公开(公告)号：CN100334692C

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200310103697.7

申请日：2003-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张知天 ,  吴学昌 ,  巫尚霖 ,  黄见翎 ,  彭进兴 ,  周梅生

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/00

CPC classification number: F16K1/223 ,  C23C16/4412 ,  Y10T137/0396 ,  Y10T137/86944 ,  Y10T137/87378 ,  Y10T137/87523

Abstract: 一种制程反应室的定压控制方法，通过一PID控制器控制第一阀门和至少一个第二阀门，对制程反应室执行第一预定压力控制，且第一阀门的反应时间比第二阀门的反应时间较长，该定压控制方法叙述如下：(a)第一阀门提供该制程反应室第二预定压力；(b)第二阀门对制程反应室执行压力的控制，将压力由第二预定压力调整至第一预定压力。本发明还提供一种用于制程反应室定压的调压阀，以实现上述控制方法。

公开(公告)号：CN1549307A

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN03131382.5

申请日：2003-05-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  庄平 ,  林俞良 ,  周梅生 ,  罗冠腾

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3105 ,  G03F7/26 ,  B08B3/00

Abstract: 本发明涉及一种清洗孔洞材料的方法及其装置；此方法及其装置是在利用超临界流体清洗孔洞材料上的制程残余物时，先在低压状态下使流体注入孔洞，再将反应压力从低压渐升至产生超临界流体的高压；如此一来，可平衡孔洞材料的内外压力，达到降低压力对孔洞材料的冲击的目的。

公开(公告)号：CN100341136C

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200410057137.7

申请日：2004-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾伟雄 ,  庄平 ,  涂宏荣 ,  王静亚 ,  林俞良 ,  罗冠腾 ,  周梅生

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76802 ,  G03F7/422 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明揭示一种半导体装置中蚀刻后续清洁制程(post-etchingcleaning process)与沉积制程的整合方法。首先，提供一基底，其中具有一镶嵌结构，其藉由蚀刻一介电层并利用为于其上方的一光阻掩膜作为蚀刻掩膜而形成。接着，藉由一超临界流体实施一清洁制程，以去除光阻掩膜以及蚀刻后续产生的副产品。最后，利用该超临界流体作为一反应媒介，以临场(in-situ)填入一内联机层于镶嵌结构内。上述清洁制程与后续内联机层的制作是于一制程设备的单一或不同的反应室中进行。

公开(公告)号：CN1645592A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200410057137.7

申请日：2004-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾伟雄 ,  庄平 ,  涂宏荣 ,  王静亚 ,  林俞良 ,  罗冠腾 ,  周梅生

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76802 ,  G03F7/422 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明揭示一种半导体装置中蚀刻后续清洁制程(post－etching cleaning process)与沉积制程的整合方法。首先，提供一基底，其中具有一镶嵌结构，其藉由蚀刻一介电层并利用为于其上方的一光阻掩膜作为蚀刻掩膜而形成。接着，藉由一超临界流体实施一清洁制程，以去除光阻掩膜以及蚀刻后续产生的副产品。最后，利用该超临界流体作为一反应媒介，以临场(in－situ)填入一内联机层于镶嵌结构内。上述清洁制程与后续内联机层的制作是于一制程设备的单一或不同的反应室中进行。

公开(公告)号：CN1324663C

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200410062690.X

申请日：2004-08-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俞良 ,  庄平 ,  周梅生

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/469 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31675 ,  H01L21/76801

Abstract: 本发明提供一种制造介电层的方法，包括下列步骤：提供一流体至一基底，其中该流体是一气胶态；于该基底附近产生一超临界工艺环境，该超临界工艺环境具有该选择流体的一超临界工艺温度与一超临界工艺压力；以及使该基底接触该选择流体，其中藉一介于该基底与该流体间的反应形成一于该基底上的介电层。本发明另提供一种制造介电层的系统。

公开(公告)号：CN1702842A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510072820.2

申请日：2005-05-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  庄平 ,  巫尚霖 ,  林俞良 ,  涂宏荣 ,  周梅生 ,  罗冠腾

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/47 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02203 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/312 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249987

Abstract: 一种例如用于集成电路的多孔性低介电常数(K)介电材质层的有机层，其表面具有具开口的孔洞。为了封闭这些孔洞，有机层会与一超临界流体接触，而且超临界流体是一种适用于有机层的溶剂。在小量的表面及孔洞的壁面被溶解后，被溶解的有机材料的相转变会在表面发生，产生一相对致密、平坦且无孔的薄膜覆盖表面，而封闭具开口的孔洞。由此，使得其表面平坦或无孔，且使得基体或薄膜的机械强度更佳。

