公开(公告)号：CN101667595A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200910168186.0

申请日：2009-09-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 克里希纳·库玛·布沃卡 ,  王静亚 ,  后藤贤一 ,  李文钦 ,  卡罗斯·H·迪雅兹

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/7391 ,  H01L21/26586

Abstract: 一种半导体装置，包括：一沟道区；一栅介电层，位于该沟道区之上；一栅电极，位于该栅介电层之上；一第一源极/漏极区，邻近该栅介电层，其中该第一源极/漏极区具有一第一导电性，而至少该沟道区与该第一源极/漏极区之一包括一超晶格结构；以及一第二源极/漏极区，位于该沟道区内该第一源极/漏极区的相反侧，其中该第二源极/漏极区具有与该第一导电性相反的一第二导电性，而至少该沟道区与该第二源极/漏极区之一包括另一超晶格结构。本发明具有超晶格结构隧道型FET超越了公知MOSFET的次临界摆幅限制，也可降低起因于栅极漏电流的漏电流，还也可解决常见于具有低漏电流装置中的低开启电流问题。

公开(公告)号：CN100376019C

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200510088590.9

申请日：2005-08-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  曾伟雄 ,  罗冠胜

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76826 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76877

Abstract: 一种处理低介电常数介电层的方法，藉以改善机械力及/或修复等离子体蚀刻伤害，此处理低介电常数介电层的方法包括提供含低介电常数氧化硅介电绝缘层；以及对此含低介电常数氧化硅介电绝缘层进行一超临界流体处理，此超临界流体包括超临界二氧化碳以及共溶剂，其中此共溶剂包括硅键形成取代基，且此硅键形成取代基的键结能大于硅氢(Si-H)键结能，以通过此硅键形成取代基取代至少一部分的多个硅氢键结。

公开(公告)号：CN1549307A

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN03131382.5

申请日：2003-05-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  庄平 ,  林俞良 ,  周梅生 ,  罗冠腾

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3105 ,  G03F7/26 ,  B08B3/00

Abstract: 本发明涉及一种清洗孔洞材料的方法及其装置；此方法及其装置是在利用超临界流体清洗孔洞材料上的制程残余物时，先在低压状态下使流体注入孔洞，再将反应压力从低压渐升至产生超临界流体的高压；如此一来，可平衡孔洞材料的内外压力，达到降低压力对孔洞材料的冲击的目的。

公开(公告)号：CN1941321A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610083378.8

申请日：2006-06-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  曾伟雄 ,  罗冠腾 ,  汪青蓉

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/963 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是有关于一种利用超临界流体处理的双镶嵌结构及其形成方法，该方法是提供一单一制程，以去除光阻同时避免及修补电浆蚀刻损伤，并且移除该介电层中的吸收水气。该方法包括提供一基底，包括一最上层的光阻层以及一开口延伸穿过一金属层间介电层的一厚度，以暴露一下方金属区域。进行至少一超临界流体处理以移除最上层的该光阻层。此超临界流体处理包含超临界二氧化碳、一辅溶剂、以及一添加物。此添加物是选自由一金属腐蚀抗剂及一金属抗氧化剂所组成的群组。此超临界流体处理亦包含一选择性介电绝缘层的化学键形成剂。本发明可以减少电浆蚀刻损伤并且改善低介电值材料的绝缘特性。

公开(公告)号：CN1702842A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510072820.2

申请日：2005-05-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  庄平 ,  巫尚霖 ,  林俞良 ,  涂宏荣 ,  周梅生 ,  罗冠腾

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/47 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02203 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/312 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249987

Abstract: 一种例如用于集成电路的多孔性低介电常数(K)介电材质层的有机层，其表面具有具开口的孔洞。为了封闭这些孔洞，有机层会与一超临界流体接触，而且超临界流体是一种适用于有机层的溶剂。在小量的表面及孔洞的壁面被溶解后，被溶解的有机材料的相转变会在表面发生，产生一相对致密、平坦且无孔的薄膜覆盖表面，而封闭具开口的孔洞。由此，使得其表面平坦或无孔，且使得基体或薄膜的机械强度更佳。

公开(公告)号：CN101667595B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200910168186.0

