公开(公告)号：CN1549307A

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN03131382.5

申请日：2003-05-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  庄平 ,  林俞良 ,  周梅生 ,  罗冠腾

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3105 ,  G03F7/26 ,  B08B3/00

Abstract: 本发明涉及一种清洗孔洞材料的方法及其装置；此方法及其装置是在利用超临界流体清洗孔洞材料上的制程残余物时，先在低压状态下使流体注入孔洞，再将反应压力从低压渐升至产生超临界流体的高压；如此一来，可平衡孔洞材料的内外压力，达到降低压力对孔洞材料的冲击的目的。

公开(公告)号：CN100416796C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200610083378.8

申请日：2006-06-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  曾伟雄 ,  罗冠腾 ,  汪青蓉

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/963 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是有关于一种利用超临界流体处理的双镶嵌结构及其形成方法，该方法是提供一单一制程，以去除光阻同时避免及修补电浆蚀刻损伤，并且移除该介电层中的吸收水气。该方法包括提供一基底，包括一最上层的光阻层以及一开口延伸穿过一金属层间介电层的一厚度，以暴露一下方金属区域。进行至少一超临界流体处理以移除最上层的该光阻层。此超临界流体处理包含超临界二氧化碳、一辅溶剂、以及一添加物。此添加物是选自由一金属腐蚀抗剂及一金属抗氧化剂所组成的群组。此超临界流体处理亦包含一选择性介电绝缘层的化学键形成剂。本发明可以减少电浆蚀刻损伤并且改善低介电值材料的绝缘特性。

公开(公告)号：CN100378926C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200510072820.2

申请日：2005-05-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  庄平 ,  巫尚霖 ,  林俞良 ,  涂宏荣 ,  周梅生 ,  罗冠腾

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/47 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02203 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/312 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249987

Abstract: 本发明提供一种在有孔结构表面上产生一薄膜的方法和产物，其中该方法包含以下步骤：提供一包含有机材料的有孔结构表面，一个或多个孔洞在该有孔结构表面上具有开口；以一超临界流体接触该有孔结构表面，其中该超临界流体包括一溶剂，以溶合该有孔结构表面和所述孔洞的壁面而形成一溶合有机材料；以及相转变该溶合有机材料，以在该有孔结构表面上形成一密度比该有孔结构的密度更高的、且无孔的薄膜，由该薄膜封闭所述孔洞。由此，使得其表面平坦或无孔，且使得基体或薄膜的机械强度更佳。

公开(公告)号：CN1271686C

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN03131382.5

申请日：2003-05-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  庄平 ,  林俞良 ,  周梅生 ,  罗冠腾

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3105 ,  G03F7/26 ,  B08B3/00

Abstract: 本发明涉及一种清洗孔洞材料的方法及其装置；此方法及其装置是在利用超临界流体清洗孔洞材料上的工艺残余物时，先在低压状态下使流体注入孔洞，再将反应压力从低压渐升至产生超临界流体的高压；如此一来，可平衡孔洞材料的内外压力，达到降低压力对孔洞材料的冲击的目的。

公开(公告)号：CN1472361A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN02127845.8

申请日：2002-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄平 ,  李鸿业 ,  罗冠腾

IPC: C23F1/24

Abstract: 一种蚀刻剂及其在提高蚀刻选择比(EtchingSelectivity)上的应用，此蚀刻剂至少包括磷酸(Phosphoric Acid；H3PO4)与可溶性硅(Si)化合物，例如含卤素的硅化合物或含卤素的硅化合物及其衍生物。此蚀刻剂应用在蚀刻氮化硅(SiN4)时，由于可溶性硅化合物与水产生水解反应，因此可有效提升氮化硅与氧化硅(SiO2)之间的蚀刻选择比。

公开(公告)号：CN101504543B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200810181222.2

申请日：2008-11-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊贤 ,  柯俊成 ,  左克伟 ,  罗冠腾 ,  汪青蓉

