-
公开(公告)号：CN102473593A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080029631.6
申请日：2010-06-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: A61K8/25 , A61K8/022 , A61K8/21 , A61K8/24 , A61K8/27 , A61Q11/00 , C03C3/062 , C03C3/097 , C03C3/112 , C03C4/0007 , C03C4/0021 , C03C4/0035 , C03C12/00 , H01J37/32935 , H01J37/3299 , H01L21/67288
Abstract: 本发明提供一种高精度地对装置中产生的异常进行检测的异常检测系统。对等离子体处理装置(2)所产生的异常进行检测的异常检测系统(100)具备：多个超声波传感器(41)，其检测由异常的产生所引起的AE；分配器(65)，其将超声波传感器(41)的各输出信号分别分配为第一信号和第二信号；触发器(52)，其例如以10kHz对第一信号进行采样，在检测出规定的特征时产生触发信号；触发产生时刻计数器(54)，其接收触发信号并决定触发产生时刻；数据记录器(55)，其例如以1MHz对第二信号进行采样来制作采样数据；以及PC(50)，其通过对采样数据中的与以由触发产生时刻计数器(54)决定的触发产生时刻为基准的固定期间相对应的数据进行波形分析，对等离子体处理装置(2)所产生的异常进行分析。
-
公开(公告)号：CN112334731B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN201980041067.0
申请日：2019-06-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 梅原康敏
IPC: G01B11/06
Abstract: 根据本公开的一个实施方式的膜厚测定装置包括：第一计算部，计算膜厚已知的第一晶圆的基准位置处的基准反射光谱信号与基准位置以外的各位置处的反射光谱信号之间的各相对反射率；确定部，确定由所述第一计算部计算出的各相对反射率与所述第一晶圆的各位置与所述聚光探针之间的各距离数据之间的关系；第二计算部，基于由所述确定部确定出的关系，计算与测定对象的第二晶圆的各位置与所述聚光探针之间的各距离数据相对应的各相对反射率；以及校正部，在计算所述第二晶圆的各位置处的膜厚时，基于由所述第二计算部计算出的各相对反射率，对所述基准反射光谱信号进行校正。
-
公开(公告)号：CN101587084A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910143026.0
申请日：2009-05-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01N21/956 , G01R31/28
Abstract: 本发明提供针迹检查装置、具有该装置的探测装置、以及针迹检查方法，其能够对检查之后的基板自动且高精度地检测电极垫的基底层的露出的有无等的露出状况。针迹检查装置包括：从摄像数据(D1)中抽出针迹区域(13)的针迹区域抽出部(50)，其中，该摄像数据(D1)是通过对电极垫(2)进行摄像的上照相机(72)得到的；对于针迹区域(13)，取得使在该针迹区域的长度方向延伸的中心线(P)上的像素的位置与像素的灰度级对应的灰度图案的灰度级数据取得部(51)；以及基于得到的灰度图案、和基底层(6)从针迹(10)露出时的基准图案，判定基底层(6)是否露出的深挖判定部(53)。
-
公开(公告)号：CN101587084B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200910143026.0
申请日：2009-05-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01N21/956 , G01R31/28
Abstract: 本发明提供针迹检查装置、具有该装置的探测装置、以及针迹检查方法，其能够对检查之后的基板自动且高精度地检测电极垫的基底层的露出的有无等的露出状况。针迹检查装置包括：从摄像数据(D1)中抽出针迹区域(13)的针迹区域抽出部(50)，其中，该摄像数据(D1)是通过对电极垫(2)进行摄像的上照相机(72)得到的；对于针迹区域(13)，取得使在该针迹区域的长度方向延伸的中心线(P)上的像素的位置与像素的灰度级对应的灰度图案的灰度级数据取得部(51)；以及基于得到的灰度图案、和基底层(6)从针迹(10)露出时的基准图案，判定基底层(6)是否露出的深挖判定部(53)。
-
公开(公告)号：CN101593714B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200910145228.9
申请日：2009-05-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够对检查之后的基板自动且高精度地检测电极垫的基地层的露出的有无等的露出状况的针迹检查装置、具有该装置的探测装置、和针迹检查方法，该针迹检查装置包括：取得从R成分数据(D2)、G成分数据(D3)和B成分数据(D4)中，根据电极垫(2)的材质与基底层(6)的材质的反射率的差而被选择的B成分数据(D4)的RGB成分取得部(50)；和对于B成分数据(D4)，为了与电极垫(2)区别开地取得基底层(6)的图像，求取被设定的灰度级与具有该灰度级的像素数的关系数据的B成分直方图取得部(52)，根据求得的直方图，判定针迹(10)中基底层(6)的露出的有无。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113405477A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110251055.X
