公开(公告)号：CN1549307A

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN03131382.5

申请日：2003-05-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  庄平 ,  林俞良 ,  周梅生 ,  罗冠腾

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3105 ,  G03F7/26 ,  B08B3/00

Abstract: 本发明涉及一种清洗孔洞材料的方法及其装置；此方法及其装置是在利用超临界流体清洗孔洞材料上的制程残余物时，先在低压状态下使流体注入孔洞，再将反应压力从低压渐升至产生超临界流体的高压；如此一来，可平衡孔洞材料的内外压力，达到降低压力对孔洞材料的冲击的目的。

公开(公告)号：CN1324663C

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200410062690.X

申请日：2004-08-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俞良 ,  庄平 ,  周梅生

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/469 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31675 ,  H01L21/76801

Abstract: 本发明提供一种制造介电层的方法，包括下列步骤：提供一流体至一基底，其中该流体是一气胶态；于该基底附近产生一超临界工艺环境，该超临界工艺环境具有该选择流体的一超临界工艺温度与一超临界工艺压力；以及使该基底接触该选择流体，其中藉一介于该基底与该流体间的反应形成一于该基底上的介电层。本发明另提供一种制造介电层的系统。

公开(公告)号：CN1702842A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510072820.2

申请日：2005-05-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  庄平 ,  巫尚霖 ,  林俞良 ,  涂宏荣 ,  周梅生 ,  罗冠腾

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/47 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02203 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/312 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249987

Abstract: 一种例如用于集成电路的多孔性低介电常数(K)介电材质层的有机层，其表面具有具开口的孔洞。为了封闭这些孔洞，有机层会与一超临界流体接触，而且超临界流体是一种适用于有机层的溶剂。在小量的表面及孔洞的壁面被溶解后，被溶解的有机材料的相转变会在表面发生，产生一相对致密、平坦且无孔的薄膜覆盖表面，而封闭具开口的孔洞。由此，使得其表面平坦或无孔，且使得基体或薄膜的机械强度更佳。

公开(公告)号：CN100341136C

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200410057137.7

申请日：2004-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾伟雄 ,  庄平 ,  涂宏荣 ,  王静亚 ,  林俞良 ,  罗冠腾 ,  周梅生

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76802 ,  G03F7/422 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明揭示一种半导体装置中蚀刻后续清洁制程(post-etchingcleaning process)与沉积制程的整合方法。首先，提供一基底，其中具有一镶嵌结构，其藉由蚀刻一介电层并利用为于其上方的一光阻掩膜作为蚀刻掩膜而形成。接着，藉由一超临界流体实施一清洁制程，以去除光阻掩膜以及蚀刻后续产生的副产品。最后，利用该超临界流体作为一反应媒介，以临场(in-situ)填入一内联机层于镶嵌结构内。上述清洁制程与后续内联机层的制作是于一制程设备的单一或不同的反应室中进行。

公开(公告)号：CN1645592A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200410057137.7

申请日：2004-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾伟雄 ,  庄平 ,  涂宏荣 ,  王静亚 ,  林俞良 ,  罗冠腾 ,  周梅生

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76802 ,  G03F7/422 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明揭示一种半导体装置中蚀刻后续清洁制程(post－etching cleaning process)与沉积制程的整合方法。首先，提供一基底，其中具有一镶嵌结构，其藉由蚀刻一介电层并利用为于其上方的一光阻掩膜作为蚀刻掩膜而形成。接着，藉由一超临界流体实施一清洁制程，以去除光阻掩膜以及蚀刻后续产生的副产品。最后，利用该超临界流体作为一反应媒介，以临场(in－situ)填入一内联机层于镶嵌结构内。上述清洁制程与后续内联机层的制作是于一制程设备的单一或不同的反应室中进行。

公开(公告)号：CN1209499C

公开(公告)日：2005-07-06

申请号：CN02127845.8

申请日：2002-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄平 ,  李鸿业 ,  罗冠腾

IPC: C23F1/24

Abstract: 一种蚀刻剂及其在提高蚀刻选择比(Etching Selectivity)上的应用，此蚀刻剂至少包括磷酸(Phosphoric Acid；H3PO4)与可溶性硅(Si)化合物，例如含卤素的硅化合物或含卤素的硅化合物及其衍生物。此蚀刻剂应用在蚀刻氮化硅(SiN4)时，由于可溶性硅化合物与水产生水解反应，因此可有效提升氮化硅与氧化硅(SiO2)之间的蚀刻选择比。

公开(公告)号：CN100378926C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200510072820.2

申请日：2005-05-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  庄平 ,  巫尚霖 ,  林俞良 ,  涂宏荣 ,  周梅生 ,  罗冠腾

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/47 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02203 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/312 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249987

Abstract: 本发明提供一种在有孔结构表面上产生一薄膜的方法和产物，其中该方法包含以下步骤：提供一包含有机材料的有孔结构表面，一个或多个孔洞在该有孔结构表面上具有开口；以一超临界流体接触该有孔结构表面，其中该超临界流体包括一溶剂，以溶合该有孔结构表面和所述孔洞的壁面而形成一溶合有机材料；以及相转变该溶合有机材料，以在该有孔结构表面上形成一密度比该有孔结构的密度更高的、且无孔的薄膜，由该薄膜封闭所述孔洞。由此，使得其表面平坦或无孔，且使得基体或薄膜的机械强度更佳。

公开(公告)号：CN1271686C

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN03131382.5

申请日：2003-05-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  庄平 ,  林俞良 ,  周梅生 ,  罗冠腾

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3105 ,  G03F7/26 ,  B08B3/00

Abstract: 本发明涉及一种清洗孔洞材料的方法及其装置；此方法及其装置是在利用超临界流体清洗孔洞材料上的工艺残余物时，先在低压状态下使流体注入孔洞，再将反应压力从低压渐升至产生超临界流体的高压；如此一来，可平衡孔洞材料的内外压力，达到降低压力对孔洞材料的冲击的目的。

公开(公告)号：CN1619782A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410062690.X

申请日：2004-08-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俞良 ,  庄平 ,  周梅生

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/469 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31675 ,  H01L21/76801

Abstract: 本发明提供一种制造介电层的方法，包括下列步骤：提供一流体至一基底，其中该流体是一气胶态；于该基底附近产生一超临界制程环境，该超临界制程环境具有该选择流体的一超临界制程温度与一超临界制程压力；以及使该基底接触该选择流体，其中藉一介于该基底与该流体间的反应形成一于该基底上的介电层。本发明另提供一种制造介电层的系统。

公开(公告)号：CN1472361A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN02127845.8

申请日：2002-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄平 ,  李鸿业 ,  罗冠腾

IPC: C23F1/24

Abstract: 一种蚀刻剂及其在提高蚀刻选择比(EtchingSelectivity)上的应用，此蚀刻剂至少包括磷酸(Phosphoric Acid；H3PO4)与可溶性硅(Si)化合物，例如含卤素的硅化合物或含卤素的硅化合物及其衍生物。此蚀刻剂应用在蚀刻氮化硅(SiN4)时，由于可溶性硅化合物与水产生水解反应，因此可有效提升氮化硅与氧化硅(SiO2)之间的蚀刻选择比。