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公开(公告)号：CN101299150B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200710163203.2
申请日：2007-10-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05B19/048 , H01L21/00
CPC classification number: H01L22/20 , G01N21/9501 , H01L22/12
Abstract: 本发明涉及一种监控和预测晶片平整度的方法及应用该方法的半导体晶片的制造方法，该包括下述步骤：选择一晶片参数。收集包括有第一晶片与第二晶片的晶片参数测量结果的制造数据，其中第一晶片与该第二晶片均与一产品型态匹配，并且均经由同一加工工具进行处理。使用制造数据决定第一晶片和第二晶片的晶片参数的平均偏差值变量曲线。使用平均偏差值变量曲线来预测第三晶片的预测偏差值变量曲线，其中第三晶片与上述产品型态匹配，并且经由同一加工工具进行处理。
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公开(公告)号：CN1485888A
公开(公告)日：2004-03-31
申请号：CN02144250.9
申请日：2002-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/304 , B24B1/00 , B24B7/22
Abstract: 一种利用复合控制模式的研浆流量控制方法及系统，该研浆流量控制系统包括流体计测装置、复合控制器、中央控制装置及输送装置。操作时，利用所述中央控制装置实时比较所述流体计测装置的研浆流量测量值与流量设定值之间的差值，以选用所述复合控制器的闭回路控制法或开回路控制法，使所述输送装置准确地控制研浆的流量输出。
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公开(公告)号：CN1858665A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200610058266.7
申请日：2006-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05B19/048 , G05B19/02 , H01L21/66
CPC classification number: G05B23/0297
Abstract: 本发明提供一种用以监控半导体生产设备中的处理工具的方法与系统，该方法包括下列步骤：根据一制程设备相关的生产数据，以替一虚拟感测系统选取重要硬件参数；以及收集关于该制程设备的生产数据。该方法更包括下列步骤：于多个的半导体产品生产时，动态地维持该虚拟感测系统；以及运用该虚拟感测系统以及收集的该生产数据以预测一半导体产品经由该制程设备处理后的情况。本发明所述的用以监控半导体生产设备中的处理工具的方法与系统，提供一对于晶圆生产进行监控与控制的方式，以增进效率并降低成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1234160C
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN03106005.6
申请日：2003-02-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/304 , B24B57/00
CPC classification number: F04B49/20 , F04B2205/09
Abstract: 一种具有气泡消除装置的监测系统，该监测系统包括输送装置、气泡消除装置、流量计装置及中央控制装置。利用中央控制装置控制气泡消除装置的操作，以排除来自输送装置中研浆的气泡，使监测系统的研浆流速趋于稳定。并进一步利用具有稳定流速的研浆，有效维持研浆中研磨剂的混合比例，而大幅降低混合比例的变动量。
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公开(公告)号：CN1487576A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03106005.6
申请日：2003-02-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/304 , B24B57/00
CPC classification number: F04B49/20 , F04B2205/09
Abstract: 一种具有气泡消除装置的监测系统，该监测系统包括输送装置、气泡消除装置、流量计装置及中央控制装置。利用中央控制装置控制气泡消除装置的操作，以排除来自输送装置中研浆的气泡，使监测系统的研浆流速趋于稳定。并进一步利用具有稳定流速的研浆，有效维持研浆中研磨剂的混合比例，而大幅降低混合比例的变动量。
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公开(公告)号：CN108119220A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710928136.2
申请日：2017-10-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: F01N13/08
Abstract: 一种排气系统的涡流产生器。涡流产生器包含装设在排气管内表面的环状轴承。涡流产生器还包含装设在环状轴承上的环状叶片组件。环状叶片组件包含具有上游开口的前导面。分流器还包含具有下游开口的后面，其中上游开口与下游开口是以排气管的纵轴为中心。分流器还包含侧部从前导面延伸至后面，其中侧部具有多个开口，每一个开口中设有一叶片，且其中每一个叶片的后侧是面向纵轴。
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公开(公告)号：CN100451888C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610058266.7
申请日：2006-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05B19/048 , G05B19/02 , H01L21/66
CPC classification number: G05B23/0297
Abstract: 本发明提供一种用以监控半导体生产设备中的处理工具的方法与系统，该方法包括下列步骤：根据一制程设备相关的生产数据，以替一虚拟感测系统选取重要硬件参数；以及收集关于该制程设备的生产数据。该方法更包括下列步骤：于多个的半导体产品生产时，动态地维持该虚拟感测系统；以及运用该虚拟感测系统以及收集的该生产数据以预测一半导体产品经由该制程设备处理后的情况。本发明所述的用以监控半导体生产设备中的处理工具的方法与系统，提供一对于晶圆生产进行监控与控制的方式，以增进效率并降低成本。
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公开(公告)号：CN101299150A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200710163203.2
申请日：2007-10-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05B19/048 , H01L21/00
CPC classification number: H01L22/20 , G01N21/9501 , H01L22/12
Abstract: 本发明涉及一种监控和预测晶片平整度的方法及应用该方法的半导体晶片的制造方法，该包括下述步骤：选择一晶片参数。收集包括有第一晶片与第二晶片的晶片参数测量结果的制造数据，其中第一晶片与该第二晶片均与一产品型态匹配，并且均经由同一加工工具进行处理。使用制造数据决定第一晶片和第二晶片的晶片参数的平均偏差值变量曲线。使用平均偏差值变量曲线来预测第三晶片的预测偏差值变量曲线，其中第三晶片与上述产品型态匹配，并且经由同一加工工具进行处理。
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