公开(公告)号：CN110660702B

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN201910567654.5

申请日：2019-06-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林资程 ,  汪青蓉 ,  左克伟 ,  王咏生 ,  彭旸尹

IPC: H01L21/67 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明提供一种覆盖管理方法、覆盖管理系统及计算系统，阐述用于使用机器学习来管理半导体制造中的垂直对齐或覆盖的技术。通过所公开的技术来评估及管理扇出型晶片级封装工艺中内连特征的对齐。使用大数据及神经网络系统来使覆盖误差源因子与覆盖计量类别相关。所述覆盖误差源因子包括工具相关覆盖源因子、晶片或管芯相关覆盖源因子、以及处理上下文相关覆盖误差源因子。

公开(公告)号：CN101504543B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200810181222.2

申请日：2008-11-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊贤 ,  柯俊成 ,  左克伟 ,  罗冠腾 ,  汪青蓉

IPC: G05B19/418 ,  H01L21/00 ,  H01L21/66

CPC classification number: Y02P90/02

Abstract: 本发明涉及关键工艺参数的提取，提供了一种系统、方法与计算机可读取媒体，以用来提取与选出的装置参数有关的关键工艺参数。在一实施例中，使用基因地图分析来确定关键工艺参数。基因地图分析包括将高度相关的工艺参数分组，并确定群组与选出的装置参数的相关性。在一实施例中，与选出的装置参数有最大相关性的群组会被显示在相关性矩阵和/或基因地图中。

公开(公告)号：CN114628277A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202110424481.9

申请日：2021-04-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林资程 ,  刘子正 ,  李明潭 ,  左克伟 ,  汪青蓉

IPC: H01L21/67 ,  G03F7/20 ,  G05B13/02

Abstract: 一种管理重叠对准的方法及系统以及计算系统。本公开描述使用机器学习来管理半导体制造中的竖直对准或重叠的技术。通过所公开的技术来评估和管理扇出型晶片级封装工艺中的内连线特征的对准。大数据和机器学习用于训练使重叠误差源因子与重叠计量类别相关的分类。重叠误差源因子包含工具信号。训练分类包含基础分类和元分类。

公开(公告)号：CN101581930B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200910006225.7

申请日：2009-02-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 汪青蓉 ,  林俊贤 ,  赖志维 ,  柯俊成 ,  罗冠腾 ,  左克伟 ,  陈炳旭 ,  余振华

IPC: G05B19/418 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明提供了一种能够进行晶圆结果预测的方法，包含自各种半导体制造机台以及量测机台收集制造资料；根据制造资料使用自动关键参数萃取方法来选择关键参数；根据关键参数建构虚拟量测；以及利用虚拟量测来预测晶圆结果。

公开(公告)号：CN101335183B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810000237.4

申请日：2008-01-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊贤 ,  许志成 ,  游明丰 ,  左克伟

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67201 ,  H01L21/67248

Abstract: 本发明涉及一种可控制温度的负载室，其用于半导体工艺。该负载室包括至少一个调节式冷却器、一质量流量控制器、至少一个温度传感器与一控制器。调节式冷却器供应具预定温度的流体至控温板，质量流量控制器供应气流至负载室，也有助于维持理想温度。此外，调节式冷却器和/或质量流量控制器可结合至少一个温度传感器，以提供反馈控制以易于调控温度。控制器也可通过至少一个温度传感器的温度读值来控制调节式冷却器和质量流量控制器。

公开(公告)号：CN101581930A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200910006225.7

申请日：2009-02-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 汪青蓉 ,  林俊贤 ,  赖志维 ,  柯俊成 ,  罗冠腾 ,  左克伟 ,  陈炳旭 ,  余振华

IPC: G05B19/418 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明提供了一种能够进行晶圆结果预测的方法，包含自各种半导体制造机台以及量测机台收集制造资料；根据制造资料使用自动关键参数萃取方法来选择关键参数；根据关键参数建构虚拟量测；以及利用虚拟量测来预测晶圆结果。

公开(公告)号：CN101527272B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200910003748.6

申请日：2009-02-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨固峰 ,  邱文智 ,  吴文进 ,  左克伟

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/67253 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/6708 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种控制基材厚度的方法和处理基材的装置。该方法包括：自至少一个散布器散布至少一个蚀刻剂至一旋转基材的一表面上的多个不同的位置以实施蚀刻；监控于所述多个位置上该旋转基材的一厚度，使得当散布该蚀刻剂于各别的位置时，该旋转基材的厚度被监控，以及基于位于所述各别的位置上的该相对监控厚度，控制实施蚀刻的一相对量。

公开(公告)号：CN101504543A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200810181222.2

申请日：2008-11-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊贤 ,  柯俊成 ,  左克伟 ,  罗冠腾 ,  汪青蓉

IPC: G05B19/418 ,  H01L21/00 ,  H01L21/66

CPC classification number: Y02P90/02

Abstract: 本发明涉及关键工艺参数的提取，提供了一种系统、方法与计算机可读取媒体，以用来提取与选出的装置参数有关的关键工艺参数。在一实施例中，使用基因地图分析来确定关键工艺参数。基因地图分析包括将高度相关的工艺参数分组，并确定群组与选出的装置参数的相关性。在一实施例中，与选出的装置参数有最大相关性的群组会被显示在相关性矩阵和/或基因地图中。

公开(公告)号：CN101335183A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810000237.4

申请日：2008-01-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊贤 ,  许志成 ,  游明丰 ,  左克伟

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67201 ,  H01L21/67248

Abstract: 本发明涉及一种可控制温度的负载室，其用于半导体工艺。该负载室包括至少一个调节式冷却器、一质量流量控制器、至少一个温度传感器与一控制器。调节式冷却器供应具预定温度的流体至控温板，质量流量控制器供应气流至负载室，也有助于维持理想温度。此外，调节式冷却器和/或质量流量控制器可结合至少一个温度传感器，以提供反馈控制以易于调控温度。控制器也可通过至少一个温度传感器的温度读值来控制调节式冷却器和质量流量控制器。

公开(公告)号：CN118676006A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410495488.3

申请日：2024-04-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张耕铭 ,  董志航 ,  余振华 ,  余国宠 ,  左克伟 ,  王守怡 ,  林资程 ,  梁世纬

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/68 ,  H01L23/544

Abstract: 提供一种半导体装置及其形成方法，包括在一顶部晶粒中形成多个第一接合特征以及包括多个第一图样的一第一对准标记，并在一底部晶圆中形成多个第二接合特征以及包括多个第二图样的一第二对准标记。方法亦包括决定一第一基准点以及一第二基准点，并利用第一对准标记以及第二对准标记，将顶部晶粒与底部晶圆对准。俯视时，第一图样的至少两者沿着一第一方向排列，第一图样的至少两者沿着不同于第一方向的一第二方向排列。通过将通过第一基准点以及第二基准点的一虚拟轴线调整为与第一方向大致上平行而使得顶部晶粒与底部晶圆对准。