  C23C16/455 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C16/4558

Abstract: 本发明提供一种气环、半导体基板处理装置及半导体基板处理方法。气环能从各气体喷出口均匀地喷出气体。气环(11)为环状，包括：将气体从外部导入到气环(11)内的气体导入口(12a)、(12b)；喷出从气体导入口(12a)、(12b)导入的气体的多个气体喷出口(18a)～(18h)；从气体导入口(12a)、(12b)到各气体喷出口(18a)～(18h)沿环状延伸的多个分支路(21a)～(21f)。在此，从各气体喷出口(18a)～(18h)到作为各分支路(21a)～(21f)的分支点的中央部(23a)、(23d)的距离分别相等。

公开(公告)号：CN101604624B

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN200910147338.9

申请日：2009-06-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田博一 ,  田中义伸 ,  大塚康弘 ,  中桥政信

IPC: H01L21/00 ,  C23C16/455 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C16/4558

Abstract: 本发明提供一种气环、半导体基板处理装置及半导体基板处理方法。气环能从各气体喷出口均匀地喷出气体。气环(11)为环状，包括：将气体从外部导入到气环(11)内的气体导入口(12a)、(12b)；喷出从气体导入口(12a)、(12b)导入的气体的多个气体喷出口(18a)～(18h)；从气体导入口(12a)、(12b)到各气体喷出口(18a)～(18h)沿环状延伸的多个分支路(21a)～(21f)。在此，从各气体喷出口(18a)～(18h)到作为各分支路(21a)～(21f)的分支点的中央部(23a)、(23d)的距离分别相等。