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公开(公告)号：CN113615322B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202080024028.2
申请日：2020-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置中的等离子体处理方法，所述等离子体处理装置包括腔室、用于在所述腔室内载置基片的载置台、用于辐射多个电磁波的多个辐射部、和配置在多个所述辐射部与所述载置台之间的电介质窗，所述等离子体处理方法的特征在于，包括：在所述载置台上准备基片的工序；控制从多个所述辐射部辐射的多个所述电磁波中的至少任一个电磁波的相位的工序；从多个所述辐射部向所述腔室内辐射多个所述电磁波的工序；和利用从被供给到所述电介质窗与所述载置台之间的气体生成的局部等离子体对所述基片进行处理的工序。
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公开(公告)号：CN116544091A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310057808.2
申请日：2023-01-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，在批量式的等离子体处理装置中更精密地对基板进行等离子体处理。所述等离子体处理装置具备：基板保持部，其能够将多张基板在高度方向上分多层地载置；以及处理容器，其收容所述基板保持部，具有对所述基板进行加热的加热部，其中，所述基板保持部具有由电介体形成的多个载置台、以及埋设于多个所述载置台内的第一电极层和第二电极层。
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公开(公告)号：CN115811823A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211071966.5
申请日：2022-09-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/24
Abstract: 本发明提供等离子体源和等离子体处理装置，其能够容易地进行等离子体点火，提高气体的分解效率。等离子体源包括：等离子体生成部，其包括具开口的第一壁和与上述第一壁相对的第二壁，并构成等离子体生成空间；电介质窗，其以封闭上述开口的方式设置于上述第一壁，构成为能够使电磁波透射到上述等离子体生成空间；以及突出部，其设置于上述第二壁，以靠近上述电介质窗的方式从上述第二壁突出，且至少一部分包含导体，在上述突出部设置有朝向上述电介质窗开口的气孔。
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公开(公告)号：CN113140910A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110011263.2
申请日：2021-01-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够抑制天线之间的电磁耦合的阵列天线和等离子体处理装置。阵列天线对等离子体处理装置的腔室内辐射电磁波，包括：多个天线；和隔开间隔地配置于多个上述天线之间的多个防耦合元件，多个上述防耦合元件分别包括：在上述腔室内连接于构成接地面的顶壁的第1部件；和连接于上述第1部件的前端或者其附近的第2部件。
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公开(公告)号：CN112788826A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011154008.5
申请日：2020-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供与多个天线的配置无关地、能够自由地进行等离子体分布控制的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置包括：腔室，其具有对基片实施等离子体处理的处理空间和合成电磁波的合成空间；分隔处理空间和合成空间的电介质窗；天线单元，其具有对合成空间辐射电磁波的多个天线，并作为相控阵天线发挥作用；对天线单元输出电磁波的电磁波输出部；以及使天线单元作为相控阵天线发挥作用的控制部，天线是螺旋形天线。
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公开(公告)号：CN110021514A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811516404.0
申请日：2018-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种天线和等离子体成膜装置，目的在于高效地供给VHF的高频电力。天线具有：第一供电部，其供给VHF的高频电力；以及第二供电部，经由所述第一供电部向所述第二供电部供给所述VHF的高频电力，其中，在所述第二供电部的侧方连接所述第一供电部的前端部，第二供电部在所述第一供电部的前端部的上方和下方具有一对金属反射板，所述一对金属反射板的间隔为λg/4+λg×n/2(λg：VHF的电磁波的管内波长，n：0以上的整数)。
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公开(公告)号：CN109982500A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811532348.X
申请日：2018-12-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置，具有能够使等离子体密度增加的构造。该微波等离子体处理装置具有：微波供给部，其供给微波；微波辐射构件，其设置在处理容器的顶壁之上，辐射从所述微波供给部供给的微波；以及包括电介质的微波透过构件，其以封闭所述顶壁的开口的方式设置，并且使经由所述微波辐射构件而通过了缝隙天线的微波透过，其中，在将从所述顶壁的开口透过所述微波透过构件而在该顶壁的表面传输的微波的表面波的波长设为λsp时，在所述顶壁的比所述开口靠外侧的位置形成深度处于λsp/4±λsp/8的范围内的凹部。
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公开(公告)号：CN104472020B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201380036701.4
申请日：2013-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/00 , C23C16/511 , H01L21/304 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H05H1/46
CPC classification number: G01R27/06 , G01R27/28 , H01J37/321 , H01J37/32192 , H01J37/32926 , H05H1/46 , H05H2001/463 , H05H2001/4682
Abstract: 等离子体处理装置(1)包括处理容器(2)和具有多个微波导入组件(61)的微波导入装置(5)。向多个微波导入组件(61)中的每个导入微波，基于该微波和从处理容器(2)反射至多个微波导入组件(61)的反射微波，求取多个微波导入组件(61)的每个组合的S参数。
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公开(公告)号：CN102655708B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210050402.3
申请日：2012-02-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/3222 , C23C16/274
Abstract: 本发明涉及表面波等离子体产生用天线及表面波等离子体处理装置。该表面波等离子体产生用天线用于将从微波输出部通过由外侧导体与内侧导体构成的同轴状的波导传输来的微波放射到腔室内，在腔室内产生表面波等离子体，该表面波等离子体产生用天线呈平面状，并且多个缝隙形成为圆周状，并且，在圆周方向上邻接的缝隙与缝隙的相接部分处，这些缝隙在径向上重叠，其相接部分呈被缝隙包围的状态。
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公开(公告)号：CN104472020A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380036701.4
申请日：2013-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/00 , C23C16/511 , H01L21/304 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H05H1/46
CPC classification number: G01R27/06 , G01R27/28 , H01J37/321 , H01J37/32192 , H01J37/32926 , H05H1/46 , H05H2001/463 , H05H2001/4682
Abstract: 等离子体处理装置(1)包括处理容器(2)和具有多个微波导入组件(61)的微波导入装置(5)。向多个微波导入组件(61)中的每个导入微波，基于该微波和从处理容器(2)反射至多个微波导入组件(61)的反射微波，求取多个微波导入组件(61)的每个组合的S参数。
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