申请日：2009-09-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 克里希纳·库玛·布沃卡 ,  王静亚 ,  后藤贤一 ,  李文钦 ,  卡罗斯·H·迪雅兹

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/7391 ,  H01L21/26586

Abstract: 一种半导体装置，包括：一沟道区；一栅介电层，位于该沟道区之上；一栅电极，位于该栅介电层之上；一第一源极/漏极区，邻近该栅介电层，其中该第一源极/漏极区具有一第一导电性，而至少该沟道区与该第一源极/漏极区之一包括一超晶格结构；以及一第二源极/漏极区，位于该沟道区内该第一源极/漏极区的相反侧，其中该第二源极/漏极区具有与该第一导电性相反的一第二导电性，而至少该沟道区与该第二源极/漏极区之一包括另一超晶格结构。本发明具有超晶格结构隧道型FET超越了公知MOSFET的次临界摆幅限制，也可降低起因于栅极漏电流的漏电流，还也可解决常见于具有低漏电流装置中的低开启电流问题。

公开(公告)号：CN101170062A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200710090481.X

申请日：2007-04-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  吴文进 ,  罗冠腾 ,  汪青蓉

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/422 ,  G03F7/423

Abstract: 本发明有关于一种半导体制造方法及其设备。该半导体制造方法，包括提供具有介电层形成于上的基材，然后在介电层上形成光阻遮罩。在光阻遮罩上可定义出开口，然后透过这些开口蚀刻介电层。接着以蚀刻物质处理部分的光阻遮罩，并以超临界流体移除这些光阻遮罩上处理的部分。该设备是一种用于半导体制造方法的反应室，能使上述的蚀刻、处理及移除过程于此单一的反应室中进行。本发明能在不破坏多孔性低介电常数的介电物质情况下，进行光阻移除的过程。

公开(公告)号：CN100341136C

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200410057137.7

申请日：2004-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾伟雄 ,  庄平 ,  涂宏荣 ,  王静亚 ,  林俞良 ,  罗冠腾 ,  周梅生

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76802 ,  G03F7/422 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明揭示一种半导体装置中蚀刻后续清洁制程(post-etchingcleaning process)与沉积制程的整合方法。首先，提供一基底，其中具有一镶嵌结构，其藉由蚀刻一介电层并利用为于其上方的一光阻掩膜作为蚀刻掩膜而形成。接着，藉由一超临界流体实施一清洁制程，以去除光阻掩膜以及蚀刻后续产生的副产品。最后，利用该超临界流体作为一反应媒介，以临场(in-situ)填入一内联机层于镶嵌结构内。上述清洁制程与后续内联机层的制作是于一制程设备的单一或不同的反应室中进行。

公开(公告)号：CN1755902A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200510088590.9

申请日：2005-08-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  曾伟雄 ,  罗冠胜

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76826 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76877

Abstract: 一种处理低介电常数介电层的方法，藉以改善机械力及/或修复等离子体蚀刻伤害，此处理低介电常数介电层的方法包括提供含低介电常数氧化硅介电绝缘层；以及对此含低介电常数氧化硅介电绝缘层进行一超临界流体处理，此超临界流体包括超临界二氧化碳以及共溶剂，其中此共溶剂包括硅键形成取代基，且此硅键形成取代基的键结能大于硅氢(Si－H)键结能，以通过此硅键形成取代基取代至少一部分的多个硅氢键结。

公开(公告)号：CN1645592A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200410057137.7

申请日：2004-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾伟雄 ,  庄平 ,  涂宏荣 ,  王静亚 ,  林俞良 ,  罗冠腾 ,  周梅生

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76802 ,  G03F7/422 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明揭示一种半导体装置中蚀刻后续清洁制程(post－etching cleaning process)与沉积制程的整合方法。首先，提供一基底，其中具有一镶嵌结构，其藉由蚀刻一介电层并利用为于其上方的一光阻掩膜作为蚀刻掩膜而形成。接着，藉由一超临界流体实施一清洁制程，以去除光阻掩膜以及蚀刻后续产生的副产品。最后，利用该超临界流体作为一反应媒介，以临场(in－situ)填入一内联机层于镶嵌结构内。上述清洁制程与后续内联机层的制作是于一制程设备的单一或不同的反应室中进行。