公开(公告)号：CN103339733B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280006501.X

申请日：2012-01-23

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社 ,  富士电机株式会社

Inventor： 寺本章伸 ,  神林宏 ,  上田博一 ,  两角友一朗 ,  原田豪繁 ,  长谷部一秀 ,  大见忠弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02274 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/28264 ,  H01L23/564 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体器件的制造方法是具有构成半导体层的GaN（氮化镓）的半导体器件的制造方法，其包括栅极绝缘膜形成工序（F），在具有GaN的氮化物层上，使用微波等离子体，形成由SiO2膜和Al2O3膜构成的组之中的至少一种膜，使所形成的膜成为栅极绝缘膜的至少一部分。

公开(公告)号：CN103339733A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201280006501.X

申请日：2012-01-23

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  先进动力设备技术研究协会 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 寺本章伸 ,  神林宏 ,  上田博一 ,  两角友一朗 ,  原田豪繁 ,  长谷部一秀 ,  大见忠弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02274 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/28264 ,  H01L23/564 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体器件的制造方法是具有构成半导体层的GaN（氮化镓）的半导体器件的制造方法，其包括栅极绝缘膜形成工序（F），在具有GaN的氮化物层上，使用微波等离子体，形成由SiO2膜和Al2O3膜构成的组之中的至少一种膜，使所形成的膜成为栅极绝缘膜的至少一部分。

公开(公告)号：CN119069330A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202410640320.7

申请日：2024-05-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  和村有 ,  长谷部一秀 ,  两角友一朗

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够促进基板处理的均匀性、且能够提高生产率的技术。基板处理装置具备：处理容器；旋转台，其可旋转地设置在所述处理容器的内部；多个载置台，其在从旋转台的旋转中心离开的位置载置基板，且可相对于旋转台相对旋转。另外，基板处理装置具有配置在多个载置台的中心伴随旋转台的旋转而通过的位置上的多个喷嘴。多个喷嘴包含：处理气体排出部，其对于随着旋转台的旋转而移动的多个载置台的基板，向比该基板的半径短的径向范围排出处理气体；以及气体吸引部，其在比处理气体排出部靠外侧吸引气体。

公开(公告)号：CN103928316A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410021187.3

申请日：2014-01-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 村上博纪 ,  池内俊之 ,  佐藤润 ,  两角友一朗

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/67757

Abstract: 本发明涉及硅氧化物膜的成膜方法。该方法具备：(1)在被处理体的作为被处理面的基底上形成硅膜的工序、和(2)将前述硅膜氧化而在前述基底上形成硅氧化物膜的工序；在前述(1)工序和前述(2)工序之间，具备：(3)在将前述硅膜氧化之前，将形成有前述硅膜的前述被处理体暴露于至少包含氧化成分的气氛中的工序。

公开(公告)号：CN102655085A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201210048533.8

申请日：2012-02-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 两角友一朗 ,  菱屋晋吾 ,  原田豪繁

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/34

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28562

Abstract: 本发明提供氮化钛膜的形成方法和氮化钛膜的形成装置。在氮化钛膜的形成方法中，首先，利用升温用加热器将收容有半导体晶圆的反应管内加热到200℃～350℃。接着，向反应管内供给含有钛原料的成膜用气体而在半导体晶圆上形成氮化钛膜。该钛原料采用不含有氯原子而含有钛的甲基环戊二烯基三(二甲基氨基)钛。

公开(公告)号：CN102290359A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110165910.1

申请日：2011-06-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 浅利伸二 ,  佐藤泉 ,  两角友一朗

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/67 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67303 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67309

Abstract: 本发明提供支承体构造、处理容器构造及处理装置。该支承体构造在供处理气体从一侧朝向另一侧沿水平方向流动的处理容器构造内支承要处理的多张被处理体(W)，包括顶板部(92)、底部(94)和多个支承支柱(96)，多个支承支柱(96)将顶板部和底部连结起来，沿着其长度方向以规定的间距形成有用于支承被处理体的多个支承部(100)，并且，多个支承部中的最上层的支承部与顶板部(92)之间的距离以及多个支承部中的最下层的支承部与底部(94)之间的距离均被设定为支承部之间的间距以下的长度。由此，抑制了在支承体构造的上下的两端部侧产生气体的湍流。

公开(公告)号：CN101078110A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200710104875.6

申请日：2007-05-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 两角友一朗 ,  小柳贤一 ,  荒尾孝 ,  宇根和德

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/448

CPC classification number: C23C16/45548 ,  C23C16/405

Abstract: 本发明公开了用于在ALD成膜装置中有效地抑制由不可避免地附着在反应管内面上的不需要的膜的剥离而产生的颗粒的技术。为了防止不需要的膜的剥离，进行用ALD法使金属氧化物膜、例如氧化铝膜堆积在上述不需要的膜上的预涂层处理。使预涂层处理时将作为预涂层用气体的臭氧供给反应管内的喷嘴种类和/或配置位置，与在半导体基板上成膜处理时将作为成膜用气体的臭氧供给反应管内的喷嘴不同。

公开(公告)号：CN103928316B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201410021187.3

申请日：2014-01-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 村上博纪 ,  池内俊之 ,  佐藤润 ,  两角友一朗

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/67757

Abstract: 本发明涉及硅氧化物膜的成膜方法。该方法具备：(1)在被处理体的作为被处理面的基底上形成硅膜的工序、和(2)将前述硅膜氧化而在前述基底上形成硅氧化物膜的工序；在前述(1)工序和前述(2)工序之间，具备：(3)在将前述硅膜氧化之前，将形成有前述硅膜的前述被处理体暴露于至少包含氧化成分的气氛中的工序。

公开(公告)号：CN102437071B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201110303058.X

申请日：2011-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 两角友一朗 ,  佐藤泉

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/46

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67303

Abstract: 本发明提供一种立式热处理装置，包括：立式的反应管，具有呈搁板状地保持多张基板且对基板进行热处理的基板保持件，在其周围配置有加热部；处理气体供给部，设在反应管的长度方向上，为了向保持在基板保持件的各基板供给处理气体，在与各基板相对应的高度位置形成有气体喷出口；排气口，形成在反应管的相对于反应管的中心来说与气体喷出口相反的一侧的位置，基板保持件具有：多个圆形状的保持板，每个保持板形成有多个基板载置区域，且各保持板彼此层叠；支柱，贯穿各保持板地在该各保持板的周向上设有多个，在反应管的径向上，支柱在使支柱的外侧部位处于与各保持板的外缘相同的位置或者比该位置靠内侧的位置贯穿各保持板，从而支承各保持板。

公开(公告)号：CN102956447B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201210285230.8

申请日：2012-08-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木启介 ,  门永健太郎 ,  两角友一朗

IPC: H01L21/205 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/91 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L27/10852

Abstract: 本发明提供一种成膜方法、包含该成膜方法的半导体装置的制造方法、成膜装置、及半导体装置。半导体装置包括场效应晶体管、及具有柱状形状的电容器，其中，该半导体装置还包括：第1电极，其与上述场效应晶体管的杂质扩散区域电连接且具有柱状形状；电介质膜，其形成于上述第1电极的至少侧面上；第2电极，其形成于上述电介质膜上；支承膜，其由添加有硼的氮化硅膜形成，该支承膜沿与具有上述柱状形状的上述第1电极的长度方向相交叉的方向延伸，贯穿上述第2电极的至少一部分且将上述第1电极连结起来，利用该半导体装置能够解决本发明的问题。