公开(公告)号：CN101425479A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810171583.9

申请日：2008-10-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾伟雄 ,  林纲正 ,  杨知一 ,  黄国泰 ,  陈嘉仁

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/823842

Abstract: 本发明提供金属栅/高k电介质半导体器件，包括在半导体衬底上形成的NMOS栅结构和PMOS栅结构。NMOS栅结构包括经过掺杂杂质，例如La处理的高k栅电介质，并且PMOS栅结构的高k栅电介质材料不具有所述掺杂杂质并且好包括覆盖在所述高k栅电介质上的逸出功控制层。还提供一种同时形成NMOS和PMOS栅结构的工艺，包括在NMOS栅结构和PMOS栅结构中形成高k栅电介质材料和逸出功控制层，然后从NMOS区域中选择性地去除逸出功控制层并且通过等离子体处理选择性地将掺杂杂质注入NMOS区域中的高k栅电介质同时在所述PMOS区域中的高k栅电介质基本上不具有所述掺杂杂质。

公开(公告)号：CN100376019C

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200510088590.9

申请日：2005-08-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  曾伟雄 ,  罗冠胜

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76826 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76877

Abstract: 一种处理低介电常数介电层的方法，藉以改善机械力及/或修复等离子体蚀刻伤害，此处理低介电常数介电层的方法包括提供含低介电常数氧化硅介电绝缘层；以及对此含低介电常数氧化硅介电绝缘层进行一超临界流体处理，此超临界流体包括超临界二氧化碳以及共溶剂，其中此共溶剂包括硅键形成取代基，且此硅键形成取代基的键结能大于硅氢(Si-H)键结能，以通过此硅键形成取代基取代至少一部分的多个硅氢键结。

公开(公告)号：CN100341136C

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200410057137.7

申请日：2004-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾伟雄 ,  庄平 ,  涂宏荣 ,  王静亚 ,  林俞良 ,  罗冠腾 ,  周梅生

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76802 ,  G03F7/422 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明揭示一种半导体装置中蚀刻后续清洁制程(post-etchingcleaning process)与沉积制程的整合方法。首先，提供一基底，其中具有一镶嵌结构，其藉由蚀刻一介电层并利用为于其上方的一光阻掩膜作为蚀刻掩膜而形成。接着，藉由一超临界流体实施一清洁制程，以去除光阻掩膜以及蚀刻后续产生的副产品。最后，利用该超临界流体作为一反应媒介，以临场(in-situ)填入一内联机层于镶嵌结构内。上述清洁制程与后续内联机层的制作是于一制程设备的单一或不同的反应室中进行。

公开(公告)号：CN1755902A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200510088590.9

申请日：2005-08-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  曾伟雄 ,  罗冠胜

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76826 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76877

Abstract: 一种处理低介电常数介电层的方法，藉以改善机械力及/或修复等离子体蚀刻伤害，此处理低介电常数介电层的方法包括提供含低介电常数氧化硅介电绝缘层；以及对此含低介电常数氧化硅介电绝缘层进行一超临界流体处理，此超临界流体包括超临界二氧化碳以及共溶剂，其中此共溶剂包括硅键形成取代基，且此硅键形成取代基的键结能大于硅氢(Si－H)键结能，以通过此硅键形成取代基取代至少一部分的多个硅氢键结。

公开(公告)号：CN1645592A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200410057137.7

申请日：2004-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾伟雄 ,  庄平 ,  涂宏荣 ,  王静亚 ,  林俞良 ,  罗冠腾 ,  周梅生

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76802 ,  G03F7/422 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明揭示一种半导体装置中蚀刻后续清洁制程(post－etching cleaning process)与沉积制程的整合方法。首先，提供一基底，其中具有一镶嵌结构，其藉由蚀刻一介电层并利用为于其上方的一光阻掩膜作为蚀刻掩膜而形成。接着，藉由一超临界流体实施一清洁制程，以去除光阻掩膜以及蚀刻后续产生的副产品。最后，利用该超临界流体作为一反应媒介，以临场(in－situ)填入一内联机层于镶嵌结构内。上述清洁制程与后续内联机层的制作是于一制程设备的单一或不同的反应室中进行。

