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公开(公告)号：CN103137524B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201210190020.0
申请日：2012-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/67173 , H01L21/02057 , H01L21/67207
Abstract: 本说明书涉及一种晶圆分离和清洁装置，包括自动晶圆处理模块。自动晶圆处理模块将半导体晶圆加载到用于分离工艺的晶圆分离模块中。自动晶圆处理模块从晶圆分离模块移除半导体晶圆并且将半导体晶圆加载到用于清洁工艺的晶圆清洁模块。还提供了晶圆分离和清洁装置及其使用方法。
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公开(公告)号：CN100341136C
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200410057137.7
申请日：2004-08-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/76802 , G03F7/422 , G03F7/423 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/31116 , H01L21/31133 , H01L21/31144 , H01L21/76877
Abstract: 本发明揭示一种半导体装置中蚀刻后续清洁制程(post-etchingcleaning process)与沉积制程的整合方法。首先，提供一基底，其中具有一镶嵌结构，其藉由蚀刻一介电层并利用为于其上方的一光阻掩膜作为蚀刻掩膜而形成。接着，藉由一超临界流体实施一清洁制程，以去除光阻掩膜以及蚀刻后续产生的副产品。最后，利用该超临界流体作为一反应媒介，以临场(in-situ)填入一内联机层于镶嵌结构内。上述清洁制程与后续内联机层的制作是于一制程设备的单一或不同的反应室中进行。
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公开(公告)号：CN1645592A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200410057137.7
申请日：2004-08-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/76802 , G03F7/422 , G03F7/423 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/31116 , H01L21/31133 , H01L21/31144 , H01L21/76877
Abstract: 本发明揭示一种半导体装置中蚀刻后续清洁制程(post－etching cleaning process)与沉积制程的整合方法。首先，提供一基底，其中具有一镶嵌结构，其藉由蚀刻一介电层并利用为于其上方的一光阻掩膜作为蚀刻掩膜而形成。接着，藉由一超临界流体实施一清洁制程，以去除光阻掩膜以及蚀刻后续产生的副产品。最后，利用该超临界流体作为一反应媒介，以临场(in－situ)填入一内联机层于镶嵌结构内。上述清洁制程与后续内联机层的制作是于一制程设备的单一或不同的反应室中进行。
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公开(公告)号：CN101879700A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200910179874.7
申请日：2009-10-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B24B57/02 , B24B37/107 , B24B53/017 , H01L21/02052
Abstract: 本发明是有关于一种化学机械研磨元件、晶圆的研磨方法及晶圆研磨系统，其中一种处理晶圆的化学机械研磨(CMP)元件，包含一板，以面朝上方向支撑欲进行处理的晶圆；一研磨头，面对此板，其中研磨头包含可旋转的研磨垫，当研磨垫旋转时，研磨垫可操作来接触晶圆；以及一研磨浆涂布系统，提供研磨浆给研磨垫来研磨晶圆。应用本发明可进行面朝上的晶圆的化学机械研磨工艺；因此可降低晶圆弯折，而可产生较佳的全域平坦度，进而可节省扫描机工艺窗时间，并且可缩减化学反应时间，而可缩减微影处理的碟状化或侵蚀。此外由于晶圆为面朝上，因此有较简单的原位晶圆表面监控，而具有精确研磨控制，从而更加适于实用。
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公开(公告)号：CN1324663C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200410062690.X
申请日：2004-08-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/31 , H01L21/469 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/31675 , H01L21/76801
Abstract: 本发明提供一种制造介电层的方法，包括下列步骤：提供一流体至一基底，其中该流体是一气胶态；于该基底附近产生一超临界工艺环境，该超临界工艺环境具有该选择流体的一超临界工艺温度与一超临界工艺压力；以及使该基底接触该选择流体，其中藉一介于该基底与该流体间的反应形成一于该基底上的介电层。本发明另提供一种制造介电层的系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1702842A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510072820.2
申请日：2005-05-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/312 , H01L21/47 , H01L21/768 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/02203 , H01L21/02118 , H01L21/31058 , H01L21/312 , H01L21/31695 , Y10T428/249953 , Y10T428/249987
Abstract: 一种例如用于集成电路的多孔性低介电常数(K)介电材质层的有机层，其表面具有具开口的孔洞。为了封闭这些孔洞，有机层会与一超临界流体接触，而且超临界流体是一种适用于有机层的溶剂。在小量的表面及孔洞的壁面被溶解后，被溶解的有机材料的相转变会在表面发生，产生一相对致密、平坦且无孔的薄膜覆盖表面，而封闭具开口的孔洞。由此，使得其表面平坦或无孔，且使得基体或薄膜的机械强度更佳。
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公开(公告)号：CN102569128B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201110397985.2
申请日：2011-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , B08B7/04 , B08B13/00
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/68728
Abstract: 公开了一种用于清洁薄晶圆的器件和系统。一种优选实施例包括旋转夹盘，该旋转夹盘具有至少三个固定卡具。带有晶圆框架的薄晶圆通过胶带层安装在旋转夹盘上。当固定卡具打开时，晶圆框架的移除和放置不会受到阻碍。另一方面，当固定卡具锁定时，该固定卡具与晶圆框架的外边缘相接触，从而防止晶圆框架横向移动。而且，处于锁定状态的固定卡具的形状能够防止晶圆框架纵向移动。
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公开(公告)号：CN102347213A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110035483.5
申请日：2011-01-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
Abstract: 本发明提供一种薄化晶片的方法，该方法包括借由一粘着剂结合一晶片于一载体上与执行一薄化工艺于该晶片上。于该执行该薄化工艺的步骤之后，移除该粘着剂未被该晶片覆盖的一部分，而不移除该粘着剂被该晶片覆盖的部分。本发明的方法降低了对总晶片厚度变异的影响。
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公开(公告)号：CN1855364A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610078191.9
申请日：2006-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/687
CPC classification number: H01L35/32 , H01L21/67109 , H01L35/325
Abstract: 本发明有关于一种热电晶圆夹盘。此热电晶圆夹盘包括用以承载晶圆的晶圆承载面；以及与晶圆承载面热接触的热电模组，其用以加热或冷却晶圆承载面及晶圆。
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公开(公告)号：CN1549307A
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN03131382.5
申请日：2003-05-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/3105 , G03F7/26 , B08B3/00
Abstract: 本发明涉及一种清洗孔洞材料的方法及其装置；此方法及其装置是在利用超临界流体清洗孔洞材料上的制程残余物时，先在低压状态下使流体注入孔洞，再将反应压力从低压渐升至产生超临界流体的高压；如此一来，可平衡孔洞材料的内外压力，达到降低压力对孔洞材料的冲击的目的。
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