公开(公告)号：CN1220919C

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN02146940.7

申请日：2002-10-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧义理 ,  周梅生 ,  彭进兴 ,  黄见翎 ,  陈择毅 ,  李俊仪 ,  吴学昌

IPC: G05D23/00

Abstract: 一种具有温度补偿特征的温度控制方法和装置。此温度控制方法至少包括：操作主温度控制装置，来提供主温度特性曲线；提供补偿温度特性曲线，其中补偿温度特性曲线与主温度特性曲线互为镜射(Mirror Reflected)；以及根据主温度特性曲线来操作主温度控制装置，同时并根据补偿温度特性曲线来操作补偿温度控制装置。因此，当受控体的机台欲动作一特定程序时，则该补偿温度控制装置同时将以该特定程序的温度特性来补偿之，故温度能完全维持在设定温度。此主温度控制装置可为：具有主冷却液(Coolant)槽的冷却机(Chiller)，或PN结(Junction)温度控制装置等，而此补偿温度控制装置可为：具有温度补偿冷却液槽的冷却机，或PN结温度控制装置等，其中此补偿温度控制装置可为开放回路或封闭回路的自动控制方式。

公开(公告)号：CN1508852A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN200310103697.7

申请日：2003-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张知天 ,  吴学昌 ,  巫尚霖 ,  黄见翎 ,  彭进兴 ,  周梅生

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/00

CPC classification number: F16K1/223 ,  C23C16/4412 ,  Y10T137/0396 ,  Y10T137/86944 ,  Y10T137/87378 ,  Y10T137/87523

Abstract: 一种制程反应室的定压控制方法，通过一PID控制器控制第一调压阀和至少一个第二调压阀，对制程反应室执行第一预定压力控制，且第一调压阀的反应时间比第二调压阀的反应时间较长，该定压控制方法叙述如下：(a)第一调压阀提供该制程反应室第二预定压力；(b)第二调压阀对制程反应室执行压力的控制，将压力由第二预定压力调整至第一预定压力。本发明还提供一种用于制程反应室定压的调压阀，以实现上述控制方法。

公开(公告)号：CN1492295A

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN02146940.7

申请日：2002-10-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧义理 ,  周梅生 ,  彭进兴 ,  黄见翎 ,  陈择毅 ,  李俊仪 ,  吴学昌

IPC: G05D23/00

Abstract: 一种具有温度补偿特征的温度控制方法和装置。此温度控制方法至少包括：操作主温度控制装置，来提供主温度特性曲线；提供补偿温度特性曲线，其中补偿温度特性曲线与主温度特性曲线互为镜射(Mirror Reflected)；以及根据主温度特性曲线来操作主温度控制装置，同时并根据补偿温度特性曲线来操作补偿温度控制装置。因此，当受控体的机台欲动作一特定程序时，则该补偿温度控制装置同时将以该特定程序的温度特性来补偿之，故温度能完全维持在设定温度。此主温度控制装置可为：具有主冷却液(Coolant)槽的冷却机(Chiller)，或PN接口(Junction)温度控制装置等，而此补偿温度控制装置可为：具有温度补偿冷却液槽的冷却机，或PN接口温度控制装置等，其中此补偿温度控制装置可为开放回路或封闭回路的自动控制方式。

公开(公告)号：CN100378926C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200510072820.2

申请日：2005-05-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  庄平 ,  巫尚霖 ,  林俞良 ,  涂宏荣 ,  周梅生 ,  罗冠腾

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/47 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02203 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/312 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249987

Abstract: 本发明提供一种在有孔结构表面上产生一薄膜的方法和产物，其中该方法包含以下步骤：提供一包含有机材料的有孔结构表面，一个或多个孔洞在该有孔结构表面上具有开口；以一超临界流体接触该有孔结构表面，其中该超临界流体包括一溶剂，以溶合该有孔结构表面和所述孔洞的壁面而形成一溶合有机材料；以及相转变该溶合有机材料，以在该有孔结构表面上形成一密度比该有孔结构的密度更高的、且无孔的薄膜，由该薄膜封闭所述孔洞。由此，使得其表面平坦或无孔，且使得基体或薄膜的机械强度更佳。