公开(公告)号：CN103681347B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201210580950.7

申请日：2012-12-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 巫凯雄 ,  曾博瑞 ,  简珮珊 ,  曾伟雄

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

Abstract: 本方面公开了一种制造鳍式场效应晶体管的方法。制造FinFET器件，首先要接收FinFET前体。该前体包括衬底和衬底上的鳍式结构。沿着前体中的鳍式结构的侧壁可形成侧壁间隔件。对鳍式结构的一部分开槽，以形成将侧壁间隔件作为鳍上部的开槽沟槽。半导体结构外延生长在开槽沟槽中且在开槽沟槽的上方持续生长，以形成外延结构。

公开(公告)号：CN1941321A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610083378.8

申请日：2006-06-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  曾伟雄 ,  罗冠腾 ,  汪青蓉

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/963 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是有关于一种利用超临界流体处理的双镶嵌结构及其形成方法，该方法是提供一单一制程，以去除光阻同时避免及修补电浆蚀刻损伤，并且移除该介电层中的吸收水气。该方法包括提供一基底，包括一最上层的光阻层以及一开口延伸穿过一金属层间介电层的一厚度，以暴露一下方金属区域。进行至少一超临界流体处理以移除最上层的该光阻层。此超临界流体处理包含超临界二氧化碳、一辅溶剂、以及一添加物。此添加物是选自由一金属腐蚀抗剂及一金属抗氧化剂所组成的群组。此超临界流体处理亦包含一选择性介电绝缘层的化学键形成剂。本发明可以减少电浆蚀刻损伤并且改善低介电值材料的绝缘特性。

公开(公告)号：CN103325832B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201310007898.0

申请日：2013-01-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 巫凯雄 ,  奧野泰利 ,  简珮珊 ,  曾伟雄

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/785

Abstract: 提供用于鳍式场效晶体管(FinFET)器件的栅极应激源。栅极应激源包括底面、第一应激源侧壁、以及第二应激源侧壁。在栅极层的第一部分上形成底面。栅极层设置在浅沟槽隔离(STI)区域上。在栅极层的第二部分上形成第一应激源侧壁。栅极层的第二部分设置在鳍的侧壁上。在栅极层的第三部分上形成第二应激源侧壁。栅极层的第三部分设置在与鳍间隔开的结构的侧壁上。第一应激源侧壁和第二应激源侧壁没有超过鳍的高度。

公开(公告)号：CN100416796C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200610083378.8

申请日：2006-06-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  曾伟雄 ,  罗冠腾 ,  汪青蓉

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/963 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是有关于一种利用超临界流体处理的双镶嵌结构及其形成方法，该方法是提供一单一制程，以去除光阻同时避免及修补电浆蚀刻损伤，并且移除该介电层中的吸收水气。该方法包括提供一基底，包括一最上层的光阻层以及一开口延伸穿过一金属层间介电层的一厚度，以暴露一下方金属区域。进行至少一超临界流体处理以移除最上层的该光阻层。此超临界流体处理包含超临界二氧化碳、一辅溶剂、以及一添加物。此添加物是选自由一金属腐蚀抗剂及一金属抗氧化剂所组成的群组。此超临界流体处理亦包含一选择性介电绝缘层的化学键形成剂。本发明可以减少电浆蚀刻损伤并且改善低介电值材料的绝缘特性。

公开(公告)号：CN103681347A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201210580950.7

申请日：2012-12-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 巫凯雄 ,  曾博瑞 ,  简珮珊 ,  曾伟雄

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/66553

Abstract: 本方面公开了一种制造鳍式场效应晶体管的方法。制造FinFET器件，首先要接收FinFET前体。该前体包括衬底和衬底上的鳍式结构。沿着前体中的鳍式结构的侧壁可形成侧壁间隔件。对鳍式结构的一部分开槽，以形成将侧壁间隔件作为鳍上部的开槽沟槽。半导体结构外延生长在开槽沟槽中且在开槽沟槽的上方持续生长，以形成外延结构。