公开(公告)号：CN110396678A

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201910316597.3

申请日：2019-04-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山口达也 ,  新纳礼二 ,  饭塚洋二

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明提供在对基板供给相互反应而成为膜物质的成膜气体、形成由膜物质构成的膜的成膜装置中，生产率高、且提高在基板形成的膜的膜厚的面内均匀性和面间均匀性的技术。在处理容器内设置使基板绕旋转轴公转的旋转台，构成为进行载置于旋转台的加热。另外，配置向旋转台吐出成膜气体的气体供给部，使其在旋转台旋转时与基板发生移动的移动区域相对，设置气体供给孔使其从旋转台的中心侧至周缘侧的范围与移动区域交叉。而且在移动区域中的互相重叠的区域同时供给第一成膜气体和第二成膜气体。因此，能够连续处理多个基板，因此生产率提高，并且在基板形成的膜的膜厚的面内均匀性和面间均匀性良好。

公开(公告)号：CN115443523A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202180029630.X

申请日：2021-04-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田博一 ,  岩下光秋 ,  梅下尚己 ,  饭塚洋二 ,  早川崇 ,  关口贤治 ,  秋山浩二

IPC: H01L21/304 ,  B05D3/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683

Abstract: 本公开的一方式涉及的半导体装置的制造方法具有下述工序：在基板上涂布包含离子液体的液体材料以形成保护膜的工序；将形成有上述保护膜的上述基板进行大气输送的工序；以及从被大气输送的上述基板除去上述保护膜的工序。

公开(公告)号：CN110880463A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910842127.0

申请日：2019-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽秀二 ,  饭塚洋二 ,  山口达也

IPC: H01L21/67 ,  C23C14/56 ,  C23C14/24 ,  C23C14/12

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置抑制附着于排气路径的沉积物。所述基板处理装置具备处理室、第一气体供给部、排气装置、第一排气管以及能量供给装置。处理室收容被处理基板。第一气体供给部通过向处理室内供给包含第一单体的气体和包含通过与第一单体发生聚合反应来形成聚合物的第二单体的气体，来在被处理基板形成聚合物的膜。排气装置对处理室内的气体进行排气。第一排气管将处理室与排气装置连接。能量供给装置向在第一排气管内流动的气体供给能量，由此使从处理室排出的气体中包含的第一单体和第二单体中的至少任一方的未反应成分低分子化。

公开(公告)号：CN110880463B

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN201910842127.0

申请日：2019-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽秀二 ,  饭塚洋二 ,  山口达也

IPC: H01L21/67 ,  C23C14/56 ,  C23C14/24 ,  C23C14/12

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置抑制附着于排气路径的沉积物。所述基板处理装置具备处理室、第一气体供给部、排气装置、第一排气管以及能量供给装置。处理室收容被处理基板。第一气体供给部通过向处理室内供给包含第一单体的气体和包含通过与第一单体发生聚合反应来形成聚合物的第二单体的气体，来在被处理基板形成聚合物的膜。排气装置对处理室内的气体进行排气。第一排气管将处理室与排气装置连接。能量供给装置向在第一排气管内流动的气体供给能量，由此使从处理室排出的气体中包含的第一单体和第二单体中的至少任一方的未反应成分低分子化。

公开(公告)号：CN102034726A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010290469.5

申请日：2010-09-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 饭塚洋二

IPC: H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67742 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67754

Abstract: 本发明提供可快速地运送基片并有助于提高生产能力的处理模块、包括该处理模块的基片处理装置以及它们中的基片运送方法。根据本发明一个实施方式的处理模块(15)包括：载置部(15S)，其载置基片(W)，被载置的所述基片(W)被进行基片处理；以及基片运送机构(150)，其包括多个基片保持用具(15U、15M、15D)，所述多个基片保持用具(15U、15M、15D)能够分别独立地位于第一位置或第二位置并且能够分别保持基片，其中，所述第一位置是相对于外部的基片运送装置(16)进行基片交接的位置，并且所述第二位置是所述载置部(15S)的上方的位置。