公开(公告)号：CN103715274A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310286524.7

申请日：2013-07-09

Applicant: 先进动力设备技术研究协会

Inventor： 伊仓巧裕

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明的课题是提供抑制耐压性的降低的同时有效地抑制了漏电流的半导体装置。其具备：在基板上形成的，由III族氮化物系化合物半导体构成的电子传输层；在所述电子传输层上形成的，由带隙能量比所述电子传输层高的III族氮化物系化合物半导体构成的电子供给层；在所述电子供给层上形成的，由带隙能量比所述电子供给层低的非p型的III族氮化物系化合物半导体构成的场板层；以与在所述电子传输层的与所述电子供给层的界面产生的二维电子气层欧姆接触的方式形成的第1电极；以与所述二维电子气层以肖特基接触的方式形成的第2电极，在所述场板层的侧壁，所述第2电极与在所述场板层的与所述电子供给层的界面产生的二维空穴气欧姆接触。

公开(公告)号：CN103262225A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201280004168.9

申请日：2012-01-23

Applicant: 先进动力设备技术研究协会 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 神林宏 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L21/30621 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786

Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，其具有：第1牺牲层形成工序，形成与第1半导体层的至少一部分接触、第1半导体层中所包含的杂质的固溶度比第1半导体层高的第1牺牲层；退火工序，对第1牺牲层及第1半导体层进行退火；除去工序，用湿法工艺除去第1牺牲层；形成覆盖第1半导体层的至少一部分的绝缘层的工序，及对第1半导体层的一部分进行蚀刻的工序的至少一个工序；形成与第1半导体层电性地连接的电极层的电极形成工序。

公开(公告)号：CN103262214A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201280004156.6

申请日：2012-01-23

Applicant: 先进动力设备技术研究协会

Inventor： 岩见正之 ,  古川拓也

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7787

Abstract: GaN系半导体在晶面方位为(111)的硅基板上外延生长。GaN的晶格常数与硅(111)面的晶格常数之差大、约为17%，所以被生长的GaN中导入超过1010cm-2的位错。由于位错、使用GaN的晶体管的漏泄电流增大。另外，晶体管的迁移率降低。本发明公开了一种半导体基板，具有硅基板与在硅基板的(150)面上外延生长的氮化物半导体层。

公开(公告)号：CN102792422A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180011875.6

申请日：2011-03-02

Applicant: 先进动力设备技术研究协会 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 神林宏 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/28575 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66522

Abstract: 一种半导体晶体管的制造方法，在由GaN系的半导体构成的活性层上形成欧姆电极，该半导体晶体管的制造方法具备：在活性层(3)上形成由钽氮化物构成的第1层(11)、和层叠于第1层(11)上的由Al构成的第2层(12)的工序；通过以520℃以上、600℃以下的温度来对第1以及第2层(11、12)进行热处理，来形成与活性层(3)取得欧姆接触的欧姆电极(9s、9d)的工序。

公开(公告)号：CN102386216A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110243489.1

申请日：2011-08-22

Applicant: 先进动力设备技术研究协会

Inventor： 岩见正之

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L29/778 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/207 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明公开一种氮化物系化合物半导体以及氮化物系化合物半导体元件。氮化物系化合物半导体包含从Al、Ga、In和B中选择的1种以上的III族原子以及氮原子，作为添加物掺杂的金属原子与III族原子的晶格间隙原子形成复合物。优选的是所述添加物为铁或镍。优选的是金属原子的掺杂浓度与作为III族原子的Ga晶格间隙原子的浓度同程度。

公开(公告)号：CN103403840A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280011792.1

申请日：2012-05-10

Applicant: 先进动力设备技术研究协会

Inventor： 古川拓也 ,  加藤祯宏 ,  岩见正之 ,  内海诚

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/06 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种具有降低位错密度的缓冲层的半导体元件。该半导体元件包括：衬底，在衬底上方形成的缓冲区域，在缓冲区域上形成的活性层，以及在活性层上形成的至少2个电极；缓冲区域至少具有一层依次层积具有第1晶格常数的第1半导体层，具有与第1晶格常数不同的第2的晶格常数的第2半导体层，具有第1晶格常数和第2的晶格常数之间的第3晶格常数的第3半导体层得到的复合层。

公开(公告)号：CN103681832A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310288724.6

申请日：2013-07-10

Applicant: 先进动力设备技术研究协会

Inventor： 古川拓也 ,  品川达志 ,  岩见正之 ,  梅野和行 ,  加藤祯宏

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/04 ,  H01L29/15 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明的课题是提供抑制了漏电的氮化物系化合物半导体元件及其制造方法。该氮化物系化合物半导体元件具备：基板；在所述基板上形成的包含多层复合层的缓冲层，该复合层层叠有由氮化物系化合物半导体构成的第1层，和晶格常数比所述第1层小的、由含有铝的氮化物系化合物半导体构成的第2层；在所述缓冲层上形成的半导体工作层；以及在所述半导体工作层上形成的多个电极。所述第2层的至少一层添加了氧。

公开(公告)号：CN103531625A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310278096.3

申请日：2013-07-04

Applicant: 先进动力设备技术研究协会

Inventor： 岩见正之 ,  古川拓也

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/26546 ,  H01L29/155 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种漏电流低、且减少了电流崩塌现象的氮化物系化合物半导体元件。其具备：基板；在所述基板上隔着缓冲层而形成的第1氮化物系化合物半导体层；形成于所述第1氮化物系化合物半导体层上的、具有比该第1氮化物系化合物半导体的带隙大的带隙的第2氮化物系化合物半导体层；形成于所述第2氮化物系化合物半导体层上的电极。所述第2氮化物系化合物半导体层在表面附近具有掺杂了碳的区域。

公开(公告)号：CN103339733A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201280006501.X

申请日：2012-01-23

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  先进动力设备技术研究协会 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 寺本章伸 ,  神林宏 ,  上田博一 ,  两角友一朗 ,  原田豪繁 ,  长谷部一秀 ,  大见忠弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02274 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/28264 ,  H01L23/564 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体器件的制造方法是具有构成半导体层的GaN（氮化镓）的半导体器件的制造方法，其包括栅极绝缘膜形成工序（F），在具有GaN的氮化物层上，使用微波等离子体，形成由SiO2膜和Al2O3膜构成的组之中的至少一种膜，使所形成的膜成为栅极绝缘膜的至少一部分。

公开(公告)号：CN103022120A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210334383.7

申请日：2012-09-11

Applicant: 先进动力设备技术研究协会

Inventor： 岩见正之 ,  古川拓也

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/04 ,  H01L29/207 ,  H01L21/335 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体元件及其制造方法，所述氮化物半导体元件耐压高，且能有效地降低漏电流。该氮化物半导体元件，具有：基底基板；缓冲层，形成在基底基板的上方；活性层，形成在缓冲层上；以及至少两个电极，形成在活性层的上方，缓冲层具有1层以上的复合层，该复合层包含晶格常数不同的多个氮化物半导体层；复合层的至少1层中，在多个氮化物半导体层中的晶格常数最大的氮化物半导体层中的载流子区域，有意图地掺杂预先设定的浓度的碳原子和预先设定的浓度的氧原子。