IPC: G05B19/418 ,  H01L21/00 ,  H01L21/66

CPC classification number: Y02P90/02

Abstract: 本发明涉及关键工艺参数的提取，提供了一种系统、方法与计算机可读取媒体，以用来提取与选出的装置参数有关的关键工艺参数。在一实施例中，使用基因地图分析来确定关键工艺参数。基因地图分析包括将高度相关的工艺参数分组，并确定群组与选出的装置参数的相关性。在一实施例中，与选出的装置参数有最大相关性的群组会被显示在相关性矩阵和/或基因地图中。

公开(公告)号：CN101299150B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200710163203.2

申请日：2007-10-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 汪青蓉 ,  柯俊成 ,  陈炳旭 ,  罗冠腾 ,  赖志维

IPC: G05B19/048 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L22/20 ,  G01N21/9501 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明涉及一种监控和预测晶片平整度的方法及应用该方法的半导体晶片的制造方法，该包括下述步骤：选择一晶片参数。收集包括有第一晶片与第二晶片的晶片参数测量结果的制造数据，其中第一晶片与该第二晶片均与一产品型态匹配，并且均经由同一加工工具进行处理。使用制造数据决定第一晶片和第二晶片的晶片参数的平均偏差值变量曲线。使用平均偏差值变量曲线来预测第三晶片的预测偏差值变量曲线，其中第三晶片与上述产品型态匹配，并且经由同一加工工具进行处理。

公开(公告)号：CN1941321A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610083378.8

申请日：2006-06-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  曾伟雄 ,  罗冠腾 ,  汪青蓉

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/963 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是有关于一种利用超临界流体处理的双镶嵌结构及其形成方法，该方法是提供一单一制程，以去除光阻同时避免及修补电浆蚀刻损伤，并且移除该介电层中的吸收水气。该方法包括提供一基底，包括一最上层的光阻层以及一开口延伸穿过一金属层间介电层的一厚度，以暴露一下方金属区域。进行至少一超临界流体处理以移除最上层的该光阻层。此超临界流体处理包含超临界二氧化碳、一辅溶剂、以及一添加物。此添加物是选自由一金属腐蚀抗剂及一金属抗氧化剂所组成的群组。此超临界流体处理亦包含一选择性介电绝缘层的化学键形成剂。本发明可以减少电浆蚀刻损伤并且改善低介电值材料的绝缘特性。

公开(公告)号：CN1702842A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510072820.2

申请日：2005-05-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  庄平 ,  巫尚霖 ,  林俞良 ,  涂宏荣 ,  周梅生 ,  罗冠腾

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/47 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02203 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/312 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249987

Abstract: 一种例如用于集成电路的多孔性低介电常数(K)介电材质层的有机层，其表面具有具开口的孔洞。为了封闭这些孔洞，有机层会与一超临界流体接触，而且超临界流体是一种适用于有机层的溶剂。在小量的表面及孔洞的壁面被溶解后，被溶解的有机材料的相转变会在表面发生，产生一相对致密、平坦且无孔的薄膜覆盖表面，而封闭具开口的孔洞。由此，使得其表面平坦或无孔，且使得基体或薄膜的机械强度更佳。

公开(公告)号：CN1485888A

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN02144250.9

申请日：2002-09-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张肇荣 ,  陈炳旭 ,  彭进兴 ,  罗冠腾 ,  鲁建国 ,  黄见翎

IPC: H01L21/304 ,  B24B1/00 ,  B24B7/22

Abstract: 一种利用复合控制模式的研浆流量控制方法及系统，该研浆流量控制系统包括流体计测装置、复合控制器、中央控制装置及输送装置。操作时，利用所述中央控制装置实时比较所述流体计测装置的研浆流量测量值与流量设定值之间的差值，以选用所述复合控制器的闭回路控制法或开回路控制法，使所述输送装置准确地控制研浆的流量输出。