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公开(公告)号：CN101604624B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200910147338.9
申请日：2009-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , C23C16/455 , C23C14/34
CPC classification number: C23C16/4558
Abstract: 本发明提供一种气环、半导体基板处理装置及半导体基板处理方法。气环能从各气体喷出口均匀地喷出气体。气环(11)为环状，包括：将气体从外部导入到气环(11)内的气体导入口(12a)、(12b)；喷出从气体导入口(12a)、(12b)导入的气体的多个气体喷出口(18a)～(18h)；从气体导入口(12a)、(12b)到各气体喷出口(18a)～(18h)沿环状延伸的多个分支路(21a)～(21f)。在此，从各气体喷出口(18a)～(18h)到作为各分支路(21a)～(21f)的分支点的中央部(23a)、(23d)的距离分别相等。
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公开(公告)号：CN102867724B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201210230040.6
申请日：2012-07-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32192 , H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: 本发明提供一种能够抑制附着物的产生的等离子体处理装置。一实施方式的等离子体处理装置具有处理容器、气体供给部、导入部、保持构件以及聚焦环。在处理容器中划分出的处理空间内，利用从导入部导入的能量使从气体供给部供给的处理气体产生等离子体。在该处理空间内配置有保持构件和聚焦环，该保持构件用于保持被处理基体，该聚焦环以包围该保持构件的端面的方式设置。在保持构件的端面与聚焦环之间划分有350μm以下的间隙。
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公开(公告)号：CN102576673B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201080047610.7
申请日：2010-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/68735 , H01L21/6875
Abstract: 本发明提供试样台和微波等离子体处理装置。试样台通过利用研磨加工使接触面具有平滑性并将接触面设成大致凹形状，能够稳定地保持半导体晶圆，微波等离子体处理装置具有该试样台。对要实施等离子体处理的半导体晶圆(W)进行保持的试样台(2)包括：吸附板，其具有被实施研磨加工的、与半导体晶圆面接触的接触面，并对与该接触面面接触的半导体晶圆进行吸附；支承基板，其具有与该吸附板的非接触面相粘接的凹面，上述凹面的大致中央部的深度同上述凹面的从该中央部远离的远离部位的深度之差大于上述吸附板的与该中央部接触的部位的厚度同上述吸附板的与上述远离部位接触的部位的厚度之差。另外，微波等离子体处理装置具有试样台。
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公开(公告)号：CN102576673A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080047610.7
申请日：2010-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/68735 , H01L21/6875
Abstract: 本发明提供试样台和微波等离子体处理装置。试样台通过利用研磨加工使接触面具有平滑性并将接触面设成大致凹形状，能够稳定地保持半导体晶圆，微波等离子体处理装置具有该试样台。对要实施等离子体处理的半导体晶圆(W)进行保持的试样台(2)包括：吸附板，其具有被实施研磨加工的、与半导体晶圆面接触的接触面，并对与该接触面面接触的半导体晶圆进行吸附；支承基板，其具有与该吸附板的非接触面相粘接的凹面，上述凹面的大致中央部的深度同上述凹面的从该中央部远离的远离部位的深度之差大于上述吸附板的与该中央部接触的部位的厚度同上述吸附板的与上述远离部位接触的部位的厚度之差。另外，微波等离子体处理装置具有试样台。
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公开(公告)号：CN101604624A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910147338.9
申请日：2009-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , C23C16/455 , C23C14/34
CPC classification number: C23C16/4558
Abstract: 本发明提供一种气环、半导体基板处理装置及半导体基板处理方法。气环能从各气体喷出口均匀地喷出气体。气环(11)为环状，包括：将气体从外部导入到气环(11)内的气体导入口(12a)、(12b)；喷出从气体导入口(12a)、(12b)导入的气体的多个气体喷出口(18a)～(18h)；从气体导入口(12a)、(12b)到各气体喷出口(18a)～(18h)沿环状延伸的多个分支路(21a)～(21f)。在此，从各气体喷出口(18a)～(18h)到作为各分支路(21a)～(21f)的分支点的中央部(23a)、(23d)的距离分别相等。
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公开(公告)号：CN102867724A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210230040.6
申请日：2012-07-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32192 , H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: 本发明提供一种能够抑制附着物的产生的等离子体处理装置。一实施方式的等离子体处理装置具有处理容器、气体供给部、导入部、保持构件以及聚焦环。在处理容器中划分出的处理空间内，利用从导入部导入的能量使从气体供给部供给的处理气体产生等离子体。在该处理空间内配置有保持构件和聚焦环，该保持构件用于保持被处理基体，该聚焦环以包围该保持构件的端面的方式设置。在保持构件的端面与聚焦环之间划分有350μm以下的间隙。
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公开(公告)号：CN300807135D
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200730144529.1
申请日：2007-04-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 仰视图、左视图分别与俯视图、右视图对称，故省略仰视图和左视
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公开(公告)号：CN300764254D
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200730144528.7
申请日：2007-04-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 仰视图、左视图分别与俯视图、右视图对称，故省略仰视图和左视图。
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