申请日：2021-03-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 梅原康敏
IPC: G01B11/06
Abstract: 一种膜厚测定系统,其取得与形成有膜厚不同的第一膜的N个第一基板的表面的第一位置相关的分光数据,对N个第一基板的每一个取得第一位置的第一膜的膜厚,用摄像部对形成有膜厚不同的第二膜的N个第二基板的表面进行摄像而取得第一图像数据,对N个第二基板的每一个取得第一区域内的多个第一子区域中的第一颜色信息,取得第一区域内的第二膜的膜厚与该第一区域内的多个第一子区域的每一个的第一颜色信息的相关关系,使用摄像部对形成有第三膜的第三基板的表面进行摄像而取得第二图像数据,对多个第二子区域的每一个第二子区域取得第二颜色信息,由多个第二子区域的每一个的第二颜色信息和相关关系推定与第一区域对应的第二区域内的第三膜的膜厚。
-
公开(公告)号：CN112334731A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201980041067.0
申请日：2019-06-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 梅原康敏
IPC: G01B11/06
Abstract: 根据本公开的一个实施方式的膜厚测定装置包括：第一计算部，计算膜厚已知的第一晶圆的基准位置处的基准反射光谱信号与基准位置以外的各位置处的反射光谱信号之间的各相对反射率；确定部，确定由所述第一计算部计算出的各相对反射率与所述第一晶圆的各位置与所述聚光探针之间的各距离数据之间的关系；第二计算部，基于由所述确定部确定出的关系，计算与测定对象的第二晶圆的各位置与所述聚光探针之间的各距离数据相对应的各相对反射率；以及校正部，在计算所述第二晶圆的各位置处的膜厚时，基于由所述第二计算部计算出的各相对反射率，对所述基准反射光谱信号进行校正。
-
公开(公告)号：CN102473593B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201080029631.6
申请日：2010-06-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: A61K8/25 , A61K8/022 , A61K8/21 , A61K8/24 , A61K8/27 , A61Q11/00 , C03C3/062 , C03C3/097 , C03C3/112 , C03C4/0007 , C03C4/0021 , C03C4/0035 , C03C12/00 , H01J37/32935 , H01J37/3299 , H01L21/67288
Abstract: 本发明提供一种高精度地对装置中产生的异常进行检测的异常检测系统。对等离子体处理装置(2)所产生的异常进行检测的异常检测系统(100)具备：多个超声波传感器(41)，其检测由异常的产生所引起的AE；分配器(65)，其将超声波传感器(41)的各输出信号分别分配为第一信号和第二信号；触发器(52)，其例如以10kHz对第一信号进行采样，在检测出规定的特征时产生触发信号；触发产生时刻计数器(54)，其接收触发信号并决定触发产生时刻；数据记录器(55)，其例如以1MHz对第二信号进行采样来制作采样数据；以及PC(50)，其通过对采样数据中的与以由触发产生时刻计数器(54)决定的触发产生时刻为基准的固定期间相对应的数据进行波形分析，对等离子体处理装置(2)所产生的异常进行分析。
-
公开(公告)号：CN118451538A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202280086614.9
申请日：2022-12-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/66 , C23C16/505 , H01L21/31 , H01L21/677
Abstract: 本发明的判定方法包括：对形成有包含凹部的图案，在凹部进行了填埋材料的填埋的基板进行分光测量，测量填埋了填埋材料的基板的吸光度光谱的工序；和基于所测量的基板的吸光度光谱的多个波数下的强度的积分值，判定凹部的填埋状态的工序。
-
公开(公告)号：CN115336016A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202180023133.9
申请日：2021-03-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 梅原康敏
Abstract: 一种分光分析系统,具有:光源,其具有包括发光二极管(51X)、以对自上述发光二极管(51X)输出的光的波长进行转换的方式构成的波长转换部(52X)及以对自上述波长转换部(52X)输出的光进行聚光的方式构成的聚光部(54X)的光源、以及以对自光的波长不同的上述多个发光元件输出的光进行混合的方式构成的混合部；以及分光测定部,其以对自上述光源照射且自上述对象物反射的光进行分光而取得分光数据的方式构成。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.022 seconds)
