公开(公告)号：CN1209499C

公开(公告)日：2005-07-06

申请号：CN02127845.8

申请日：2002-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄平 ,  李鸿业 ,  罗冠腾

IPC: C23F1/24

Abstract: 一种蚀刻剂及其在提高蚀刻选择比(Etching Selectivity)上的应用，此蚀刻剂至少包括磷酸(Phosphoric Acid；H3PO4)与可溶性硅(Si)化合物，例如含卤素的硅化合物或含卤素的硅化合物及其衍生物。此蚀刻剂应用在蚀刻氮化硅(SiN4)时，由于可溶性硅化合物与水产生水解反应，因此可有效提升氮化硅与氧化硅(SiO2)之间的蚀刻选择比。

公开(公告)号：CN1472361A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN02127845.8

申请日：2002-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄平 ,  李鸿业 ,  罗冠腾

IPC: C23F1/24

Abstract: 一种蚀刻剂及其在提高蚀刻选择比(EtchingSelectivity)上的应用，此蚀刻剂至少包括磷酸(Phosphoric Acid；H3PO4)与可溶性硅(Si)化合物，例如含卤素的硅化合物或含卤素的硅化合物及其衍生物。此蚀刻剂应用在蚀刻氮化硅(SiN4)时，由于可溶性硅化合物与水产生水解反应，因此可有效提升氮化硅与氧化硅(SiO2)之间的蚀刻选择比。